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公开(公告)号：CN1607607B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410095199.7
申请日：2004-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105 , H01L21/82
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/06 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁随机存取存储器(MRAM)和制造该MRAM的方法，该MRAM具有包括晶体管和连接到晶体管的MTJ层的单元，该MTJ层具有均匀厚度的隧道膜。MTJ层包括：下层电极；下层磁膜；具有均匀厚度、无波的隧道膜；以及上层磁膜，并且下层电极包括第一下层电极和无定形第二下层电极。在下层电极和下层磁膜之间还可以形成无定形平整膜。
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公开(公告)号：CN100440372C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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公开(公告)号：CN101030444A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710008128.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。
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公开(公告)号：CN1828768A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610051485.2
申请日：2006-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228
Abstract: 本发明公开了一种具有磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法。在所述器件和方法中，磁性存储器包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线，且磁场产生器设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场。
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公开(公告)号：CN1681040A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410075897.0
申请日：2004-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/062 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 一种磁随机存取存储器(MRAM)以及从所述的MRAM中读取数据的方法，该磁随机存取存储器包括具有一个晶体管和一个磁隧道结(MTJ)层的存储单元和当读取存储在存储单元的数据时作为基准的参考单元，其中参考单元包括彼此并联连接的第一和第二MTJ层；和彼此并联连接的第一和第二晶体管，第一和第二晶体管分别串联到第一和第二MTJ层。所述的第一和第二晶体管也可以被一个具有对应于存储单元的晶体管两倍驱动能力的晶体管所代替。此外，第一和第二晶体管与第一和第二MTJ层的位置也可以互换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649027A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006412.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。还提供了一种用于制造该磁存储器件的等离子体反应室。
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公开(公告)号：CN1617258A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410095989.5
申请日：2004-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/135 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器。磁性隧道结(MTJ)单元包括具有低磁矩的自由磁层，磁性随机存取存储器(MRAM)包括MTJ单元。MRAM的MTJ单元包括：下电极；和顺序地堆叠在下电极上的下磁层、隧道层、上磁层和上电极。上磁层包括厚度为5nm或更小的自由磁层。MTJ单元的纵横比可以是2或更小，自由磁层的磁矩可以是800emu/cm3或更小。
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公开(公告)号：CN1525519A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410005986.8
申请日：2004-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 瑟吉·Y·纳瓦拉 , 尤里·N·托尔马彻夫 , 马东俊 , 金泰完
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明提供一种磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的溅射装置。磁控管阴极包括三个或更多个磁铁单元，各磁铁单元包括单个磁铁或多个磁铁，这些磁铁的同一磁极朝向同一方向，其中一个磁铁单元围绕另一磁铁单元的外围设置，相邻的磁铁单元的相反磁极朝向同一方向。获得了均匀的磁场分布。因此，靶的腐蚀轮廓宽并且均匀。
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公开(公告)号：CN1501523A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03152609.8
申请日：2003-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11C11/15 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L43/08 , Y10T428/31826
Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。
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公开(公告)号：CN1501435A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03139091.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟吉·Y·纳瓦拉
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。
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