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公开(公告)号:CN102190285A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110043033.0
申请日:2011-02-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , Y10T428/24521 , Y10T428/24562
Abstract: 本发明公开一种制造MEMS器件的方法以及为此使用的衬底。一种用于制造MEMS器件的方法,包括:制备具有第一衬底和第二衬底的衬底,其中在第一衬底中形成腔体,第二衬底被结合到第一衬底的、其上形成腔体的那一侧,并且包括在与腔体相对应的位置对可移动部分进行划界的狭缝,第二衬底包括面向第一衬底的第一表面并且设置有选择性地在与移动部分相对应的位置中形成在第一表面上的热氧化膜;在第二表面上形成第一电极层,该第二表面与其上形成用于可移动部分的热氧化膜第一表面相反;在第一电极层和第二衬底上形成牺牲层;在牺牲层上形成第二电极层;以及在形成第二电极层之后移除牺牲层和热氧化膜。
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公开(公告)号:CN101254894A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810074162.4
申请日:2008-02-27
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
CPC classification number: G01P15/125 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/0802 , H01L23/041 , H01L2924/0002 , Y10T156/1052 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种封装的微型可移动器件及其制造方法,每个微型器件包括微型可移动元件、具有凹部的第一封装部件和具有另一凹部的第二封装部件。该微型可移动元件具有可移动部。根据此方法,制备器件晶片以形成多个微型可移动元件。第一封装晶片被连接至该器件晶片的一个表面,该第一封装晶片中形成有多个在位置上与各可移动元件对应的凹部。形成有多个凹部的第二封装晶片被连接至该器件晶片的另一个表面。最终制成的层叠组件被切割成分离的产品。
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公开(公告)号:CN103858199B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201180073766.7
申请日:2011-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , B81B3/0072 , B81B3/0097 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , H01G5/16 , H01H59/0009
Abstract: 形成具有翘曲被抑制的可动部的电气设备。在形成在衬底上的第一种子层上并与第一空间区域相邻的位置,通过镀敷形成至少一个第二金属材料的台座部和相向电极,利用第一牺牲层填埋第一空间区域,利用相同的抗蚀图案,通过连续镀敷,形成从第一牺牲层上延伸至台座部的表面的一部分的金属材料的第二牺牲层以及在第二牺牲层上的具有与第二金属材料相同的组分、热膨胀系数的第三金属材料的下部结构体,露出未形成有第二牺牲层的台座部表面,在台座部、下部结构体上,通过镀敷形成与第二金属材料、第三金属材料具有相同的组分、热膨胀系数的第四金属材料的上部结构体,去除第一牺牲层、第二牺牲层,制成具有可动部的电气设备。
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公开(公告)号:CN101894808B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201010184335.5
申请日:2010-05-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B7/007 , B81B2201/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105
Abstract: 本发明提供了一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括衬底;设置在衬底上方的可移动电极;设置为面向可移动电极的静止电极;设置在衬底上并且围绕可移动电极和静止电极的墙部分;膜构件,其固定到在可移动电极和静止电极上方的墙部分,并且膜构件密封包括可移动电极和静止电极的空间;以及支撑部分,除了可移动电极和静止电极之外,还将支撑部分设置在衬底上的墙部分的内侧,以从空间的内部支撑膜构件。
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公开(公告)号:CN102134051A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201010570789.6
申请日:2010-11-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , H01P1/12
Abstract: 本发明公开一种电子器件,其包括衬底,所述衬底包括有源层;信号电极,所述信号电极形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,所述第一驱动电极形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,所述第二驱动地电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方。所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。
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公开(公告)号:CN102190285B
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201110043033.0
申请日:2011-02-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , Y10T428/24521 , Y10T428/24562
Abstract: 本发明公开一种制造MEMS器件的方法以及为此使用的衬底。一种用于制造MEMS器件的方法,包括:制备具有第一衬底和第二衬底的衬底,其中在第一衬底中形成腔体,第二衬底被结合到第一衬底的、其上形成腔体的那一侧,并且包括在与腔体相对应的位置对可移动部分进行划界的狭缝,第二衬底包括面向第一衬底的第一表面并且设置有选择性地在与移动部分相对应的位置中形成在第一表面上的热氧化膜;在第二表面上形成第一电极层,该第二表面与其上形成用于可移动部分的热氧化膜第一表面相反;在第一电极层和第二衬底上形成牺牲层;在牺牲层上形成第二电极层;以及在形成第二电极层之后移除牺牲层和热氧化膜。
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公开(公告)号:CN101894808A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010184335.5
申请日:2010-05-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B7/007 , B81B2201/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105
Abstract: 本发明提供了一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括衬底;设置在衬底上方的可移动电极;设置为面向可移动电极的静止电极;设置在衬底上并且围绕可移动电极和静止电极的墙部分;膜构件,其固定到在可移动电极和静止电极上方的墙部分,并且膜构件密封包括可移动电极和静止电极的空间;以及支撑部分,除了可移动电极和静止电极之外,还将支撑部分设置在衬底上的墙部分的内侧,以从空间的内部支撑膜构件。
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公开(公告)号:CN101274741A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810090308.4
申请日:2008-03-28
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B3/0008 , B81B2201/0242 , G01C19/5719 , G01P15/125 , G01P15/14
Abstract: 本发明提供一种微移动器件、晶片及其制造方法。该微移动器件通过加工多层结构的材料基板而获得,该多层结构包括:第一层;第二层,在其位于该第一层一侧的表面上具有微细粗糙区;以及中间层,其设置在该第一层与该第二层之间,该微移动器件包括在该第一层中形成的第一结构和在该第二层中形成的第二结构。该第二结构包括经由间隙与第一结构相对的、并在其位于第一结构一侧具有微细粗糙区的部分,且该第二结构相对于该第一结构可相对移位。
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公开(公告)号:CN103858199A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201180073766.7
申请日:2011-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , B81B3/0072 , B81B3/0097 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , H01G5/16 , H01H59/0009
Abstract: 形成具有翘曲被抑制的可动部的电气设备。在形成在衬底上的第一种子层上并与第一空间区域相邻的位置,通过镀敷形成至少一个第二金属材料的台座部和相向电极,利用第一牺牲层填埋第一空间区域,利用相同的抗蚀图案,通过连续镀敷,形成从第一牺牲层上延伸至台座部的表面的一部分的金属材料的第二牺牲层以及在第二牺牲层上的具有与第二金属材料相同的组分、热膨胀系数的第三金属材料的下部结构体,露出未形成有第二牺牲层的台座部表面,在台座部、下部结构体上,通过镀敷形成与第二金属材料、第三金属材料具有相同的组分、热膨胀系数的第四金属材料的上部结构体,去除第一牺牲层、第二牺牲层,制成具有可动部的电气设备。
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公开(公告)号:CN102134051B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201010570789.6
申请日:2010-11-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , H01P1/12
Abstract: 本发明公开一种电子器件,其包括衬底,所述衬底包括有源层;信号电极,所述信号电极形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,所述第一驱动电极形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,所述第二驱动地电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方。所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。
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