公开(公告)号：CN101279732A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810091138.1

申请日：2008-04-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金润珍 ,  金载明 ,  文希诚

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/30

Abstract: 一种碳纳米管混合体系包括：通过使碳化物化合物与含卤族气体反应以提取除碳之外的该碳化物化合物的元素而形成的碳化物衍生碳；支撑在该碳化物衍生碳上或保留在碳化物衍生碳中的金属；以及从提供的碳源生长在该碳化物衍生碳上的碳纳米管。制备碳纳米管混合体系的方法包括制备碳化物衍生碳，从其提取元素，以及从该碳化物衍生碳生长碳纳米管。该碳纳米管混合体系具有优良的均匀性和长寿命。一种具有改善的电子发射属性的电子发射器与使用常规碳纳米管相比能使用碳纳米管混合体系便宜地制备。具有优良电子发射属性的电子发射装置能使用该电子发射器制备。

公开(公告)号：CN100396602C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410054949.6

申请日：2004-07-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  崔浚熙

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。

公开(公告)号：CN101189372A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680013909.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 斯莫特克有限公司

Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC: D01F9/127 ,  D01F9/08 ,  H01J37/30 ,  H01J1/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/26 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/31786 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。

公开(公告)号：CN101171658A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680015273.7

申请日：2006-05-05

Applicant: 毫微-专卖股份有限公司

Inventor： 茅东升 ,  Z·雅尼弗 ,  R·芬克 ,  I·帕弗罗夫斯基

IPC: H01J1/02 ,  H01J1/05 ,  H01J1/14

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469

Abstract: 通过用金属氧化物涂覆碳材料也可以改进场致发射性能。这些金属氧化物有助于降低碳材料的功函，并改善碳材料的场致发射性能的寿命，尤其是在高电流密度下操作时。

公开(公告)号：CN101042971A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610060071.6

申请日：2006-03-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 潜力 ,  刘亮 ,  柳鹏 ,  唐洁 ,  魏洋 ,  范守善

IPC: H01J29/04 ,  H01J29/94 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02 ,  H01J9/39

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/248 ,  H01J31/123 ,  H01J61/26 ,  H01J61/305 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射双面显示光源，其包括第一阳极、与第一阳极相对设置的第二阳极、设置在第一阳极和第二阳极之间的网状阴极、设置在第一阳极、网状阴极和第二阳极之间并使其具有一定间隔的支撑条和封装第一阳极、网状阴极、第二阳极及支撑条的边封体。其中，第一阳极和第二阳极分别包括阳极导电层和设置在阳极导电层上的荧光层。网状阴极包括金属导电网和形成在金属导电网上下表面并与第一阳极和第二阳极的荧光层相对应的电子发射层。电子发射层含有一定量的吸气剂微粒、纳米材料、导电金属微粒和玻璃。本发明还涉及一种制造上述场发射双面显示光源的方法。

公开(公告)号：CN1982210A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610101172.3

申请日：2006-07-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  韩仁泽

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/876

Abstract: 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1305092C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410007790.2

申请日：2004-03-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 教学正文

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种电子发射元件、电子源、图像显示装置，可以抑制异常发光点的出现且无辉斑，显示品质优异。该电子发射元件，具有在基体表面上夹着间隔对置配置的阴极(2)及栅极(3)，在阴极(2)上配置的电子发射膜(5)，其特征在于：电子发射膜(5)，在与基体表面实质上平行的面内且在与阴极(2)和栅极(3)相对置的方向实质上垂直的方向上具有两个端部，且具有在驱动中，在电子发射膜(5)的两个端部的每一个和栅极(3)之间施加的电场强度，比在电子发射膜(5)的两个端部之间的区域和栅极(3)之间施加的电场强度弱的结构。

公开(公告)号：CN1922347A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200480037392.3

申请日：2004-11-30

Applicant: 丹尼尔·E·里萨斯科 ,  皮桑·崇差罗恩基特 ,  何塞·E·埃雷拉 ,  利安德罗·鲍尔詹诺

Inventor： 丹尼尔·E·里萨斯科 ,  皮桑·崇差罗恩基特 ,  何塞·E·埃雷拉 ,  利安德罗·鲍尔詹诺

IPC: D01F9/12

CPC classification number: D01F9/127 ,  B01J21/185 ,  B01J23/6567 ,  B01J23/8896 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C08F10/00 ,  C08J5/005 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/926 ,  H01M4/96 ,  C08F2/44 ,  C08F4/02

Abstract: 本发明是选择性地生产单壁碳纳米管的方法和催化剂。所述催化剂包含铼和族VIII过渡金属，例如Co，其优选被配置在载体材料上，形成催化底物。在所述方法中，在适合的反应条件下将含碳气体暴露于催化底物，借此通过该反应生产的碳纳米管中有较高比例的单壁碳纳米管。

公开(公告)号：CN1282211C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02151997.8

申请日：2002-11-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射装置，其包括碳纳米管阵列，以及位于该碳纳米管阵列上面并与之连成一体的多个碳纳米管束尖端，该尖端具有预定间距，可降低或消除碳纳米管发射元件之间的电场屏蔽效应，降低场发射电压，提高场发射效率。

公开(公告)号：CN1828813A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610057826.7

申请日：2006-03-01

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 冈井诚 ,  宗吉恭彦 ,  矢口富雄 ,  佐佐木进 ,  山崎哲也 ,  石川纯 ,  林伸明

IPC: H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/87 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01J31/127 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/18 ,  H01J29/04 ,  H01J29/467 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种自发光型平面显示装置，阴极电极(CL)、栅极电极(GL)以及聚焦栅极电极(FGL)中的两个电极在同一面上相邻地形成，通过多层层叠设置该电极构造，能减少形成各电极用的印刷工艺的工序数，大幅地放宽制作电极构造时的对位精度。另外，通过用含有碳纳米管的相同材料形成阴极电极(CL)和栅极电极(GL)，能在制作电极构造时大幅地放宽对位精度。因此，能够使用常用的印刷涂敷工艺等，能容易且廉价地制作自发光型平面显示装置。