公开(公告)号：CN100509672C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510030735.X

申请日：2005-10-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 王廷云 ,  卢军 ,  王克新

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/025 ,  C03C25/10

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C03B37/01838 ,  C03B37/01853 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/58

Abstract: 本发明述及一种纳米量子点光纤及其制作方法。本纳米量子点光纤纤芯、包层和保护层组成，纤芯材料是由纯石英掺杂少量增大折射率的GeO2、P2O5和具有放大效应的半导体PbS纳米材料组成，包层材料为纯石英材料，保护层材料由纯石英反应管构成。其制造方法是：①采用MCVD工艺制作来烧结多孔的纤芯反应管；②采用sol-gel法制备半导体量子点材料；③采用溶胶浸泡法制备量子点纤芯预制棒；④采用低温工艺拉制纳米量子点光纤。可以用较短(厘米级)的本光纤实现光信号放大。本光纤具有宽带特性，是已有的掺铒光纤带宽的2～5倍。可广泛应用于光纤放大器、光纤激光器、光调制器等器件，应用于光纤传感领域的光纤温度、压力传感器等的测量。

公开(公告)号：CN100503493C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN02820401.8

申请日：2002-10-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 中村肇宏 ,  相曾景一 ,  八木健 ,  小相泽久 ,  森合阳子

IPC: C03B37/014 ,  C03B8/00 ,  C03C3/095 ,  H01S3/06

CPC classification number: H01S3/06716 ,  C03B37/01433 ,  C03B37/0148 ,  C03B37/01493 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/36 ,  C03C13/045 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种以其增益系数波长谱处的最大半幅值的全宽度在45nm以上，且功率转换效率的最大值在80%以上的光放大用纤维。把石英类玻璃微粒与共添加剂(a)沉积以得到掺杂了所述共添加剂(a)的石英类玻璃微粒聚集体的第1沉积工序和把上述第1工序得到的玻璃微粒聚集体浸渍于含有稀土类元素和共添加剂(b)的溶液中以使在所述玻璃微粒聚集体中包含有所述稀土类元素成分和所述共添加剂(b)的第2浸渍工序的用于制造所述光纤的稀土类元素掺杂玻璃的制造方法。

公开(公告)号：CN101441296A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810209783.9

申请日：2008-12-25

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 苑立波 ,  张涛 ,  杨军

IPC: G02B6/02 ,  C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C03B37/02781 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/36 ,  C03B2203/16 ,  C03B2205/10

Abstract: 本发明提供的是一种具有波导层掺杂型毛细管光纤及其制作方法。包括高纯石英基管，在高纯石英基管的内侧有掺杂稀土材料的光波导层，在高纯石英基管与光波导层之间有阻挡层，中间有中心空气孔，掺杂稀土材料的光波导层沉积在阻挡层的表面，其中阻挡层的折射率略小于高纯石英基管的折射率，波导层的折射率大于高纯石英基管折射率，阻挡层是由掺杂F和P离子的透明合成石英材料构成，波导层由掺杂Ge、Er、Al离子的透明合成石英材料构成。本发明拓宽了毛细管光纤的种类，特别对具有掺杂稀土材料波导层结构的毛细管光纤制备方法而言，大大提高了光纤的制备效率，可用于构造新型光纤传感器和光纤激光器、放大器及相关器件等。

公开(公告)号：CN100336753C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN03815052.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： J·D·福斯特 ,  D·W·霍托夫 ,  C·L·莱西 ,  Y·L·彭 ,  D·R·鲍尔斯 ,  J·L·塔普勒 ,  H·B·马修斯 ,  D·米奇斯考夫斯基 ,  R·A·奎恩 ,  W·J·瓦尔扎克

IPC: C03B37/027

CPC classification number: C03B37/02718 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2205/40 ,  C03B2205/42 ,  C03B2205/56 ,  C03B2205/82 ,  C03B2205/90 ,  C03B2205/91 ,  Y02P40/57

Abstract: 公开了一种形成光纤的方法，该方法包括由玻璃预制棒以高拉丝速度(例如优选是＞10m/s)拉丝出光纤，对该光纤进行处理(退火或缓慢冷却)如下：将光纤保持在一处理温度范围内一段较短的处理时间(例如＜0-5秒)。优选是，光纤以特定的冷却速率(＞830℃/s但＜4000℃/s)进行冷却。该光纤处理能降低由瑞利散射造成的光纤衰减增加的趋势，和/或降低光纤在形成之后由热老化造成的随时间衰减增加的趋势。还提供了设备，它包括紧挨着拉丝炉出口下游的马弗炉或热老化管，优选是马弗炉或热老化管与拉丝炉相连并密封，以防环境空气进入。还公开了供气装置，例如向拉丝炉提供氦气(He)，向马弗炉或热老化管提供另一种气体(如Ar和N2)用来退火或缓慢冷却经拉丝光纤。

公开(公告)号：CN101025457A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610105816.6

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李皓镇 ,  金镇汉 ,  都文显 ,  成在铉 ,  金允镐

IPC: G02B6/00 ,  C03B37/018

CPC classification number: C03B37/0142 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/50

Abstract: 一种用于制造烟黑预型体的装置，其中所述烟黑预型体包括芯体和包覆层。所述装置包括：包括主喷嘴的芯体燃烧器，所述主喷嘴具有多个管子以及通过以同轴方式排列所述多个管子而形成的多个端口，所述主喷嘴通过所述端口喷射包括形成玻璃的材料的原材料，以形成所述烟黑预型体的芯体；以及包覆层燃烧器，所述包覆层燃烧器包括多个管子以及通过以同轴方式排列所述多个管子而形成的多个端口，以通过所述端口喷射包括形成玻璃的材料的原材料，从而形成所述烟黑预型体的包覆层。所述芯体燃烧器进一步包括配置在所述主喷嘴一侧的辅助喷嘴，并且具有多个管子以及以同轴方式排列所述多个管子而形成的多个端口。所述辅助喷嘴通过所述端口喷射包括折射率控制材料的原材料，从而可控制所述芯体与所述包覆层之间的边界区域的折射率。

公开(公告)号：CN1301925C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03815238.X

申请日：2003-06-27

Applicant: 利基有限公司

Inventor： K·扬卡 ,  M·拉亚拉

IPC: C03B8/04 ,  C03B37/014

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C03B19/106 ,  C03B19/1415 ,  C03B37/01413 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03B2207/32

Abstract: 本发明涉及一种制备掺杂氧化物材料方法，在这种方法中，基本上所有形成该氧化物材料的反应物(B，D)是在气相中以蒸汽还原形式，并且此后彼此反应以形成氧化物颗粒(P)。根据本发明，所述蒸汽形式的反应物(B，D)和还原形式的一起混合成反应物的气流(BD)，该气流(BD)更进一步用这样一种方式快速冷凝从而使该反应物(B，D)部分的基本上所有组分达到过饱和状态，基本上同时通过这样一种方式形成氧化物颗粒(P)从而没有时间达到化学相平衡。

公开(公告)号：CN1289421C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03128323.3

申请日：2003-07-14

Applicant: 烽火通信科技股份有限公司

Inventor： 尹红兵 ,  李诗愈 ,  李进延 ,  李海清 ,  蒋作文 ,  陈伟 ,  刘学军

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  C03B20/00 ,  C03C13/04 ,  G02B6/00

CPC classification number: C03B37/01823 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03B2207/20

Abstract: 本发明涉及一种掺稀土光纤的工艺制造方法。这种工艺采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积掺杂的二氧化硅层。反应所需的稀土化合物及其它共掺杂剂蒸气采用气柜和高温流量计进行蒸发和控制。这种方法由于采用了蒸发器将各种掺杂剂(稀土化合物及共掺杂剂)如同在制造常规光纤时的四氯化硅、四氯化锗一样直接输送到反应管内，进行直接沉积，避免了溶液法引入的污染，而且保证了掺杂的均匀性。

公开(公告)号：CN1633398A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03802844.1

申请日：2003-08-20

Applicant: LG电线有限公司

Inventor： 张基完 ,  朴来赫 ,  李赞柱

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01853 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明公开了一种利用MCVD法制造光纤预型体，包括脱水和脱氯步骤的方法，该方法根据折射率分布采用不同组分的粉尘生成气体重复以下工序，所述工序包括：通过将粉尘形成气和氧气一同导入沉积管内，于低于粉尘烧结的温度下在沉积管内表面形成带孔隙的粉尘层；将脱水气体导入沉积管内，以脱去粉尘层内的羟基，同时保留粉尘层内的孔隙；将脱氯气体导入沉积管内而除去粉尘层内的氯杂质，同时保留粉尘层内的孔隙；在高于粉尘烧结温度下加热沉积管而烧结粉尘层。

公开(公告)号：CN1598629A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410056051.2

申请日：2004-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴成国 ,  金成珍

IPC: G02B6/00 ,  C03B37/012

CPC classification number: G02B6/03611 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/01466 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01815 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2207/50 ,  G02B6/03627

Abstract: 一种低耗光纤，包括：芯层，所述芯层包括具有纯二氧化硅并安置在低耗光纤的中心的内芯部分和围绕内芯部分并包括掺有折射率控制材料的二氧化硅的外芯部分，以及用于围绕所述芯部的包层。

公开(公告)号：CN1566006A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN200310120601.8

申请日：2003-12-15

Applicant: 菲特尔美国公司

Inventor： 戴维·J·迪格奥万尼 ,  罗伯特·S·温德勒

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  C03C13/04 ,  C03C3/06 ,  G02B6/16 ,  G02B6/22

CPC classification number: C03C13/00 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01853 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31

Abstract: 将用MCVD制作的氧化硅碳黑层，在高压下曝露在含氟气体中来提高MCVD预制件中槽层的氟掺杂。此高压曝露工艺被合并入MCVD工艺中。