公开(公告)号：KR101874339B1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：KR1020137018283

申请日：2011-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박찬호

IPC: H04B1/40 ,  G06F3/048 ,  G06F3/041 ,  G06F9/44

CPC classification number: H04L51/04 ,  H04L51/32 ,  H04L51/36 ,  H04L51/38

Abstract: 본발명에따른휴대용단말의인터페이스방법은, 2종이상의제1 어플리케이션들과관련된 2종이상의메시지들을시간순으로수신하여저장하는단계와; 상기 2종이상의제1 어플리케이션들을통합하여관리하는제2 어플리케이션을통해상기 2종이상의메시지들을통합하여구성하는단계와; 상기제2 어플리케이션을통해상기 2종이상의메시지들을상기각 메시지의유형정보와함께표시하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101678571B1

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：KR1020100096876

申请日：2010-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정명준 ,  임근식 ,  서상범 ,  박찬호

IPC: G06F9/44 ,  G06F15/177 ,  G06F11/14 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F15/177 ,  G06F9/4401 ,  G06F9/4406 ,  G06F9/4416 ,  G06F11/1417

Abstract: 본발명은부트이미지전송및 장치초기화를병렬로수행하는컴퓨팅시스템의부팅방법에관한것으로, 컴퓨팅시스템의기본구조인 Internal RAM 및 DMA를이용하여하드웨어를초기화하는과정과부팅이미지를주저장매체로부터주메모리로로딩하는과정을병렬화함으로써, 부팅에소용되는시간을단축할수 있다.

公开(公告)号：KR101669217B1

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：KR1020100049116

申请日：2010-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경중 ,  박찬호 ,  진선아 ,  이강희

IPC: H01M4/90 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/92 ,  H01M8/10 ,  B01J23/44 ,  H01M8/1004 ,  B01J23/46

CPC classification number: H01M8/1004 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/8842 ,  H01M4/90 ,  H01M4/9016 ,  H01M4/9083 ,  H01M4/92 ,  H01M4/926 ,  Y02P70/56

Abstract: 2종이상의비백금(non-Pt) 금속촉매물질, 금속산화물조촉매물질및 카본담지체를포함하는연료전지용전극촉매, 그제조방법및 이를이용한연료전지가개시된다.

公开(公告)号：KR1020160087968A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：KR1020150006915

申请日：2015-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤찬식 ,  박지웅 ,  이기석 ,  박찬호 ,  정현옥

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0273

Abstract: 반도체소자의제조방법은, 기판상에마스크패턴들을형성하는것, 상기기판상에상기마스크패턴들을덮는보조막을형성하는것, 상기보조막을이방성식각하여상기마스크패턴들의측벽들상에보조패턴들을형성하는것, 상기마스크패턴들및 상기보조패턴들을식각마스크로상기기판을식각하여, 활성패턴들을정의하는트렌치를형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成掩模图案; 在基板上形成覆盖掩模图案的子膜; 各向异性地蚀刻子膜以在掩模图案的侧壁上形成子图案; 并通过蚀刻掩模蚀刻衬底的掩模图案和子图案以形成限定有源图案的沟槽。 因此，该方法可以容易地制造具有优异可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：KR1020150018279A

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020130094979

申请日：2013-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정길 ,  박찬호 ,  조남기 ,  최원상

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76224 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76831 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 스크라이브 레인(Scribe Lane) 영역 및 칩 영역이 정의된 기판을 준비하고, 상기 기판의 상기 스크라이브 레인 영역에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 내의 일부에 스토퍼 막(stopper layer)을 형성하고, 상기 스토퍼 막 상에 얼라인먼트 마크(alignment mark) 물질을 형성하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备在其上限定划线通道区域和芯片区域的衬底; 在基板的划线路区域上形成沟槽; 在沟槽的一部分中形成阻挡层; 并在所述止动层上形成对准标记材料。

公开(公告)号：KR101494432B1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020090094679

申请日：2009-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이강희 ,  박찬호 ,  권경중 ,  진선아 ,  유대종 ,  이종원

IPC: H01M4/90 ,  B01J23/44 ,  B01J23/46 ,  B01J37/16

CPC classification number: H01M4/9058 ,  H01M4/921 ,  H01M4/926 ,  H01M8/1004 ,  Y02P70/56

Abstract: 팔라듐과 이리듐을 필수 성분으로 함유하고, 이들의 활성을 보완해주는 금속을 포함하는 비백금계 연료전지용 전극 촉매, 그 제조방법 및 이를 이용한 연료전지가 제시된다.

公开(公告)号：KR1020150014777A

公开(公告)日：2015-02-09

申请号：KR1020130090426

申请日：2013-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 최성우 ,  박찬호 ,  김기현 ,  이종찬

IPC: H01M8/10 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M8/1032 ,  C08G75/23 ,  H01M8/1034 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2300/0082

Abstract: 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰, 말단에 티올기를 갖는 술폰화 화합물(sufonated compound) 및 말단에 알코올65기를 갖는 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 반응 생성물을 포함하는 고분자, 이를 포함하는 연료전지용 전해질막 및 연료전지용 전극 및 이를 채용한 연료전지가 제시된다.

Abstract translation: 在本发明中，所公开的是聚合物，其包含至少一种选自磺化聚（亚芳基醚砜），端基为硫醇的磺化化合物和端基为醇65的化合物，燃料电解质膜 包括其的电池和使用其的燃料电池。 在本发明中，提供了具有优异的离子传导性和耐用性的燃料电池用聚合物和电解质膜。

公开(公告)号：KR1020150011238A

公开(公告)日：2015-01-30

申请号：KR1020130086270

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  박찬호

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/045 ,  H01L29/157 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 질화물계 반도체 장치가 개시된다. 상기 질화물계 반도체 장치는 기판 상에 형성되며, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 제2 도전형의 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 형성된 상기 제1 도전형의 제3 반도체층, 및 기 제3 반도체층 상에 형성된 상기 제2 도전형의 제4 반도체층을 포함하는 배리어 구조물; 상기 배리어 구조물 상에 형성되며, 내부에 2차원 전자가스(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG) 채널을 형성하는 질화물 반도체층; 및 상기 질화물 반도체층 상에 형성되며, 서로 이격된 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극;을 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种氮化物类半导体器件。 氮化物系半导体器件包括：阻挡结构，其形成在基板上，并且包括第一导电型的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层，第三半导体 形成在第二半导体层上的第一导电类型的层和形成在第三半导体层上的第二导电类型的第四半导体层; 氮化物半导体层，其形成在所述阻挡结构上，并且在内部包括二维电子气体（2DEG）通道; 以及形成在氮化物半导体层上并分开布置的源极，漏极和栅电极。

公开(公告)号：KR1020140110703A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020130121468

申请日：2013-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손인혁 ,  문준영 ,  박진환 ,  박찬호 ,  이승재 ,  강효랑

IPC: H01M4/583 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/131 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122

Abstract: The present invention provides a method for forming carbon coating. The method includes a step of heating lithium transition metal complex oxide presented by chemical formula 2, Li_(0.9+a)M_bM′_c N_dO_e, with a compound presented by chemical formula 1-1, C_nH_(2n+2-a)[OH]_a, where n is 1 to 20 and a is 0 or 1, or with a compound presented by chemical formula 1-2, C_nH_(2n), where n is 2 to 6 in an atmosphere of a gas mixture containing carbon oxide. According to the present invention, the compound presented by chemical formula 1-1 or the compound presented by chemical formula 1-2 is methane (CH_4), ethylene, propylene, methanol, ethanol, propanol, or a combination of those. The gas mixture additionally includes water vapor and inert gas selected from nitrogen, helium, argon, and a combination of those.

Abstract translation: 本发明提供一种形成碳涂层的方法。 该方法包括用化学式2，Li_（0.9 + a）M_bM'_c N_dO_e呈现的锂过渡金属复合氧化物与化学式1-1给出的化合物C_nH_（2n + 2-a）[OH 其中n为1至20，a为0或1，或与化学式1-2所示的化合物C_nH_（2n），其中n为2至6，在含有碳氧化物的气体混合物的气氛中。 根据本发明，由化学式1-1表示的化合物或由化学式1-2表示的化合物是甲烷（CH_4），乙烯，丙烯，甲醇，乙醇，丙醇或它们的组合。 气体混合物还包括水蒸气和选自氮气，氦气，氩气的惰性气体，以及它们的组合。

公开(公告)号：KR1020140110616A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020130025250

申请日：2013-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  박찬호 ,  이남영

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H03F3/193 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: The present invention relates to a high electron mobility transistor device. The device includes a buffer layer formed on a substrate; a face-inversion layer formed on a part of the buffer layer; semiconductor layers formed on the face-inversion layer and the buffer layer; and a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode formed on the semiconductor layers. The high electron mobility transistor device has a stable normally off characteristic.

Abstract translation: 本发明涉及高电子迁移率晶体管器件。 该装置包括形成在基板上的缓冲层; 形成在缓冲层的一部分上的面反转层; 形成在面反转层和缓冲层上的半导体层; 以及形成在半导体层上的源电极，漏电极和栅电极。 高电子迁移率晶体管器件具有稳定的常关特性。