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公开(公告)号：CN102794567B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210160358.1
申请日：2012-05-22
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/70 , B23K26/064 , B23K26/046
CPC classification number: B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0643 , B23K26/0861 , B23K26/0876 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供激光加工装置，其能够可靠地检测位于通过激光光线的照射而形成的细孔底部的由金属构成的焊盘。该激光加工装置具备保持被加工物的卡盘台和对保持于卡盘台上的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元，激光光线照射单元包含激光光线振荡单元和聚光器，该聚光器对由激光光线振荡单元振荡出的激光光线进行聚光而照射到保持于该卡盘台上的被加工物，该激光加工装置还具备：反射单元，其配置在聚光器的光轴上，使激光光线振荡单元振荡出的激光光线通过，而对被加工物发出的等离子光进行反射；波长检测单元，其检测由反射单元反射的等离子光的波长；以及控制单元，其根据来自波长检测单元的检测信号来判定被加工物的材质，控制激光光线照射单元。
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公开(公告)号：CN103223558B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310018636.4
申请日：2013-01-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38 , B23K26/70 , H01L21/768
CPC classification number: B23K26/384 , B23K26/03 , B23K26/0622 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G01N21/718 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供激光加工装置，其在连接由第1材料形成的第1部件和由第2材料形成的第2部件而成的被加工物形成从第1部件到达第2部件的激光加工孔。包括：等离子光检测构件，其检测通过从激光束照射构件向被加工物照射激光光线产生的等离子光的波长；和控制器，其根据来自等离子光检测构件的检测信号控制激光光线照射构件。等离子光检测构件包括仅使第1材料发出的等离子光的波长通过的带通滤光片；和接收通过带通滤光片后的光并向控制器输出光强信号的光检测器。控制器控制激光光线照射构件，使得在实施激光加工时，根据从光检测器输出的光强信号，检测光强的振幅，在从光强的振幅达到预定值的时刻起照射预定数的脉冲激光光线后停止脉冲激光光线的照射。
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公开(公告)号：CN105006431A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510188618.X
申请日：2015-04-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种单晶基板的加工方法，能够对单晶基板的上表面进行研磨从而高效地形成为所期望的厚度、或者高效地在单晶基板的表面上散布地形成多个凹部。单晶基板的加工方法包括：数值孔径设定工序，将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜的数值孔径(NA)对应于单晶基板设定为规定的值；遮护隧洞形成工序，将脉冲激光光线的聚光点从单晶基板的上表面定位于所期望的位置并照射脉冲激光光线，从单晶基板的上表面开始生长细孔和遮护该细孔的非晶质从而形成遮护隧洞；和非晶质去除工序，用研磨件对在单晶基板上形成的遮护隧洞进行研磨来去除非晶质。
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公开(公告)号：CN101890580B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201010185082.3
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/364 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68336
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，将脉冲激光束的脉宽设定为2ns以下，并且，以拐点以下的峰值能量密度向半导体晶片的分割预定线照射激光束，所述拐点是形成在半导体晶片的分割预定线上的激光加工槽的深度进展随每1个脉冲的峰值能量密度的上升而发生急剧变化的点。
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公开(公告)号：CN102194745B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110033713.4
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L33/0095 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种不会导致光器件亮度降低的光器件晶片的加工方法。作为解决手段，在光器件晶片的加工方法中，将在基板表面层叠半导体层，并在该半导体层上通过分割预定线划分多个光器件而形成的光器件晶片分割为各个光器件，该光器件晶片的加工方法的特征在于，该加工方法包括：分割起点形成步骤，将对该基板有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该分割预定线的交叉点的内部而进行照射，在基板内部形成在交叉点相交的十字形变质层，将该变质层设为分割起点，其中，该分割起点成为分割的起始点；以及裂纹生长步骤，沿着该分割预定线照射CO2激光，使裂纹在基板内部从该分割起点起生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022080A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410072031.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/00 , B23K26/0648 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，可将晶片沿着分割预定线高效率地分割成各个芯片、并且不使芯片的品质下降。晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片，晶片加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待分割区域的内部进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，通过使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂对沿着分割预定线形成的非晶质的纤丝进行蚀刻，将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片。
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公开(公告)号：CN103378232A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145344.7
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种提离方法，其能够可靠地剥离外延基板。提供一种将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，其包括移设基板接合工序，将移设基板接合到光器件晶片的光器件层的表面；气体层形成工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，在外延基板和缓冲层的分界面形成气体层；气体层检测工序，检测出所形成的气体层中的、位于最外侧的气体层的区域；外延基板吸附工序，将吸引垫定位到外延基板中的通过所述气体层检测工序检测出的最外侧的气体层所在的区域，来吸附外延基板；以及光器件层移设工序，向从外延基板背离的方向移动吸附了外延基板的所述吸引垫来剥离外延基板，将光器件层移设到移设基板。
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公开(公告)号：CN103378228A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310139488.1
申请日：2013-04-22
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供剥离方法，能均匀破坏缓冲层，可靠地剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板正面隔着由Ga化合物构成的缓冲层而层叠了光器件层的光器件晶片的光器件层转移到转移基板，包括：转移基板接合工序，在光器件层的表面接合转移基板；缓冲层破坏工序，从外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，破坏缓冲层；光器件层转移工序，从光器件层剥离外延基板而将光器件层转移到转移基板，缓冲层破坏工序包括：Ga层形成工序，照射具有第1输出的脉冲激光光线而使Ga从Ga化合物析出，在外延基板与缓冲层的边界面形成Ga层；气体层形成工序，照射具有比第1输出高的第2输出的脉冲激光光线来破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层。
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公开(公告)号：CN103123946A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210468082.3
申请日：2012-11-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
Abstract: 本发明提供一种光器件层的移换装置和激光加工机，在从外延基板的背面侧对缓冲层照射激光光线而破坏缓冲层后，能够可靠地剥离外延基板。光器件层的移换装置为，在外延基板的表面隔着缓冲层层叠光器件层而形成光器件晶片，该光器件晶片的光器件层隔着接合金属层与移设基板接合而形成复合基板，在从外延基板的背面侧对缓冲层照射激光光线而破坏缓冲层后，通过剥离外延基板而将光器件层转移设置到移设基板，光器件层的移换装置具有：第一保持构件，其具有保持复合基板的移设基板侧的第一保持面；第二保持构件，其具有面对第一保持面并保持复合基板的外延基板侧的第二保持面；和分离构件，其使第一保持构件和第二保持构件向相对接近和远离的方向移动。
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公开(公告)号：CN102881662A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210242252.6
申请日：2012-07-12
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/00 , B23K26/40 , H01L23/00 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，在将移设基板接合到隔着缓冲层层叠在蓝宝石基板表面的光器件层后，从蓝宝石基板的背面侧向缓冲层照射激光光线，从而能够可靠地破坏缓冲层而不损伤光器件层并可靠地剥离蓝宝石基板。该方法用于将蓝宝石基板从光器件晶片剥离，其包括：将移设基板接合于光器件层的表面的移设基板接合工序；从蓝宝石基板侧照射脉冲激光光线来破坏缓冲层的缓冲层破坏工序；以及将所述光器件晶片的蓝宝石基板剥离并将光器件层转移到移设基板的蓝宝石基板剥离工序，将脉冲激光光线的波长设定为比蓝宝石基板的吸收限长且比缓冲层的吸收限短，并且将所述脉冲激光光线的脉冲宽度设定为使得热扩散长度在200nm以下。
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