Abstract:
PURPOSE: An optical mode size converting device is provided to reduce a coupling loss and a reflection loss by connecting an optical fiber and an optical waveguide integrated device efficiently, thereby having a power transfer capability over 90 percents and having a taper area about 300 um. CONSTITUTION: In an optical mode size converting device, the first optical waveguide layer as an incident part(104) of an optical waveguide(106) and the second optical waveguide layer as an exit part(102) of the optical waveguide are formed, wherein the respective terminals of the layers are dual-tapered latera-jointed. The respective terminals of the latera-jointed parts in the first and second waveguide layers are opposed to each other and have a tapered shape. The latera-jointed parts have a sine wave shape. The second waveguide layer includes another tapered part except for the latera-jointed part.
Abstract:
PURPOSE: A very high speed optical modulator, a manufacturing method thereof and optical modulating method using the same are provided to prevent crystal defects and thus degradation of device through regrowth process by providing passive optical waveguide integrated optical modulator without regrowth process. CONSTITUTION: A very high speed optical modulator comprises a first clad layer on a semiconductor substrate, a multi quantum well structured optical absorption layer(11A) on a center portion of the first clad layer, a passive optical waveguide(11B) on the first clad layer and on opposite sides of the optical absorption layer, a second clad layer(13) on the optical absorption layer and passive optical waveguide, an insulating layer(14) on an interface of the optical absorption layer and passive optical waveguide, an electrode for applying voltage on the optical absorption layer and passive optical waveguide, and an anti-reflection layer adjacent to the first clad layer, passive optical waveguide and second clad layer. The optical absorption layer and passive optical waveguide are of same multi quantum well structured semiconductor layer.
Abstract:
본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다. 본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.
Abstract:
본 발명은 광 결합 장치를 제공한다. 이 광 결합 장치는 중앙에 관통 홀을 가지고 직선부 및 테이퍼부를 포함하는 중공 광학 커플러, 관통 홀에 삽입되어 중공 광학 커플러와 융착되는 제1 광섬유, 및 중공 광학 커플러의 직선부의 일단에 결합하는 제2 광섬유를 포함한다. 제2 광섬유의 일단은 상기 중공 광학 커플러의 직선부의 일단에 접촉하고, 중공 광학 커플러는 제2 광섬유의 타단을 통하여 공급된 출력광을 제1 광섬유에 사이드 결합(side coupling)한다. 다중모드 광섬유, 이중 클래드 광섬유, 중공 광섬유, 고출력 광섬유 레이저, 희토류, 펌프 광 결합기, 단일모드 광섬유, 광섬유 다발
Abstract:
본발명은스트레인이걸리는응력층(strained layer)을격자형태로패터닝한후 상기패터닝된응력층을자발형성양자점을형성하기위한시드(seed)로이용하여자발형성양자점들이상기패터닝된응력층에수직정렬되어성장되도록한 것을특징으로한다. 따라서, 본발명에따르면높은균일도와밀도를갖는양자점을형성할수 있으며, 패터닝되는응력층의크기및 밀도를조절하여양자점의크기및 밀도를간단하고용이하게제어할수 있다.