公开(公告)号：CN103038708A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037433.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰有限公司

Inventor： N·贝尔 ,  U·勒尔林 ,  O·纳特 ,  G·维蒂希 ,  T·劳弗尔 ,  P·屈尔兹 ,  G·林巴赫 ,  S·亨巴赫尔 ,  H·沃尔特 ,  Y-B-P·关 ,  M·豪夫 ,  F-J·施蒂克尔 ,  J·凡舒特

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/7015 ,  B82Y10/00 ,  G02B3/00 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G02B7/1815 ,  G02B17/0647 ,  G02B27/0043 ,  G03B27/542 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70825 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种EUV光刻投影曝光系统的投影透镜，具有至少两个反射光学元件，每个反射光学元件包括主体和反射表面，用于在以EUV光的曝光功率对投影透镜曝光时，将分划板上的物场投影到衬底上的像场上，其中至少两个反射光学元件的主体包括具有与温度相关的热膨胀系数的材料，热膨胀系数在相应的零交叉温度处为零，并且其中零交叉温度之间的差异的绝对值大于6K。

公开(公告)号：CN102981201A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210518419.7

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN101390172B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780006165.8

申请日：2007-02-08

Applicant: 株式会社堀场制作所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 中泽弘基 ,  吉川英树 ,  米哈伊·沃莱库·奥莱勒 ,  大堀谦一 ,  驹谷慎太郎 ,  大泽澄人

IPC: G21K1/02 ,  H05G1/00 ,  G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种X射线聚焦元件及具有该X射线聚焦元件的X射线照射装置，能延长从射出侧开口端至被检查体的作动距离，而且，不论被检查体的大小如何都能对被检查体进行分析即荧光X射线分析和X射线衍射分析。X射线屏蔽构件(23)从与射入侧开口端的口径(毛细管(20)外径)大致相同口径的环形构件(232)向环形构件(23)中心设置支承X射线屏蔽构件的三根支承构件(233)，将环形构件(232)固定于毛细管(20)。环形构件(232)、支承构件(233)、X射线屏蔽构件(23)用钽、钨、钼等对X射线进行屏蔽的金属通过一体成形而形成。X射线屏蔽构件(23)的轴向尺寸(厚度)设定成足以屏蔽X射线的尺寸。

公开(公告)号：CN102576142A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038441.0

申请日：2010-08-27

Applicant: 欧洲空间局

Inventor： 马科斯·巴维达斯

IPC: G02B7/182

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067 ,  Y10T156/1002

Abstract: 本发明涉及用于装配包含多个镜板10和基板13的镜板叠层30的方法，其中所述多个镜板堆叠于所述基板上。而且，本发明涉及将两个或多个镜板叠层装配成刚性单元的方法。为了提高所述镜板的装配精确度，建议所述方法包括以下步骤：提供基板13，且第一镜板安装至所述基板；提供具有第二镜板的搬运工具；将间隔装置提供至所述第二镜板的第一表面；定位所述包含第二镜板的搬运工具以将所述第二镜板与所述第一镜板对准，所述第二镜板有间隔装置，其中所述第二镜板被相对于所述第一镜板基于所述第一镜板的测量的位置和形状对准，以补偿所述第一镜板的测量的位置和形状自所述第一镜板的预定的位置和形状的偏差；通过将所述间隔装置结合至所述第一镜板将所述第二镜板连接到所述第一镜板，其中所述间隔装置决定了第一镜板和第二镜板之间的预定的距离；通过自所述连接的第二镜板移走所述搬运工具暴露所述第二镜板的第二表面；和在所述第二表面已经被暴露后测量所述连接的第二镜板的位置和形状。

公开(公告)号：CN1829910B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200480021932.9

申请日：2004-06-02

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武 ,  沃尔特·吉布森

IPC: G01N23/00 ,  G01N23/223

CPC classification number: G01N23/02 ,  G01N23/06 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 用于将样品曝露到高能辐射的紧凑、低功耗系统和方法，例如将样品曝露到用于实现X射线吸收近边缘分析(XANES)的X射线。该系统和方法包括一个低功耗的辐射源，例如一个X射线管；一个或多个用于对指向被分析样品的辐射能量加以导向和改变的可调节晶体光学部件；以及一个用于探测由该样品发射的辐射的辐射探测器件，例如一个X射线探测器。这一个或多个可调节晶体光学部件可以是双重弯曲晶体光学部件。该系统的部件可以被排列在同一条直线上。所公开的系统和方法特别适用于XANES分析，例如生物过程中铬或其他过渡金属的化学状态的分析。

公开(公告)号：CN101960338A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106463.3

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN101558454A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780046503.0

申请日：2007-11-16

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种用于接收和重定向X射线的衍射X射线光学器件。该光学器件包括至少两个层，所述层具有类似的或不同的材料组成和类似的或不同的晶体取向。所述层中的每一个显示出衍射效应，且它们的整体效应对所接收的X射线上提供衍射效应。在一个实施例中，所述层为硅，且采用绝缘体上硅键合技术将所述层键合到一起。在另一实施例中，可以采用粘结键合技术。该光学器件可以为曲面、单色光学器件。

公开(公告)号：CN1969372A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580020010.0

申请日：2005-06-22

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 村上胜彦

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H05G2/00

CPC classification number: G03F7/70033 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/008

Abstract: 本发明的目的是提供一种EUV光源、EUV曝光装置及半导体元件的制造方法。在被加热的容器(4)内，收纳有使Sn固体微粒在树脂中分散的液体。由加压泵进行加压的树脂被导向喷嘴(1)，并从真空室(7)内所设置的喷嘴(1)的顶端喷出液体状的树脂。从喷嘴(1)所喷出的液体状的液体由表面张力而形成球形的形状，并在真空中被冷却而固化，形成固体状的标靶(2)。在真空室(7)内设置有激光光导入用的激光导入窗(10)，且从真空室(7)的外面所配置的激光光源(8)产生的激光光，由透镜(9)被聚光并导向真空室(7)内，将标靶等离子化而产生EUV光。

公开(公告)号：CN1829910A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021932.9

申请日：2004-06-02

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武 ,  沃尔特·吉布森

IPC: G01N23/00 ,  G01N23/223

CPC classification number: G01N23/02 ,  G01N23/06 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 用于将样品曝露到高能辐射的紧凑、低功耗系统和方法，例如将样品曝露到用于实现X射线吸收近边缘分析(XANES)的X射线。该系统和方法包括一个低功耗的辐射源，例如一个X射线管；一个或多个用于对指向被分析样品的辐射能量加以导向和改变的可调节晶体光学部件；以及一个用于探测由该样品发射的辐射的辐射探测器件，例如一个X射线探测器。这一个或多个可调节晶体光学部件可以是双重弯曲晶体光学部件。该系统的部件可以被排列在同一条直线上。所公开的系统和方法特别适用于XANES分析，例如生物过程中铬或其他过渡金属的化学状态的分析。

公开(公告)号：CN1246858C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02816193.9

申请日：2002-06-18

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武 ,  戴维·M·吉布森

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G01N23/223 ,  G01N2223/076 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/064

Abstract: 本发明提供X射线荧光(XRF)光谱测定系统和方法。XRF系统(100)包括X射线辐射源(110)、和布置在X射线辐射源(110)和试样(130)之间的激励光学器件(120)、以便收集来自所述辐射源的X射线辐射，并将X射线辐射聚焦到试样上的一个焦点，以引起试样中至少一种被分析物发出荧光。该系统(100)还包括X射线探测仪(150)，和收集光学器件(140)。收集光学器件包括至少一个双曲衍射光学器件，该双曲衍射光学器件布置在试样和X射线探测仪之间，以便收集来自试样上的焦点处的X射线荧光，并将荧光X射线导向至少一个X射线探测仪。