Dispositif optique intégré pour la mesure d'indice de réfraction d'un fluide
    51.
    发明公开
    Dispositif optique intégré pour la mesure d'indice de réfraction d'un fluide 失效
    Integrierte Optikvorrichtung zur Messung des Brechungsindex einerFlüssigkeit。

    公开(公告)号:EP0367675A1

    公开(公告)日:1990-05-09

    申请号:EP89403018.8

    申请日:1989-11-02

    CPC classification number: G02B6/12004 G01J2009/023 G01N21/45 G01N2201/0873

    Abstract: Ce dispositif comprend (a) un guide de lumière (2) formé sur un substrat (4) et comportant une couche guidante (8) destinée à véhiculer des faisceaux lumineux, intercalée entre une couche inférieure (6) et une couche supérieure ayant des indices de réfraction inférieurs à celui de la couche guidante, (b) une zone de mesure d'interaction (32) du guide de lumière destinée à être au contact du fluide (31), la couche supérieure au niveau de la zone de mesure présentant une épaisseur inférieure à la distance de pénétration de l'onde évanescente du faisceau lumineux guidé et en dehors de cette zone d'in­teraction une épaisseur supérieure à ladite distance de pénétration de cette même onde évanescente, et (c) un système optique du type interféromètre, formé au moins en partie dans le guide de lumière et comportant un circuit optique de référence (22, 26, 30) et un cir­cuit optique de mesure (22, 32, 34) incluant la zone de mesure, pour mesurer le déphasage introduit par un changement d'indice effectif du mode guidé dû au fluide.

    Abstract translation: 该装置包括:(a)形成在基板(4)上并包括用于承载光束的引导层(8)的光导(2),其被插入在下层(6)和具有折射率 它们小于引导层的位置,(b)用于测量光导的相互作用(32)的区域,该区域旨在与流体(31)接触,上层在该位置处 测量区域的厚度小于被引导的光束的消逝波的穿透距离,并且在该相互作用区域之外的厚度超过该相同ev逝波的穿透距离,以及(c)干涉仪的光学系统 类型,至少部分地形成在光导中,并且包括参考光学电路(22,26,30)和包括测量区域的测量光学电路(22,32,34),以测量由变化引入的相移 有效指标的指标 ed模式由于流体。 ... ...

    Semiconductor Device for Detecting Fluorescent Particles

    公开(公告)号:US20170082544A1

    公开(公告)日:2017-03-23

    申请号:US15312116

    申请日:2015-05-22

    Applicant: IMEC VZW

    Abstract: The present disclosure relates to semiconductor devices for detecting fluorescent particles. At least one embodiment relates to an integrated semiconductor device for detecting fluorescent tags. The device includes a first layer, a second layer, a third layer, a fourth layer, and a fifth layer. The first layer includes a detector element. The second layer includes a rejection filter. The third layer is fabricated from dielectric material. The fourth layer is an optical waveguide configured and positioned such that a top surface of the fourth layer is illuminated with an evanescent tail of excitation light guided by the optical waveguide when the fluorescent tags are present. The fifth layer includes a microfluidic channel. The optical waveguide is configured and positioned such that the microfluidic channel is illuminated with the evanescent tail. The detector element is positioned such that light from activated fluorescent tags can be received.

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