公开(公告)号：CN107306008A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710256700.0

申请日：2017-04-19

Applicant: 发那科株式会社

Inventor： 键和田哲史 ,  泷川宏

IPC: H01S5/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01S5/0021 ,  G09G1/005 ,  G09G3/02 ,  G09G2360/14 ,  H01S3/0014 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/4025 ,  H04N9/3194

Abstract: 本发明提供一种即使在以各种条件驱动光源的情况下也能准确地计算实效驱动时间的激光装置。激光装置包括：光源；电源，其向光源注入驱动电流；控制部，其控制电源；第一记录部，其计算光源的寿命负荷率并将该寿命负荷率与时间相关联地进行记录；以及计算部，其基于第一记录部的记录结果来计算激光装置实际被驱动的第一时间点与比该第一时间点靠后的第二时间点之间的寿命负荷率的时间积分来作为实效驱动时间。

公开(公告)号：CN104466677A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/3202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34313 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

公开(公告)号：CN102934301B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201080067313.9

申请日：2010-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。

公开(公告)号：CN102763293B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005492.3

申请日：2010-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。

公开(公告)号：CN103208740A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310003877.1

申请日：2013-01-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  高木慎平

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法，一种激光二极管包括：半导体基底，由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面；外延层，包括形成激光的光波导的发光层，并且形成在半导体基底的半极性面上，所述外延层使得激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在光波导面上的投影方向以在大约8°至大约12°或者大约18°至大约29°的范围内的角度倾斜，所述光波导面包括激光的传播方向并且与半极性面平行；两个谐振器端面；第一电极；以及第二电极。

公开(公告)号：CN102804416A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065555.4

申请日：2010-10-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 折田贤儿

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。

公开(公告)号：CN101369528B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810145806.4

申请日：2008-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 三宅泰人 ,  广山良治 ,  畑雅幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/025 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法和半导体元件，其包括：在具有上表面、下表面、和以分割上表面侧和下表面侧的方式配置的位错集中区域的基板的上表面上形成半导体元件层的工序、通过将基板的下表面侧与位错集中区域的至少一部分一起除去，从而在基板的下表面，使在上方不存在位错集中区域的部分露出的工序、和在基板的下表面中，至少在上方不存在位错集中区域的部分被露出的区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN101471536B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810190673.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  神川刚 ,  谷健太郎

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。

公开(公告)号：CN101340058B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810144617.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm-3以下的p型氮化物类半导体层。

公开(公告)号：CN101939881A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104444.7

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  川口真生 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

Abstract: 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。