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公开(公告)号：CN1717814A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104378.6
申请日：2003-11-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种结晶平均粒径处于50纳米以下、相对密度处于85％以上的热电材料，以及包括微细粉末的制备工序和在1.0GPa以上且10GPa以下的压力下将微细粉末烧结或使其固化的工序的热电材料的制造方法。
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公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN114729469B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080081826.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。
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公开(公告)号：CN114655953B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210130434.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN117480284A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042116.4
申请日：2022-05-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种合成单晶金刚石，所述合成单晶金刚石是以原子数基准计包含50ppm以上且1200ppm以下的浓度的氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石的红外吸收光谱在波数1460cm‑1以上且1470cm‑1以下的范围内具有吸收信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115698393A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040021.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种合成单晶金刚石，其是按原子数基准计以100ppm以上且1500ppm以下的浓度包含氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石包含聚集体，所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的三个取代型氮原子构成，所述合成单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ’cm‑1与按原子数基准计以1ppm以下的浓度包含氮原子的合成IIa型单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λcm‑1示出下述式1的关系，λ’‑λ≥0式1。
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公开(公告)号：CN110933945B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880003675.8
申请日：2018-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种金刚石多晶体，其中在JIS Z 2251:2009定义的条件下进行的努普硬度试验中a'与a之比(a'/a)的值为0.99以下，其中a表示当试验负荷为4.9N的努普压头压到所述金刚石多晶体的表面上时，在所述金刚石多晶体的表面形成的第一努普压痕的较长对角线的长度，a'表示在解除试验负荷后，在所述金刚石多晶体的表面留有的第二努普压痕的较长对角线的长度。
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公开(公告)号：CN114514213A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080066747.0
申请日：2020-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/5831 , B23B27/14 , B23B27/20 , B23C5/16 , C30B29/40
Abstract: 多晶立方晶氮化硼包含立方晶氮化硼颗粒组。第二长度与第一长度之比为0.99以下。其中，第一长度以及第二长度分别是通过ISO4545‑1以及ISO4545‑4所规定的条件的努氏硬度试验，在形成有凹陷的多晶立方晶氮化硼的表面测定的值。第二长度表示凹陷的较长的对角线的长度。第一长度表示第二长度与条纹状压痕的长度的合计。条纹状压痕的长度通过利用场发射型扫描型电子显微镜以5000倍以上且10000倍以下的倍率对多晶立方晶氮化硼的表面进行观察来测定。第二长度通过利用光学显微镜以500倍以上且1000倍以下的倍率对多晶立方晶氮化硼的表面进行观察来测定。
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