公开(公告)号：CN108766860A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810694297.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司

Inventor： 李锐 ,  贺兆昌 ,  朱刚 ,  刘鲁伟 ,  沈旭东 ,  侯信磊 ,  吴云龙 ,  王鹏康

IPC: H01J23/05

CPC classification number: H01J23/05

Abstract: 本发明公开了一种长寿命冷阴极磁控管的阴极，包括冷阴极组件和热阴极组件，所述冷阴极由阴极基座、次级金属发射基和屏蔽帽组成，所述热阴极组件包括发射体、基座、热丝、瓷筒、引线绝缘座、底盖和屏蔽罩；所述发射体为浸渍有铝酸盐的钨海绵体；所述冷阴极组件和热阴极组件之间相对设置且二者之间的间隔距离为2.1‑2.6mm。该长寿命冷阴极磁控管的阴极由热阴极组件和冷阴极组件组成，且热阴极发射体由钨海绵体和浸渍有铝酸盐的钨海绵体组成；该热阴极只需工作在940℃±10℃左右，工作温度较低，能够有效延长使用寿命使达到5000小时以上，进而大大提高了磁控管的使用寿命。

公开(公告)号：CN105452522B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480044214.7

申请日：2014-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 ,  罗杰·M·约翰逊 ,  迈克尔·S·考克斯

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J23/05 ,  H01J23/10 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587 ,  H01J37/345 ,  H03B9/10 ,  H03C3/32 ,  H03C5/04

Abstract: 本发明的实施方式大体提供由耐受热及水的材料封装的磁控管。在一个实施方式中，整个磁控管被封装。在另一个实施方式中，磁控管包含磁极片，且磁极片未被封装材料覆盖。

公开(公告)号：CN105190822B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480008617.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 朴秀用

Inventor： 朴秀用

IPC: H01J25/50

CPC classification number: H01J23/005 ,  H01J1/28 ,  H01J9/18 ,  H01J9/26 ,  H01J9/385 ,  H01J23/05 ,  H01J23/12 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587

Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极，所述阳极包括圆柱形构件；以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片，在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔；以及分配器阴极，适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。

公开(公告)号：CN107953080A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711123871.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 陕西一品达石化有限公司

Inventor： 李长英

IPC: B23P15/00 ,  H01J23/05 ,  H01J9/02

CPC classification number: B23P15/00 ,  H01J9/02 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明磁控管钼锥形筒加工方法涉及机械加工领域，具体涉及磁控管钼锥形筒加工方法，包括以下步骤：落料冲孔，采用电火花切割的方法加工落料片，由于零件形状比较特殊，为确保零件卷圆后既不缺料、也不多料，应根据零件小端尺寸与大端尺寸算出斜度，反复多次试模，不断调整落料片尺寸，将大端修边余量不短地修正，最后确定出工艺尺寸；引伸卷圈，卷圆模具选用Crl2MoV制造，将凹模分体设计为3块，采用慢走丝切割的方法进行加工，凸模采用分体式，慢走丝切割的方法进行加工，使凸模与凹模能够在斜度与半圆处过渡光滑，减少了零件在拐角处的拉痕，本发明可保证工件加工一致性好，表面质量和尺寸精度比车削时大大提高，且能提高生产效率，节约生产成本。

公开(公告)号：CN106206216B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201610743795.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  董丽然 ,  张杰 ,  田明创 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J23/04 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J23/05 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/241 ,  B22F2301/20 ,  B22F2302/25 ,  C23C8/20 ,  H01J9/04 ,  H01J9/042 ,  H01J23/04 ,  H05B6/66 ,  H05B2206/04

Abstract: 碳化La2O3与Lu2O3复合掺杂Mo阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3、Lu2O3，稀土活性物质添加总量为2.0‑5.0wt％。采用溶胶凝胶法制备稀土氧化物掺杂钼粉末，采用二次还原工艺，得到La2O3、Lu2O3掺杂Mo粉，经过压型和烧结得到钼棒。钼棒经旋煅、拉拔、清洗、矫直、绕制、定型、裁断工艺处理，得到未碳化的La2O3、Lu2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的碳化阴极材料。对阴极进行高温排气及激活处理工艺，得到具有良好发射性能及优异的发射稳定性的环保无放射性的阴极材料。

公开(公告)号：CN106756169A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611146152.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道 ,  佐野孝 ,  南淑子 ,  山口悟

IPC: C22C1/05 ,  C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/1007 ,  C22C1/045 ,  C22C43/00 ,  C22F1/18 ,  H01J23/05

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。

公开(公告)号：CN106531597A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611245456.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 广东威特真空电子制造有限公司

Inventor： 智苏朋

IPC: H01J23/05 ,  H01J25/50 ,  H01J9/36

CPC classification number: H01J23/05 ,  H01J9/36 ,  H01J25/50 ,  H01J2223/05

Abstract: 本发明涉及磁控管，公开了一种磁控管及其阴极组件以及制造磁控管的阴极组件的方法，所述磁控管的阴极组件包括灯丝(10)和钼支架(22)，所述灯丝(10)的两端分别与所述上钼帽(21)和下钼帽(22)通过焊料(30)焊接，所述焊料(30)以横向受阻的方式设置在所述上钼帽(21)和下钼帽(22)与所述灯丝(10)的焊接处。由于焊料以横向受阻的方式设置在上钼帽和下钼帽与灯丝的焊接处，因而在焊料熔化时，焊料的横向流动受阻，确保焊接的有效性和高质量，从而获得性能稳定的闭合回路。(20)，所述钼支架(20)包括上钼帽(21)和下钼帽

公开(公告)号：CN106206216A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610743795.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  董丽然 ,  张杰 ,  田明创 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J23/04 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J23/05 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/241 ,  B22F2301/20 ,  B22F2302/25 ,  C23C8/20 ,  H01J9/04 ,  H01J9/042 ,  H01J23/04 ,  H05B6/66 ,  H05B2206/04

Abstract: 碳化La2O3与Lu2O3复合掺杂Mo阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3、Lu2O3，稀土活性物质添加总量为2.0-5.0wt％。采用溶胶凝胶法制备稀土氧化物掺杂钼粉末，采用二次还原工艺，得到La2O3、Lu2O3掺杂Mo粉，经过压型和烧结得到钼棒。钼棒经旋煅、拉拔、清洗、矫直、绕制、定型、裁断工艺处理，得到未碳化的La2O3、Lu2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的碳化阴极材料。对阴极进行高温排气及激活处理工艺，得到具有良好发射性能及优异的发射稳定性的环保无放射性的阴极材料。

公开(公告)号：CN105679627A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510830911.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 东芝北斗电子株式会社

Inventor： 加藤直也

IPC: H01J25/50 ,  H01J23/02 ,  H01J23/12

CPC classification number: H01J25/50 ,  H01J23/04 ,  H01J23/05 ,  H01J23/10 ,  H01J25/52 ,  H01J25/587 ,  H01J23/02 ,  H01J23/12

Abstract: 一种磁控管，既能降低成本，又能实现高效率化和提升负荷稳定性。叶片高度Vh与端帽间隔EHg的比、即EHg/Vh满足1.12≤EHg/Vh≤1.26，并且以输入侧极片·叶片间隔IPpvg大于输出侧极片·叶片间隔OPpvg，且输入侧端帽·叶片间隔IPevg大于输出侧端帽·叶片间隔OPevg的方式使叶片高度Vh变短，与参考磁控管100相比，既能够使叶片高度Vh变短，又能够提升高效率下的负荷稳定性，因此，能提供一种既能够实现成本降低，又能够实现高效率化和提升负荷稳定性的磁控管。

公开(公告)号：CN105190822A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480008617.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 朴秀用

Inventor： 朴秀用

IPC: H01J25/50

CPC classification number: H01J23/005 ,  H01J1/28 ,  H01J9/18 ,  H01J9/26 ,  H01J9/385 ,  H01J23/05 ,  H01J23/12 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587

Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极，所述阳极包括圆柱形构件；以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片，在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔；以及分配器阴极，适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。