公开(公告)号：EP2060534A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：EP07120883.9

申请日：2007-11-16

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： Fiaccabrino, Jean-Charles ,  Verardo, Marco ,  Conus, Thierry ,  Thiébaud, Jean-Philippe ,  Peters, Jean-Bernard

IPC: B81C5/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

Abstract: L'invention se rapporte à un procédé de fabrication (1) d'une pièce de micromécanique (51) composite silicium - métal combinant des processus du type DRIE et LIGA.
L'invention se rapporte également à une pièce de micromécanique (51) comprenant une couche dans laquelle une partie (53) est en silicium et une autre (41) en métal afin de former une pièce de micromécanique (51) du type composite.
L'invention concerne le domaine des mouvements horlogers.

Abstract translation: 由硅/金属复合物的用于制造微机械部件的制造方法，在上层（5）的基材包括选择性地雕刻的腔体的（3），以限定所述部件的硅部分（53）的图案，雕刻的空腔 在与基板的中间层（9）中，从腔体的部分中生长的金属层（37，45），以形成从衬底沿部件的厚度的金属部分，以及去除硅/金属复合材料的微机械部件 ， 中间层的上层和下硅层（7）之间延伸。 由硅/金属复合物的用于制造微机械部件的制造方法，在上层（5）的基材包括选择性地雕刻的腔体的（3），以限定所述部件的硅部分（53）的图案，雕刻的空腔 在与基板的中间层（9）中，从腔体的部分中生长的金属层（37，45），以形成从衬底沿部件的厚度的金属部分，以及去除硅/金属复合材料的微机械部件 ， 中间层的上层和基板的下硅层（7）之间延伸。 该金属层是由光敏树脂覆盖所述基板的顶部显影，选择性地执行光刻工艺在感光树脂雅丁到所述金属部件的预定图案，将金属在下部的硅的上部导电性表面层中 通过电镀工艺，以及从基板上的照片结构的树脂层。 下层的上表面是由通过掺杂底层和/或通过在上表面上放置一个导电层导电。 光结构的树脂使得在基片的上层凸起通过电镀继续一个层的生长和制备硅部分上方的微机械部件的第二金属部件。 基板的上侧，以在相同的照片结构的树脂的上端的高度的金属层的级别进行，在形成金属层之后。 空腔设置在基片的下层刻，以形成微机械部件gemäß的第二硅部分，以规定的形状和厚度，从衬底去除硅/金属复合微机械器件之前。 一个独立的claimsoft包括用于由硅/金属复合物的微机械结构。

公开(公告)号：EP1711961A4

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：EP05704921

申请日：2005-01-03

Applicant: MICROFABRICA INC

Inventor： KUMAR ANANDA H ,  COHEN ADAM L ,  LOCKARD MICHAEL S

IPC: C25D1/00 ,  B05D1/38 ,  B24B49/00 ,  B81C1/00 ,  C08K3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D15/02 ,  C25D21/12 ,  G01B5/06 ,  G01B5/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: Some embodiments of the present invention provide processes and apparatus for electrochemically fabricating multilayer structures (98) (e.g. mesoscale or microscale structures) with improved endpoint detection and parallelism maintenance for materials (e.g. layers) that are planarized during the electrochemical fabrication process. Some methods involve the use of a fixture during planarization that ensures that planarized planes of material are parallel to other deposited planes within a given tolerance. Some methods involve the use of an endpoint detection fixture (292, 294, 296, 298) that ensures precise heights of deposited materials relative to an initial surface of a substrate (82), relative to a first deposited layer, or relative to some other layer formed during the fabrication process. In some embodiments planarization may occur via lapping while other embodiments may use a diamond fly cutting machine (408).

Abstract translation: 本发明的一些实施例中用于制造电化学多层结构（E. G.尺度或微米结构）具有改进的终点检测和并行维护材料（E. G.层）没有被在电化学制造工艺平坦化提供的方法和装置。 一些方法涉及平整过程中使用夹具确实保证没有材料的平坦化面给定的公差范围内平行于其他存放图。 一些方法涉及使用终点检测器具的那样沉积的材料相对的保证了精确的高度，以一个基底，相对于第一沉积层，或相对于在制造过程中形成的一些其他层的初始表面上。 在一些实施例中的平坦化可以通过研磨而其它实施例可以使用金刚石飞切机好发。

公开(公告)号：EP1869528A1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：EP05845202.0

申请日：2005-11-18

Applicant: Touchdown Technologies, Inc.

Inventor： TANG, Weilong ,  HSU, Tseng-Yeng ,  ISMAIL, Salleh ,  TEA, Nim, Hak ,  KHOO, Melvin, B. ,  GARABEDIAN, Raffi ,  NAMBURI, Lakshmikanth

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B81C1/00436 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0197

Abstract: The present invention relates to a process for forming microstructures on a substrate. A plating surface is applied to a substrate. A first layer of photoresist is applied on top of the plating base. The first layer of photoresist is exposed to radiation in a pattern to render the first layer of photoresist dissolvable in a first pattern. The dissolvable photoresist is removed and a first layer of primary metal is electroplated in the area where the first layer of photoresist was removed. The remainder of the photoresist is then removed and a second layer of photoresist is then applied over the plating base and first layer of primary metal. The second layer of photoresist is then exposed to a second pattern of radiation to render the photoresist dissolvable and the dissolvable photoresist is removed. The second pattern is an area that surrounds the primary structure, but it does not entail the entire substrate. Rather it is an island surrounding the primary metal. The exposed surface of the secondary metal is then machined down to a desired height of the primary metal. The secondary metal is then etched away.

公开(公告)号：EP1518822A3

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：EP04015983.2

申请日：2002-12-06

Applicant: Microfabrica Inc.

Inventor： Bang, Christopher A.

IPC: B81C5/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0197 ,  H01P3/08 ,  H01P11/003

Abstract: The invention concerns various embodiments directed to various microdevices, including sensors, actuators, valves, scanning mirrors, accelerometers, switches, and the like. In some embodiments the devices are formed via electrochemical fabrication (EFAB tm ).
In particular, the invention concerns a microdevice comprising an electrostatically actuated micro-mirror scanning system comprising contoured electrodes that allow a reduced drive voltage without hindering mirror movement.

公开(公告)号：EP1015669A1

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：EP98914464.7

申请日：1998-04-03

Applicant: University of Southern California

Inventor： COHEN, Adam, L.

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/10

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.

Abstract translation: 一种电镀方法，其包括：a）使第一基板与第一制品接触，所述第一制品包括以基板形式设置的基板和适形掩模; b）以第一图案将来自金属离子源的第一金属电镀到所述第一基板上，所述第一图案对应于所述适形掩模图案的所述补体; 和c）从第一基底去除第一制品。 还公开了电镀制品和电镀装置。

公开(公告)号：KR1020130103715A

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：KR1020137005069

申请日：2011-08-01

Applicant: 소니 주식회사 ,  소니 디에이디씨 오스트리아 에이쥐

Inventor： 펄먼게르다 ,  넬레스가브리엘 ,  로셀리실비아 ,  크노르니콜라우스 ,  파리스알프레드 ,  카우프만마리아 ,  바우어게오르그

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B1/00 ,  B01L3/502707 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/161 ,  B05D1/62 ,  B81C1/00206 ,  B81C3/00 ,  B81C2201/0197 ,  C08J7/04 ,  C08J7/047 ,  C08J7/06 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  C23C16/045 ,  Y02P20/582 ,  Y10T156/10

Abstract: 본 발명은 유리형 표면, 특히 식각 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판, 및 적어도 하나의 상기 폴리머 기판으로 제조된 칩에 관한 것이다. 본 발명은 또한 식가 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판을 제공하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 폴리머 기판을 이용한 칩의 제조를 위한 키트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 유리형 표면, 특히 식각 유리형 표면을 갖는 폴리머 기판의 칩 제조를 위한 용도에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有玻璃状表面，特别是蚀刻玻璃状表面的聚合物基材和由至少一种这样的聚合物基材制成的芯片。 本发明还涉及提供具有蚀刻玻璃状表面的聚合物基材的方法。 此外，本发明涉及使用这种聚合物基材制造芯片的套件。 此外，本发明涉及具有玻璃状表面的聚合物基材，特别是用于制造芯片的蚀刻玻璃状表面的用途。

公开(公告)号：KR1020080091140A

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：KR1020087016893

申请日：2006-12-19

Applicant: 폼팩터, 인코포레이티드

Inventor： 매티유개탄엘 ,  팡트렐리안트 ,  홉스에릭디

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: Systems and methods for depositing a plurality of droplets in a three-dimensional array are disclosed. The array can comprise a first type of droplets disposed to form a support structure and a second type of droplets forming a conductive seed layer on the support structure. A structure material can be electrodeposited onto the seed layer to create a three-dimensional structure.

Abstract translation: 公开了用于在三维阵列中沉积多个液滴的系统和方法。 阵列可以包括设置成形成支撑结构的第一类型的液滴和在支撑结构上形成导电种子层的第二类型的液滴。 可以将结构材料电沉积到种子层上以产生三维结构。

公开(公告)号：KR101635126B1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：KR1020157004232

申请日：2013-07-18

Applicant: 오스람 오엘이디 게엠베하

Inventor： 랑,에르빈 ,  로이쉬,틸로 ,  슈밤프,필리프

IPC: H01L23/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/5253 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  C23C16/45529 ,  H01L23/564 ,  H01L51/448 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H05K5/065 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/13 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은, 다양한실시예들에서, 하나이상의 ALD 전구체(302) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(302)가커버된제 1 캐리어(102); 및제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302) 및/또는 MLD 전구체(302)에상보적인하나이상의 ALD 전구체(304) 및/또는하나이상의 MLD 전구체(304)가커버된제 2 캐리어(104)를포함하며, 제 1 캐리어(102)는제 1 캐리어(102)의 ALD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 ALD 전구체(304) 사이에서또는제 1 캐리어(102)의 MLD 전구체(302)와제 2 캐리어(104)의 MLD 전구체(304) 사이에서원자결합(118)에의해제 2 캐리어(104)에적어도부분적으로결합되어 ALD 층(118) 또는 MLD 층(118)이형성되는, 장치에관한것이다.

Abstract translation: 装置可以包括覆盖有至少一个ALD前体和/或至少一个MLD前体的第一载体，以及覆盖有至少一个ALD前体和/或与ALD互补的至少一个MLD前体的第二载体 前体和/或第一载体的MLD前体。 第一载体至少部分地通过第一载体的ALD前体与第二载体的ALD前体之间的原子键或第一载体的MLD前体与第二载体的MLD前体之间的原子键连接在第二载体上 这样形成ALD层或MLD层。

公开(公告)号：KR1020060130629A

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020067015149

申请日：2005-01-03

Applicant: 마이크로패브리카 인크.

Inventor： 쿠마르,아나다,에이치. ,  코헨,아담,엘. ,  로카르드,마이클,에스.

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: Some embodiments of the present invention provide processes and apparatus for electrochemically fabricating multilayer structures (98) (e.g. mesoscale or microscale structures) with improved endpoint detection and parallelism maintenance for materials (e.g. layers) that are planarized during the electrochemical fabrication process. Some methods involve the use of a fixture during planarization that ensures that planarized planes of material are parallel to other deposited planes within a given tolerance. Some methods involve the use of an endpoint detection fixture (292, 294, 296, 298) that ensures precise heights of deposited materials relative to an initial surface of a substrate (82), relative to a first deposited layer, or relative to some other layer formed during the fabrication process. In some embodiments planarization may occur via lapping while other embodiments may use a diamond fly cutting machine (408).

Abstract translation: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（98）（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测固定装置（292,294,296,298），其相对于第一沉积层相对于衬底（82）的初始表面或相对于某些其它材料确保沉积材料的精确高度 在制造过程中形成的层。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机（408）。

公开(公告)号：WO2018072820A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：PCT/EP2016/075037

申请日：2016-10-19

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： HERZOGENRATH, Benny Pekka

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/0197

Abstract: Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat mit einer Haupterstreckungsebene und mit einer sich im Wesentlichen parallel zu der Haupterstreckungsebene erstreckenden ersten funktionalen Schicht und mit einer auf der dem Substrat abgewandten Seite der ersten funktionalen Schicht angeordneten Opferschicht und mit einer auf der dem Substrat abgewandten Seite der Opferschicht angeordneten zweiten funktionalen Schicht vorgeschlagen, wobei die Opferschicht derart strukturiert ist, dass ein linienförmiger im Wesentlichen parallel zu der Haupterstreckungsebene zwischen einem ersten Bereich der Opferschicht und einem zweiten Bereich der Opferschicht verlaufender Kontakt senkrecht zu der Haupterstreckungsebene zwischen der ersten funktionalen Schicht und der zweiten funktionalen Schicht hergestellt ist, wobei die zweite funktionale Schicht derart strukturiert ist, dass mithilfe eines Ätzfluids der erste Bereich der Opferschicht zumindest teilweise entfernbar ist.

Abstract translation:

这是具有一个主延伸平面和与基本上平行于所述第一功能层的主延伸平面和与在基板侧从所述第一功能层背向布置牺牲层的衬底的微机械部件，并与 提出了在牺牲层的所述基板侧的相反侧配置第二功能层，其中所述牺牲层被构造为使得一个linienf＆oUML; WAVY基本上牺牲层的第一区域和所述牺牲层接触的垂直于所述第二区域之间平行延伸到所述主延伸平面 在第一功能层和第二功能层之间形成主延伸平面，其中第二功能层被构造成使得使用蚀刻流体，牺牲层的第一区域至少部分地去除 r是。