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公开(公告)号：KR1019970051844A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049698
申请日：1995-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에서는 반도체 기판에 형성된 절연층내에 트랜치를 형성하는 단계(A); 트랜치 내부에 도전성 플러그를 형성하는 단계(B); 상기 절연층과 상기 도전성 플러그간에 단차를 형성하는 단계(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 추가의 사진식각 공정 없이도 얼라인 키 패턴 영역에 단차를 형성함으로써 후속단계에서의 얼라인이 가능해진다.
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