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公开(公告)号:CN102190280B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201110062180.2
申请日:2011-03-11
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00484 , B81B2201/014 , B81C2201/0143 , H01H1/0036 , H01H2001/0052 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明涉及一种微机械结构元件和用于制造微机械结构元件的方法。该微机械结构元件、尤其是开关包括具有至少一个留空的衬底和致动器,其中,在留空的区域中设有至少两个导电的接触面,这些接触面能借助致动器相互接触以便导电。
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公开(公告)号:CN102906011B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201180025557.5
申请日:2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔,暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前,排放或剥离第二牺牲腔体层,使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面,从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号:CN102292279B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201080005060.2
申请日:2010-01-20
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor: 约瑟夫·达米安·戈登·拉西
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/007 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , H01L41/094
Abstract: 这里所讨论的实施方式一般来讲公开了可用于克服在用于薄膜MEMS悬臂式开关的耐火材料中形成的梯度应力的新颖替代方法。使用这里所述的“分割层”悬臂制造方法使得能够制造薄膜MEMS悬臂式开关,在保持最终制造的悬臂式开关的着落部分的机械刚性的同时,获得低操作电压设备。
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公开(公告)号:CN102295263B
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201110173720.4
申请日:2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料,用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料,其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖,该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构,包括:在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料;以及排出该上牺牲材料以形成上腔体,从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号:CN103547335A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201380000402.5
申请日:2013-03-20
Applicant: 华为终端有限公司
IPC: A99Z99/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/001 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , H01G5/16 , H01H59/0009
Abstract: 本发明实施例提供一种电容式开关、信号收发装置及制造方法。该电容式开关包括:第一导电悬臂、第二导电悬臂、衬底以及设置在衬底上的共面波导,该共面波导包括用于传输电信号的第一导体和设置在第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体,第一导体上设有绝缘介质层,绝缘介质层上设有导电层;第一导电悬臂通过第一固定端与第二导体连接,第二导电悬臂通过第二固定端与第三导体连接,当所述电容式开关通直流信号时,所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触,所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。本实施例提供的电容式开关,通过采用悬臂的分离结构释放电容式开关中金属膜桥产生的应力,确保信号的传输质量。
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公开(公告)号:CN102906871A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025549.0
申请日:2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括:在衬底上形成下布线层。该方法还包括:自下布线层形成多个分离布线(14)。该方法还包括:在多个分离布线之上形成电极梁(38)。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积(50)中的小丘和三相点的布局。
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公开(公告)号:CN102906011A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025557.5
申请日:2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔,暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前,排放或剥离第二牺牲腔体层,使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面,从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号:CN101894808B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201010184335.5
申请日:2010-05-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B7/007 , B81B2201/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105
Abstract: 本发明提供了一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括衬底;设置在衬底上方的可移动电极;设置为面向可移动电极的静止电极;设置在衬底上并且围绕可移动电极和静止电极的墙部分;膜构件,其固定到在可移动电极和静止电极上方的墙部分,并且膜构件密封包括可移动电极和静止电极的空间;以及支撑部分,除了可移动电极和静止电极之外,还将支撑部分设置在衬底上的墙部分的内侧,以从空间的内部支撑膜构件。
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公开(公告)号:CN101924542B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201010203320.9
申请日:2010-06-11
Applicant: 江苏丽恒电子有限公司
Inventor: 河·H·黄
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B2201/014 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , H01H1/0036
Abstract: 本发明涉及一种电容式微机电系统开关及其制造方法,其中电容式微机电系统开关(10)包括:半导体基板(100)和悬空复合梁(200),其中半导体基板(100)包括:驱动电路(110)及设置于所述半导体基板(100)的顶部的第一底电极(121)、第一底导体(131)和第二底导体(132);悬空复合梁(200),通过第一臂部(211)锚定于所述半导体基板(100)的顶部,其中包括:第一顶电极(221)、顶导体(241)及介电层(231)。本发明实现了有效且可靠的微型机电设计结构,能够与现有的CMOS制造工艺相兼容以使他们可以一同生产并集成于同一个硅晶片上;并且能够利用可用的固态薄膜材料及制造工艺来满足低成本、高效率的CMOS集成及微型机电要求。
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公开(公告)号:CN102295264A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110174027.9
申请日:2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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