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公开(公告)号：KR1019950034408A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010641
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 초 진공 중에서 비소의 분자선을 생성하는 소오스로서 특히 균일도있는 분자선을 형성하여 화합물 반도체의 제작시 고품위의 막을 제조할 수 있는 비소 분자선 발생방법 및 그 장치에 관한 것이다.
종래의 비소분자선 발생장치는 발생된 분자선원이 비소의 분자선뿐만 아니라 비소분자 덩어리인 비소클러스트도 함께 발생하여 기판에 입사되기 때문에 막의 형상을 나쁘게 하고 제조된 소자의 수율을 떨어뜨려 생상단가를 높이는 단점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 발생된 비소분자나 클러스트를 상호 충돌시켜 깨어뜨리고 확산구멍을 통과시키는 과정을 통해 균일한 분자선을 제조할 수 있는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019940016897A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920024458
申请日：1992-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 상기 에너지밴드갭이 상대적으로 작은 물질로 베이스층(4)을 형성하고 에너지밴드갭이 베이스층(4)보다 상대적으로 큰 물질로 에미터층(5)을 형성하며, 베이스층(4)과 에미터층(5) 사이에 에너지밴드갭이 상대적으로 큰 물질로 이루어지는 복수의 전위장벽(6b)과 에너지밴드갭이 상대적으로 작은 물질로 이루어지는 복수의 우물(6b)이 교번적으로 형성된 다중양자우물(6c)이 삽입되는 것이 특징이다.
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公开(公告)号：KR1019940016882A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025012
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)의 베이스 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 인듐 갈륨 비소층/인듐 알루미늄 비소층/인듐 갈륨 비소층으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 인듐 알루미늄 비소층과 인듐 갈륨 비소층 사이에 50~70Å의 두께로 알루미늄 비소층을 성장시키는 단계와, 베이스 전극을 형성하기 위해 선택비가 큰 화학식각용액에 의해 알루미늄 비소층을 선택하는 단계를 포함한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019930015091A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：KR1019910024511
申请日：1991-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이고 갈륨비소 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 갈륨비소 기판상에 감광막을 도포한후 감광막의 패턴을 형성하고 습식식각법으로 기판을 식각하는 공정과, 식각된 기판에 감률비소초기층(6)과 알루미늄비소층(7) 및 갈륨비소활성층(8)을 순차로 성장시키는 에피택시층 성장공정과, 상기 공정에서 성장된 에피택시층상에 오믹접촉금속(5)을 형성하는 공정및 부식액으로 상기 알루미늄 비소층(7)만을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 반도체 장치의 제조방법.
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