公开(公告)号：JP6348116B2

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：JP2015539300

申请日：2014-09-25

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦

IPC: G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  C23C14/06 ,  G03F1/24

CPC classification number: G02B5/0816 ,  G02B1/14 ,  G02B5/003 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/26 ,  G02B5/285 ,  G03F1/24 ,  G03F1/52 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70216

公开(公告)号：JPWO2016204051A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2017525171

申请日：2016-06-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 小林 巧 ,  浜本 和宏 ,  淺川 竜男 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/40

Abstract: パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。

公开(公告)号：JP6282844B2

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：JP2013230143

申请日：2013-11-06

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 橋本 雅広 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/84 ,  G03F1/50 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/42

公开(公告)号：JP6262165B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2015045754

申请日：2015-03-09

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/60 ,  G03F1/24 ,  G03F1/80 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004

公开(公告)号：JP2017227936A

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：JP2017194485

申请日：2017-10-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/84 ,  G03F1/38

Abstract: 【課題】欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板における上記多層反射膜に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている。この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して200nm以上10μm以下の幅の部分を有する。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2017227933A

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：JP2017194170

申请日：2017-10-04

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/84 ,  G03F1/38

Abstract: 【課題】基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消し、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクである。上記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成されている。上記反射型マスクブランクの例えば多層反射膜に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている。そして、この基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていない。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017156762A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2017082805

申请日：2017-04-19

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  G03F1/50

Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置を提供する。 【解決手段】少なくとも主表面がケイ素酸化物を含む材料よりなる基板に対して、触媒物質の加工基準面を前記主表面に接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。この時、前記処理液は前記基板主表面で加水分解を起こす液体であり、且つ、前記触媒基準エッチング中の前記処理液の温度は、常温を超える温度である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017151483A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2017112272

申请日：2017-06-07

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  淺川 竜男 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G03F1/38 ,  G03F1/24

Abstract: 【課題】 導電膜にタンタルを含有する材料を用いた反射型マスクブランク及び反射型マスクにおいて、導電膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなるという問題を解決するための、反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】 ガラス基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成され、さらに前記多層反射膜が設けられた面に対して、反対側の面に導電膜が形成されたEUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板であって、前記導電膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板と前記導電膜との間に前記ガラス基板から前記導電膜へ水素が侵入することを抑制する水素侵入抑制膜を備えることを特徴とする、EUVリソグラフィー用多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6111243B2

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2014507762

申请日：2013-03-21

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜 勉 ,  浜本 和宏

IPC: G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F1/80

公开(公告)号：JP5826887B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2014093018

申请日：2014-04-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/20

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60