公开(公告)号：CN100459205C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN03152609.8

申请日：2003-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  赵炳起 ,  沈希宰

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G11C11/18

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/31826

Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒、和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。

公开(公告)号：CN1501523A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03152609.8

申请日：2003-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  赵炳起 ,  沈希宰

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G11C11/18

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/31826

Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。