公开(公告)号：JP2009511295A

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

Abstract: 【課題】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを製造するための優れた方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを形成する方法が開示される。 プロセスでは、基板（５）にピット（８）をエッチングする。 犠牲材料（１０）を、ピット（８）内及び周囲の基板表面上に付着させる。 次に、周囲の基板表面及びピット（８）の周囲から犠牲材料（１０）を除去し、したがって犠牲材料とピットの少なくとも２つの側壁の間にギャップがある。 次に、残りの犠牲材料がピットの側壁と接触するように、犠牲材料をリフローするように加熱する。 次に、通常は金属であるビーム（１２）の材料を、基板表面及びリフローした犠牲材料に付着させ、次に犠牲材料を除去して、吊り下げられたビームを形成する。 ビームは、インクジェットプリンタの加熱要素として使用することができる。
【選択図】図３４

公开(公告)号：JP2008277715A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：JP2007129942

申请日：2007-05-16

Applicant: Mallinckrodt Baker Inc ,  マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッドMallinckrodt Baker, Inc.

Inventor： KIM SANG IN ,  HONG SEONG JIN

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce or essentially remove an upheaval or protrusion which generally extends upward from an almost plane surface of polysilicon film that is manufactured by low-temperature polysilicon silicon (LTPS) annealing of an amorphous silicon film deposited on a substrate.
SOLUTION: The planarizing solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or more and contains water, at least one kind of strong base, and at least one kind of etching speed controlling agent. The method of use thereof includes a process which contacts the almost plane surface of polysilicon film with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the upheaval or protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了减少或基本上去除通常从多晶硅膜的几乎平面表面向上延伸的动态或突起，所述多晶硅膜由沉积在其上的非晶硅膜的低温多晶硅硅（LTPS）退火制造 基质。 解决方案：高水性和强碱性的平坦化溶液的pH为12以上，并且含有水，至少一种强碱和至少一种蚀刻速度控制剂。 其使用方法包括与多晶硅膜的几乎平面表面接触的方法，该溶液是高度水溶性且强碱性的溶液足够长的时间以选择性地蚀刻几乎平面多晶硅膜的表面而没有蚀刻的动态或突起 显着地是几乎平面的多晶硅膜。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：TWI596174B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102118277

申请日：2013-05-23

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 李玉宙 ,  LI, YUZHUO ,  諾勒 巴斯汀 馬汀 ,  NOLLER, BASTIAN MARTEN ,  吉洛特 克里斯多夫 ,  GILLOT, CHRISTOPHE ,  法蘭茲 黛安娜 ,  FRANZ, DIANA

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

公开(公告)号：TW200842970A

公开(公告)日：2008-11-01

申请号：TW096115901

申请日：2007-05-04

Applicant: 馬連克勞得貝克股份有限公司 MALLINCKRODT BAKER, INC.

Inventor： 金相仁 KIM, SANG IN ,  洪性辰 HONG, SEONG JIN

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: 本發明係關於一種高度含水、强鹼性平坦化溶液及其用以縮減或基本上消除自一大體上平坦之多晶矽膜表面大體上向上延伸之突起或突出的方法,該多晶矽膜係藉由使一沈積於一基板上之非晶矽膜低溫多晶矽(LTPS)退火而產生;該方法包括使該大體上平坦之多晶矽膜之該表面與該高度含水、强鹼性平坦化溶液接觸,接觸時間足以自該大體上平坦之多晶矽膜之該表面選擇性地蝕刻該等突起或突出而且對該大體上平坦之多晶矽膜無任何顯著蝕刻,該高度含水、强鹼性溶液為具有12或更高pH値之溶液且包含水、至少一種强鹼及至少一種蝕刻率控制劑。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种高度含水、强碱性平坦化溶液及其用以缩减或基本上消除自一大体上平坦之多晶硅膜表面大体上向上延伸之突起或突出的方法,该多晶硅膜系借由使一沉积于一基板上之非晶硅膜低温多晶硅(LTPS)退火而产生;该方法包括使该大体上平坦之多晶硅膜之该表面与该高度含水、强碱性平坦化溶液接触,接触时间足以自该大体上平坦之多晶硅膜之该表面选择性地蚀刻该等突起或突出而且对该大体上平坦之多晶硅膜无任何显着蚀刻,该高度含水、强碱性溶液为具有12或更高pH値之溶液且包含水、至少一种强碱及至少一种蚀刻率控制剂。

公开(公告)号：TW201402736A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102118277

申请日：2013-05-23

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 李玉宙 ,  LI, YUZHUO ,  諾勒 巴斯汀 馬汀 ,  NOLLER, BASTIAN MARTEN ,  吉洛特 克里斯多夫 ,  GILLOT, CHRISTOPHE ,  法蘭茲 黛安娜 ,  FRANZ, DIANA

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法，其包括在化學機械拋光組合物(Q1)的存在下對含至少一種III-V族材料之基板或層進行化學機械拋光，該組合物(Q1)包含：(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或複合物，(B)至少一種兩性非離子介面活性劑，其具有(b1)至少一個疏水性基團；及(b2)至少一個選自由聚氧伸烷基基團組成之群之親水性基團，該等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基單體單元以外之氧伸烷基單體單元；及(M)水性介質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种制造半导体设备之方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)的存在下对含至少一种III-V族材料之基板或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子界面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自由聚氧伸烷基基团组成之群之亲水性基团，该等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基单体单元以外之氧伸烷基单体单元；及(M)水性介质。