公开(公告)号：FR3038773A1

公开(公告)日：2017-01-13

申请号：FR1556608

申请日：2015-07-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ZUSSY MARC ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: Le pochoir (100) est destiné à la réalisation, à l'échelle micrométrique, d'un dépôt d'un matériau sur un substrat (200) ou de gravure d'un substrat (200), le pochoir (100) comprenant : - une membrane (2) comportant une face avant (3) destinée à être orientée vers ledit substrat (200) et une face arrière (4) opposée à la face avant (3), la membrane (2) comportant au moins une portion de rigidification (7) et au moins une portion active (5) comprenant une surface active (10) délimitée par la face avant (3), la au moins une portion active (5) présentant une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la au moins une portion de rigidification (7), la au moins une portion de rigidification (7) étant configurée de sorte à assurer la planéité d'au moins la surface active (10), et - au moins deux ouvertures (8) traversantes ménagées dans la portion active (5) et débouchant sur la surface active (10).

公开(公告)号：FR3000293A1

公开(公告)日：2014-06-27

申请号：FR1262737

申请日：2012-12-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/30

Abstract: Procédé de recyclage d'un support (1) de substrat adapté à la réception d'un substrat pour au moins une étape de dépôt d'une couche d'un matériau sur le substrat conduisant également au dépôt d'une couche d'un matériau sur le support (1) de substrat, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) Implanter des espèces ioniques à travers une face d'accueil du support (1) de substrat de sorte à former au moins un plan de fragilisation enterré délimitant un film mince (7) sous la face d'accueil du support (1) de substrat, b) Exfolier le film mince (7) du support (1) de substrat de sorte à morceler le film mince (7), et c) Retirer un empilement (6) comportant au moins une couche d'un matériau déposé sur le film mince (7) résultant de ladite au moins une étape de dépôt de la couche d'un matériau sur le substrat.

公开(公告)号：FR2994615A1

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：FR1257794

申请日：2012-08-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TAUZIN AURELIE ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/302

Abstract: Procédé de planarisation d'une couche épitaxiée (2) comprenant : a) Fournir une structure (1) comprenant une couche épitaxiée (2) comportant une surface plane de référence (3) et dont une face exposée (4) comprend des protubérances (5) présentant une hauteur supérieure ou égale à une hauteur seuil (6) par rapport à la surface plane de référence (3), b) Déposer une couche de masquage (9) sur la face exposée (4) de sorte à recouvrir toutes les protubérances (5) et à former une structure intermédiaire (7), c) abraser la surface exposée de la structure intermédiaire (7) jusqu'à former une ouverture (11) traversant la couche de masquage (9) au niveau de chacune des protubérances (5) présentant une hauteur supérieure ou égale à la hauteur seuil (6), d) Graver la couche épitaxiée (2) au niveau de chaque ouverture (11) traversant la couche de masquage (9) jusqu'à atteindre la surface plane de référence (3), et e) Retirer la couche de masquage (9).

公开(公告)号：DE602008001593D1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：DE602008001593

申请日：2008-12-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ZUSSY MARC ,  DI CIOCCIO LEA ,  MORALES CHRISTOPHE ,  MORICEAU HUBERT

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

公开(公告)号：DE60136007D1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：DE60136007

申请日：2001-12-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANCK ,  MORICEAU HUBERT ,  ZUSSY MARC ,  MAGNEA NOEL

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

公开(公告)号：FR2850487B1

公开(公告)日：2005-12-09

申请号：FR0216646

申请日：2002-12-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANCK ,  MORICEAU HUBERT ,  ASPAR BERNARD ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  B81C1/00

Abstract: The inventive method includes a preparation step during which the substrate is covered with a layer, a pressing step in which a mould including a pattern of recesses and protrusions is pressed into part of the thickness of the aforementioned layer, at least one etching step in which the layer is etched until parts of the surface of the substrate have been stripped, and a substrate etching step whereby the substrate is etched using an etching pattern which is defined from the mould pattern. The preparation step includes a sub-step consisting of the formation of a lower sub-layer of curable material, a step involving the curing of said layer and a sub-step including the formation of an outer sub-layer which is adjacent to the cured sub-layer. Moreover, during the pressing step, the above-mentioned protrusions in the mould penetrate the outer sub-layer until contact is reached with the cured sub-layer.

公开(公告)号：FR2837981B1

公开(公告)日：2005-01-07

申请号：FR0203909

申请日：2002-03-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ASPAR BERNARD ,  ZUSSY MARC ,  CLERC JEAN FREDERIC

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/68 ,  H01L21/762 ,  H01L21/302 ,  H01L21/78

Abstract: This invention relates to a method for making a thin layer starting from a wafer comprising a front face with a given relief, and a back face, comprising steps consisting of: a) obtaining a support handle with a face acting as a bonding face; b) preparing the front face of the wafer, this preparation including incomplete planarisation of the front face of the wafer, to obtain a bonding energy E 0 between a first value corresponding to the minimum bonding energy compatible with the later thinning step, and a second value corresponding to the maximum bonding energy compatible with the subsequent desolidarisation operation, the bonding energy E 0 being such that E 0 =alpha.E, where E is the bonding energy that would be obtained if the front face of the wafer was completely planarised, alpha is the ratio between the incompletely planarised area of the front face of the wafer and the area of the front face of the wafer if it were completely planarised; c) solidarising the front face of the wafer on the bonding face of the support handle, by direct bonding; d) thinning the wafer starting from its back face until the thin layer is obtained; e) transferring the thin layer onto a usage support, involving separation from the support handle.

公开(公告)号：FR2822817B1

公开(公告)日：2003-05-30

申请号：FR0104174

申请日：2001-03-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRANGE HUBERT ,  ASPAR BERNARD ,  BOREL MICHEL ,  ZUSSY MARC

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G12B1/04

公开(公告)号：FR2830681A1

公开(公告)日：2003-04-11

申请号：FR0112955

申请日：2001-10-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ASPAR BERNARD ,  ZUSSY MARC ,  CLERC JEAN FREDERIC

IPC: G02F1/1333 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/762 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  G02F1/13

Abstract: The fabrication of a thin layer incorporating components or circuits consists of: (a) the formation on a glass substrate (11) of a stoppage layer (12); (b) the realization, on the stoppage layer, of a thin layer (3) incorporating all or a part of the components and/or circuits (2); and (c) elimination or thinning of the glass substrate.

公开(公告)号：AU2002304525A1

公开(公告)日：2002-10-28

申请号：AU2002304525

申请日：2002-04-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ASPAR BERNARD ,  ZUSSY MARC ,  MORICEAU HUBERT ,  RAYSSAC OLIVIER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/18 ,  H01L21/3063 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/58

Abstract: The invention relates to the preparation of a thin layer comprising a step in which an interface is created between a layer used to create said thin layer and a substrate, characterized in that said interface is made in such a way that it is provided with at least one first zone (Z1) which has a first level of mechanical strength, and a second zone (Z2) which has a level of mechanical strength which is substantially lower than that of the first zone. Said interface can be created by glueing surfaces which are prepared in a differentiated manner, by a layer which is buried and embrittled in a differentiated manner in said zones, or by an intermediate porous layer.