公开(公告)号：TW200639411A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：TW095110735

申请日：2006-03-28

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 丹尼爾J 史提曼 STILLMAN, DANIEL J.

IPC: G01R

CPC classification number: G01R1/07378 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06744 ,  G01R1/07321 ,  G01R3/00

Abstract: 本發明提供一種用於電氣測試之裝置，其具有由大約相同尺寸以大體上線性序列而結合在一起之金屬元件(201a)所建構之探針(201)。其另外具有一絕緣固持器(202)，該固持器具有第一表面與第二表面、及自該第一表面至該第二表面穿越該固持器之複數個金屬填充通道(210)；該等通道在該第一表面與該第二表面上形成接觸焊墊。該第一固持器表面之接觸焊墊(210a)具有所附著之探針，使得該探針大約垂直於該表面而定位。一具有第一表面與第二表面及一被複數個導電跡線(220)所穿越之厚度的彈性絕緣材料薄片(203)使其第一薄片表面附著至該第二固持器表面，使得該等跡線中之至少一者分別接觸該等接觸焊墊中之一者，以向該第二薄片表面提供一電路徑。一適於插入於一電氣測試裝置中之印刷電路板附著至該第二薄片表面，使得自該裝置至該等探針中之每一者建立一連續電路徑。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于电气测试之设备，其具有由大约相同尺寸以大体上线性串行而结合在一起之金属组件(201a)所建构之探针(201)。其另外具有一绝缘固持器(202)，该固持器具有第一表面与第二表面、及自该第一表面至该第二表面穿越该固持器之复数个金属填充信道(210)；该等信道在该第一表面与该第二表面上形成接触焊垫。该第一固持器表面之接触焊垫(210a)具有所附着之探针，使得该探针大约垂直于该表面而定位。一具有第一表面与第二表面及一被复数个导电迹线(220)所穿越之厚度的弹性绝缘材料薄片(203)使其第一薄片表面附着至该第二固持器表面，使得该等迹线中之至少一者分别接触该等接触焊垫中之一者，以向该第二薄片表面提供一电路径。一适于插入于一电气测试设备中之印刷电路板附着至该第二薄片表面，使得自该设备至该等探针中之每一者创建一连续电路径。

公开(公告)号：TW200605981A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：TW094113768

申请日：2005-04-28

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 矢薰 YAJIMA, KAORU

IPC: B23K

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/004 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48477 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85043 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明提供一種低環狀線接合之方法。該方法包含形成一第一接合於置放在一第一線(120)之一端的一第一焊球(122)與耦合至具有一或多個導線(114)之一導線架(110)的一晶粒(20)之一焊墊(22)之間。該方法還包含形成一第二接合(124)於該線之一部分與該導線架之一導線(114)之間。該第一接合與該第二接合之間的線長度在該線中形成具有一第一環狀高度(190)的一環。該方法進一步包含置放一第二焊球(162)於該第一焊球(122)之頂部上，該環之一部分係壓縮在該第一焊球(122)與該第二焊球(162)之間。該壓縮的環具有其小於該第一環狀高度(190)之一第二環狀高度(195)。該方法還包含形成一第三接合於該第二焊球(162)、該線(120)與該第一焊球(122)之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低环状线接合之方法。该方法包含形成一第一接合于置放在一第一线(120)之一端的一第一焊球(122)与耦合至具有一或多个导线(114)之一导线架(110)的一晶粒(20)之一焊垫(22)之间。该方法还包含形成一第二接合(124)于该线之一部分与该导线架之一导线(114)之间。该第一接合与该第二接合之间的线长度在该线中形成具有一第一环状高度(190)的一环。该方法进一步包含置放一第二焊球(162)于该第一焊球(122)之顶部上，该环之一部分系压缩在该第一焊球(122)与该第二焊球(162)之间。该压缩的环具有其小于该第一环状高度(190)之一第二环状高度(195)。该方法还包含形成一第三接合于该第二焊球(162)、该线(120)与该第一焊球(122)之间。

公开(公告)号：TW200540954A

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：TW094107179

申请日：2005-03-09

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 曾料 ZENG, KEJUN

IPC: H01L

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10992 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本發明揭示一種用於組合一具有抗疲乏性互連填角之半導體裝置之方法，其提供一具有至少一焊料塊之半導體晶片，該至少一焊料塊包含一錫鉛合金，其熔化溫度高於所用的焊料膏(802)。而且，提供一焊料膏(較佳為二元性)，其包含錫與約2.5重量百分比之銀，並具有大約221℃之熔化溫度(803)。使該焊料塊與該焊料膏接觸，該焊料塊係部分地浸入該焊料膏中(804)，並供應熱能量以便在大約235℃下對該焊料膏進行回填(805)。控制該焊料膏回填之後的能量與時間之數量，使得該熔融的焊料膏溶解一預定數量之該焊料塊(鉛與錫)，以形成大致共熔組成物(約1.62重量百分比之Ag、36.95重量百分比之Pb、61.43重量百分比之Sn)之三元合金，而不熔化該焊料塊(806)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于组合一具有抗疲乏性互连填角之半导体设备之方法，其提供一具有至少一焊料块之半导体芯片，该至少一焊料块包含一锡铅合金，其熔化温度高于所用的焊料膏(802)。而且，提供一焊料膏(较佳为二元性)，其包含锡与约2.5重量百分比之银，并具有大约221℃之熔化温度(803)。使该焊料块与该焊料膏接触，该焊料块系部分地浸入该焊料膏中(804)，并供应热能量以便在大约235℃下对该焊料膏进行回填(805)。控制该焊料膏回填之后的能量与时间之数量，使得该熔融的焊料膏溶解一预定数量之该焊料块(铅与锡)，以形成大致共熔组成物(约1.62重量百分比之Ag、36.95重量百分比之Pb、61.43重量百分比之Sn)之三元合金，而不熔化该焊料块(806)。

公开(公告)号：TW200535935A

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：TW094101722

申请日：2005-01-20

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 郭紅林 GUO, HONGLIN ,  喬W 麥克福森 MCPHERSON, JOE W.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76877

Abstract: 本發明界定一種在一半導體裝置段(200)製造期間，用於阻制金屬溝槽構造(206)腐蝕出現之系統。本發明系統提供一第一非金屬構造(212)及一第二非金屬構造(214)。該金屬溝槽構造插置於該第一及第二非金屬構造之間。在該裝置段被清洗之後，該金屬構造之上曝露表面(220)以一所需之量由該第一或第二非金屬構造之上曝露表面(216)凹陷。

Abstract in simplified Chinese: 本发明界定一种在一半导体设备段(200)制造期间，用于阻制金属沟槽构造(206)腐蚀出现之系统。本发明系统提供一第一非金属构造(212)及一第二非金属构造(214)。该金属沟槽构造插置于该第一及第二非金属构造之间。在该设备段被清洗之后，该金属构造之上曝露表面(220)以一所需之量由该第一或第二非金属构造之上曝露表面(216)凹陷。

公开(公告)号：TWI241704B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW093118647

申请日：2004-06-25

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 艾溫R 艾斯提帕 ESTEPA, ERWIN R. ,  裘伊T 米迪納 MEDINA, JOEL T. ,  瑪莉亞A 卡提卡 艾卓倫 AZURIN, MARIA A. KATINKA ,  阿野一章 ANO, KAZUAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H05K3/3489 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/282 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/383 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本案揭露一種組合一積體電路之方法，以及由該方法所產生之組合體，其係採用接合墊片之表面處理。在一項內容中，一種組合一積體電路(100)之方法包括提供一基板(110)，其具有設置於基板第一側面上之電端子(120)及一設置於與第一側面相對立之基板第二側面上之接合墊片(130)。在此實施例中，接合墊片係電耦合於第一側面上之至少一端子。此外，該方法包括將一積體電路晶片安裝於基板第一側面，積體電路組件具有一引線，適可接線於端子。該方法尚包括自接合墊片移除氧化，接合墊片適可以冶金方式接合於一印刷電路板上之跡線。再者，此方法之實施例包括將接合墊片以冶金方式接合於跡線。

Abstract in simplified Chinese: 本案揭露一种组合一集成电路之方法，以及由该方法所产生之组合体，其系采用接合垫片之表面处理。在一项内容中，一种组合一集成电路(100)之方法包括提供一基板(110)，其具有设置于基板第一侧面上之电端子(120)及一设置于与第一侧面相对立之基板第二侧面上之接合垫片(130)。在此实施例中，接合垫片系电耦合于第一侧面上之至少一端子。此外，该方法包括将一集成电路芯片安装于基板第一侧面，集成电路组件具有一引线，适可接线于端子。该方法尚包括自接合垫片移除氧化，接合垫片适可以冶金方式接合于一印刷电路板上之迹线。再者，此方法之实施例包括将接合垫片以冶金方式接合于迹线。

公开(公告)号：TW200527191A

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：TW093117571

申请日：2004-06-18

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 伊紗 ISSA, SAMI ,  柯又銘 KO, UMING ,  哈魯恩 HAROUN, BAHER ,  史考特 SCOTT, DAVID

IPC: G06F

CPC classification number: G06F1/3243 ,  G06F1/3203 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/152 ,  Y02D10/172

Abstract: 一種在一電子裝置(10)中之電源管理系統(12)。上述系統包括一電路(14x)，回應至少一系統參數，用以提供資料處理功能性，其中該用以提供資料處理功能性之電路包括一資料路徑(CPx)。該系統亦可替代地或累積地包括一用以指示該資料路徑之操作速度的潛在能力之電路(22x)及／或一用以指示該用以提供資料處理功能性之電路的漏電流量之電路(24x)。該系統亦包括一電路(26)用以回應該用以指示一潛在能力之電路及該用以指示一漏電流量之電路之一或兩者而調整至少一系統參數。

Abstract in simplified Chinese: 一种在一电子设备(10)中之电源管理系统(12)。上述系统包括一电路(14x)，回应至少一系统参数，用以提供数据处理功能性，其中该用以提供数据处理功能性之电路包括一数据路径(CPx)。该系统亦可替代地或累积地包括一用以指示该数据路径之操作速度的潜在能力之电路(22x)及／或一用以指示该用以提供数据处理功能性之电路的漏电流量之电路(24x)。该系统亦包括一电路(26)用以回应该用以指示一潜在能力之电路及该用以指示一漏电流量之电路之一或两者而调整至少一系统参数。

公开(公告)号：TW200519987A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：TW093128793

申请日：2004-09-23

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 柏艾德 BURKE, EDMUND (NMI) ,  麥傑米 MCKEE, BENJAMIN P. ,  强法蘭 JOHNSON, FRANK S.

IPC: H01G

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0805

Abstract: 本發明揭示一種電容結構(10)。該電容結構包括一具一上表面之半導體基底區(30)、一於該半導體基底區內形成並與該上表面相鄰之井(12)、一與該上表面之至少一部份相鄰之第一介電層(38)，及一與該第一介電層相鄰之複晶矽層(16)。該井、該第一介電層及該第一複晶矽層構成一第一電容器並沿一平坦維度對齊。該電容器結構進一步包括一至少部份位於至少部份複晶矽層上之第一導體層(201)、一與該第一導體層相鄰之第二介電層(202)及一與該第二介電層相鄰之第二導體層(203)。該第一導體層、該第二介電層及該第二導體層構成一第二電容器並沿該平坦維度對齊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种电容结构(10)。该电容结构包括一具一上表面之半导体基底区(30)、一于该半导体基底区内形成并与该上表面相邻之井(12)、一与该上表面之至少一部份相邻之第一介电层(38)，及一与该第一介电层相邻之复晶硅层(16)。该井、该第一介电层及该第一复晶硅层构成一第一电容器并沿一平坦维度对齐。该电容器结构进一步包括一至少部份位于至少部份复晶硅层上之第一导体层(201)、一与该第一导体层相邻之第二介电层(202)及一与该第二介电层相邻之第二导体层(203)。该第一导体层、该第二介电层及该第二导体层构成一第二电容器并沿该平坦维度对齐。

公开(公告)号：TW200515572A

公开(公告)日：2005-05-01

申请号：TW093110283

申请日：2004-04-13

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 曾科軍 ZENG, KEJUN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一種用於半導體晶片之金屬互連結構，具有一金屬介面層(105)，較佳為鎳，其沉積於晶片接觸墊塊(104，通常為鋁或銅)之金屬上。一後續金屬層(106)為一金屬如銅或金與鎳之合金，其中鎳量係經選定，使其減小在逆流及退火製程期間鎳自介面層(105)之內部擴散率。用於互連之可逆流金屬(107)完成該結構。在另一實施例中，可逆流金屬(107)含有一定量之介面金屬混合物，以減小在退火製程期間金屬自介面層之內部擴散率。在任一實施例中，介面層(105)內間隙之形成得以減少。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于半导体芯片之金属互链接构，具有一金属界面层(105)，较佳为镍，其沉积于芯片接触垫块(104，通常为铝或铜)之金属上。一后续金属层(106)为一金属如铜或金与镍之合金，其中镍量系经选定，使其减小在逆流及退火制程期间镍自界面层(105)之内部扩散率。用于互连之可逆流金属(107)完成该结构。在另一实施例中，可逆流金属(107)含有一定量之界面金属混合物，以减小在退火制程期间金属自界面层之内部扩散率。在任一实施例中，界面层(105)内间隙之形成得以减少。

公开(公告)号：TW200511548A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093116762

申请日：2004-06-11

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 墨瑞森 MORRISON, GARY P. ,  郝瓦得 HOWARD, GREGORY E.

IPC: H01L

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H05K1/114 ,  H05K2201/09627 ,  H05K2201/09718 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664

Abstract: 一種使用於半導體裝置的基板(300)，其具有第一(301a)與第二表面(301b)以及包括絕緣材料的基底結構。複數個輸入/輸出終端襯墊(302、303)係各自分佈於第一與第二表面上，且這些終端襯墊經由構成基底結構所必須的導電軌跡來互連。複數個選出金屬層(304至309)係分佈於該結構中；該些金屬層實質平行該些表面且藉由絕緣材料而彼此相隔，以及與該些表面隔間。相對於各表面的至少一金屬層(分別是304或307)具有開口(320a、320b)於其中，其結構使得直接相對於各終端襯墊(303)的金屬區域(307a)與該層的剩下部分電性絕緣。選擇這些開口的寬度，以提供一預定電容值於各終端(303)與金屬層(307)剩下部分之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种使用于半导体设备的基板(300)，其具有第一(301a)与第二表面(301b)以及包括绝缘材料的基底结构。复数个输入/输出终端衬垫(302、303)系各自分布于第一与第二表面上，且这些终端衬垫经由构成基底结构所必须的导电轨迹来互连。复数个选出金属层(304至309)系分布于该结构中；该些金属层实质平行该些表面且借由绝缘材料而彼此相隔，以及与该些表面隔间。相对于各表面的至少一金属层(分别是304或307)具有开口(320a、320b)于其中，其结构使得直接相对于各终端衬垫(303)的金属区域(307a)与该层的剩下部分电性绝缘。选择这些开口的宽度，以提供一预定电容值于各终端(303)与金属层(307)剩下部分之间。

公开(公告)号：TW200502566A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW092136449

申请日：2003-12-19

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 亞倫M 吉爾奇斯 GILKES, ALAN M.

IPC: G01S ,  G04G

CPC classification number: G01S19/256 ,  G04G7/00

Abstract: 一種當來自SPS(satellite positioning system，衛星定位系統)衛星的信號因受SPS接收器作業環境影響而衰減時，而能於一SPS系統中讓SPS信號獲取(signal acquisition)成為可能的系統及方法。一較佳具體實施例包含藉由一公眾網路(如網際網路(lnternet)230)於一端耦合至一SPS接收器(如SPS接收器210)之一通信伺服器(如通信伺服器220)及一時間伺服器(如時間伺服器225)。最好是，該通信伺服器220透過一無線網路來耦合至該網際網路230以利於最大化的行動性及彈性。該通信服務器220向該時間伺服器225查詢現有時間並接著提供該現有時間給該SPS接收器210。該SPS接收器210使用該現有時間來輔助信號獲取。

Abstract in simplified Chinese: 一种当来自SPS(satellite positioning system，卫星定位系统)卫星的信号因受SPS接收器作业环境影响而衰减时，而能于一SPS系统中让SPS信号获取(signal acquisition)成为可能的系统及方法。一较佳具体实施例包含借由一公众网络(如因特网(lnternet)230)于一端耦合至一SPS接收器(如SPS接收器210)之一通信服务器(如通信服务器220)及一时间服务器(如时间服务器225)。最好是，该通信服务器220透过一无线网络来耦合至该因特网230以利于最大化的行动性及弹性。该通信服务器220向该时间服务器225查找现有时间并接着提供该现有时间给该SPS接收器210。该SPS接收器210使用该现有时间来辅助信号获取。