化学增幅型正型光阻组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN101666976B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN200910140185.5

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: G03F7/0395 G03F7/0045 G03F7/0392 Y10S430/114

    Abstract: 本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物,其是化学增幅型光阻组合物,含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂,作为主要成分;该基质聚合物是,含有1种或2种以上以下述通式(1)等表示的单体单元,且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物,且在通过酸催化剂而被脱去保护后,会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术,需要有非常高的经时稳定性。又,必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明,能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法,

    化学增幅型正型光阻组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN101666976A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910140185.5

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: G03F7/0395 G03F7/0045 G03F7/0392 Y10S430/114

    Abstract: 本发明是一种化学增幅型正型光阻组合物,其是化学增幅型光阻组合物,含有基质聚合物、含磺酸盐阴离子的锍盐、碱性成分及有机溶剂,作为主要成分;该基质聚合物是,含有1种或2种以上以所述通式(1)等表示的单体单元,且该聚合物的羟基的一部分是被缩醛基保护的碱不溶性聚合物,且在通过酸催化剂而被脱去保护后,会成为碱可溶性聚合物。通过光阻来进行的微影技术,需要有非常高的经时稳定性。又,必须能够得到不依存于基板的良好的图案轮廓或高解像度。依照本发明,能够提供一种可同时解决这些课题的化学增幅型正型光阻组合物及使用此种组合物的光阻图案的形成方法、以及空白光掩模的制造方法。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118938599A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410567595.2

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供使用高能射线的光学光刻中,感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物,以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂组成物,包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂,#imgabs0#式中,R1A~R10A及R1B~R10B各自独立地为碳数1~20的烃基,R11~R14各自独立地为氢原子或碳数1~20的烃基,La1及La2各自独立地为连接基团。

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