公开(公告)号：CN102412505B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN104466677A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/3202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34313 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

公开(公告)号：CN104466677B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC: H01S5/227

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1‑1‑1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0‑1‑1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0‑11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

公开(公告)号：CN105576503A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510725600.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 奥田哲朗

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/2275 ,  H01S3/08022 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34306 ,  H01S2304/04 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。为了改进半导体激光器的特性，块层被设置于具有n型包覆层、有源层和p型包覆层的台面型半导体部分的两侧。该块层具有：形成于台面型半导体部分的侧表面上以及于p型半导体基板之上的p型块层；形成于p型块层之上的高电阻层；以及形成于高电阻层之上的n型块层。高电阻层的电阻大于p型块层的电阻。通过这样在形成块层的p型块层和n型块层之间设置高电阻层，能够控制p型块层的厚度使其不变大，并且能够减小漏电流(空穴流)。此外，能够确保n型包覆层与n型块层之间的距离，并且因此能够防止漏电流(电子流)。

公开(公告)号：CN101820135B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010124930.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器以及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN102412505A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。