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公开(公告)号：CN111952451A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010391526.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光电转换器件、有机传感器和电子装置。一种光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机光电转换层、以及在第一电极与有机光电转换层之间的电荷辅助层。有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并将所吸收的光转换成电信号。电荷辅助层包括金属和氧化物。该氧化物可以是排除硅氧化物的氧化物材料使得电荷辅助层不包括硅氧化物。
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公开(公告)号：CN111192962A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911034343.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。
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公开(公告)号：CN111009556A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910938569.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了OLED显示面板、包括其的显示设备和执行生物特征识别的方法。该OLED显示面板可以包括：基板；OLED光发射器，在基板上并且被配置为发射光；以及可见光传感器，在基板上并且被配置为基于所发射的光的至少一部分的自识别目标的反射而检测所发射的光的所述部分。可见光传感器在与OLED光发射器相邻的非发光区域中从而在平行于基板的上表面延伸的水平方向上与OLED光发射器水平对准，或者在基板和与OLED光发射器相邻的非发光区域之间使得可见光传感器在垂直于基板的上表面延伸的垂直方向上与非发光区域垂直对准。
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公开(公告)号：CN103000810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201210103761.0
申请日：2012-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , H01L51/426 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。
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公开(公告)号：CN103524531B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310283609.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D495/04 , H01B1/12 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4‑7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN103682150A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310408217.1
申请日：2013-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/442 , H01L51/0021 , H01L51/5203 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。根据实例实施方式，有机光电器件以及图像传感器可包括所述透射电极。
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公开(公告)号：CN103524531A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310283609.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D495/04 , H01B1/12 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , C07D495/22 , C07D495/14 , C07F7/0816
Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4-7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]
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公开(公告)号：CN103000810A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210103761.0
申请日：2012-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , H01L51/426 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。
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公开(公告)号：CN100490074C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410082255.3
申请日：2004-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , C23C16/24
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02354 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/31608 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。
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