公开(公告)号：CN105280263A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510442291.4

申请日：2015-07-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手岛隆行 ,  冈有纱

IPC: G21K1/06 ,  H05H1/46 ,  G01N23/04

CPC classification number: A61B6/484 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4035 ,  C25D5/02 ,  G21K1/062 ,  G21K1/067 ,  G21K1/10 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067 ,  G21K2207/005

Abstract: 结构体，其包括：具有多个凹部的硅基板，每个凹部具有底部和侧壁；硅化物层，每个硅化物层与凹部的底部接触；和包括金属部的金属结构体，每个金属部设置在凹部中并且与硅化物层接触。通过硅基板将硅化物层彼此电连接。

公开(公告)号：CN105027257A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480010996.2

申请日：2014-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏梅德拉·N·巴曼 ,  卡拉·比斯利 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  妮琴·K·英吉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F7/164 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板；该基板之上的平坦化层；该平坦化层之上的超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；多层堆叠物；以及该多层堆叠物之上的覆盖层。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，用于导引来自该极紫外线光源的光；中间掩模台，用于置放带有平坦化层和在该平坦化层之上的超平滑层的极紫外线掩模坯料；以及晶片台，用于置放晶片。

公开(公告)号：CN104011568A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064971.1

申请日：2012-11-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.劳夫 ,  H.费尔德曼 ,  M.莱

IPC: G02B5/09 ,  G21K1/06 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7015 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/09 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70316 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。

公开(公告)号：CN101946208B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980105684.9

申请日：2009-02-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 小野元司 ,  渡边满 ,  伊藤正文

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  B82Y10/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  C03C23/0025 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明提供一种使EUVL用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面平滑的方法。本发明涉及一种使EUVL用光学部件的光学表面平滑的方法，其包括：用波长为250nm以下的准分子激光以0.5～2.0J/cm2的能量密度照射EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面，所述光学部件由包含SiO2作为主要成分的含TiO2的石英玻璃材料制成。

公开(公告)号：CN103547945A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024078.6

申请日：2012-05-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  P.休伯 ,  S.米兰德 ,  G.冯布兰肯哈根

IPC: G02B1/10 ,  G02B5/08 ,  G02B27/00 ,  G02B19/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2008 ,  B82Y10/00 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  Y10T428/265

Abstract: 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。

公开(公告)号：CN103125010A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180035495.6

申请日：2011-05-19

Applicant: 埃里克·H·西尔弗 ,  杰拉尔德·奥斯汀 ,  大卫·考德威尔 ,  林婷

Inventor： 埃里克·H·西尔弗 ,  杰拉尔德·奥斯汀 ,  大卫·考德威尔 ,  林婷

IPC: H01J35/18 ,  H01J35/02 ,  G21K1/00

CPC classification number: G21K1/00 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/067

Abstract: 根据一些方面，提供了一种混合型光学元件。该混合型光学元件包括：毛细管光学元件，其用于在毛细管光学元件的入口部分处接收来自X射线源的X射线以及在毛细管光学元件的出口部分处提供X射线；以及掠入射多壳式光学元件（GIMSO），其在GIMSO的入口部分处耦合到毛细管光学元件的出口部分以接收从毛细管光学元件的出口部分出来的X射线，GIMSO包括用于提供X射线的出口部分。

公开(公告)号：CN102214493B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110159369.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 乐孜纯 ,  董文

IPC: G21K1/06

CPC classification number: B23P17/04 ,  G02B27/62 ,  G21K1/065 ,  G21K2201/067 ,  Y10T29/49885

Abstract: 一种金属材料抛物面型二维聚焦X射线组合折射透镜的制作方法，包括以下步骤：(1)金属材料抛物面型二维聚焦X射线组合折射透镜的母镜的制作步骤；(2)金属材料抛物面型二维聚焦X射线组合折射透镜的子镜的制作步骤；(3)金属材料抛物面型二维聚焦X射线组合折射透镜的组装步骤：将制成的母镜和子镜置于显微镜下，发现并夹住子镜的夹持臂，将子镜的嵌入镜体对准母镜的正方形孔，第一抛物线形和第二抛物线形相互呈正交结构，子镜上的n个嵌入镜体与母镜上的n个正方形孔一一对应，嵌入并轻轻压紧，完成金属材料抛物面型二维聚焦X射线组合折射透镜的制作。本发明制作工艺精度高、得到的透镜光轴可高精度自校准、聚焦效率高。

公开(公告)号：CN102057332A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121967.2

申请日：2009-05-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： R·施密特兹 ,  T·范埃姆派尔 ,  M·姆伊特詹斯 ,  程伦 ,  F·詹森 ,  W·范海尔登 ,  R·沃思鲁伊斯 ,  P·斯加里曼 ,  A·莱克斯蒙德 ,  E·尼埃乌库普 ,  B·伯特斯 ,  M·莱蒙 ,  R·范德格拉夫 ,  M·德克鲁恩 ,  H·维尔苏伊斯

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70891 ,  G02B7/008 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/709 ,  G03F7/70983 ,  G21K2201/067

Abstract: 提供一种用于热调节光学元件的方法，所述方法包括：用辐射照射光学元件的步骤；不用辐射照射所述光学元件的步骤；在所述光学元件和保持在调节流体储存器内的调节流体之间实现热流动；和提供所述调节流体的流体流动，以提供热调节后的流体至所述储存器。所述流体在所述光学元件的照射期间的流量低于所述光学元件不被照射时所述流体的流量。

公开(公告)号：CN1657462B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200510052574.4

申请日：2005-02-21

Applicant: 肖特股份有限公司

Inventor： I·米特拉 ,  J·阿尔坎珀

IPC: C03C10/14

CPC classification number: C03C10/0027 ,  C03C10/0036 ,  C03C15/02 ,  C03C19/00 ,  C03C23/005 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及具有很低或很小的平均热膨胀以及良好抛光性和加工性的新型玻璃陶瓷，涉及根据本发明的玻璃陶瓷的应用和涉及由该玻璃陶瓷制造的光学组件。特别是，提供了含有下列组分的(基于氧化物的重量％)玻璃陶瓷：SiO2Al2O3P2O550-7017-323-12Li2ONa2OK2O2.5-50-20-2MgOCaOBaOSrO0-20.1-40-＜10-2ZnOTiO2ZrO20-41.5-50-2.5。

公开(公告)号：CN101952900A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105199.1

申请日：2009-02-09

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·博伊默 ,  K·J·恩格尔 ,  C·赫尔曼

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K2201/067 ,  G21K2207/005

Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器(30)，其包括敏感元件(Pi-1，b，Pia，Pib，Pi+1，a，Pi+1，b)的阵列和在两个不同的敏感元件前方以不同的相位和/或周期设置的至少两个分析器光栅(G2a，G2b)。优选地，所述敏感元件被组织为例如四个相邻的敏感元件的宏像素(IIi)，其中相互具有不同相位的分析器光栅设置在所述敏感元件前面。特别地，将探测器(30)应用于X射线设备(100)以生成相位对比图像，这是由于X射线设备允许对由其在不同位置同时生成的强度图样(I)进行采样。