公开(公告)号：KR1020170075874A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150185062

申请日：2015-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 전신애 ,  김택훈 ,  박가람 ,  한용석 ,  장은주 ,  장효숙 ,  정태원 ,  박상현

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  G02F1/017 ,  C09K11/08

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/30 ,  C08K3/32 ,  C08K2201/001 ,  C09K11/703 ,  C09K11/883 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133617 ,  G02F2202/36 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

Abstract: 폴리머매트릭스; 및상기폴리머매트릭스내에분산된복수개의양자점을포함하는양자점-폴리머복합체, 그의패턴과이를포함하는전자소자를제공한다. 상기양자점은제1 반도체물질을포함하는코어; 상기코어상에배치된제2 반도체물질을포함하는적어도한층이상의쉘을가지고, 카드뮴을포함하지않으며, 상기제1 반도체물질은상기제2 반도체물질과다르고, 상기쉘은적어도 2개의브랜치(branch) 및상기적어도 2개의브랜치를연결하는하나이상의밸리부 (valley portion)를가진다.

Abstract translation: 聚合物基体; 以及一种量子点 - 聚合物复合物，其包括分散在聚合物基质中的多个量子点，其图案以及包括该量子点聚合物复合物的电子器件。 其中量子点包括包含第一半导体材料的核心; 其中第一半导体材料不同于第二半导体材料，并且壳包括至少两个分支和至少一个包括至少两个分支的分支， 并且至少一个谷部连接至少两个分支。

公开(公告)号：KR101711085B1

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020090096480

申请日：2009-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장효숙 ,  장은주 ,  전신애 ,  홍석환 ,  권수경

IPC: C01B31/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

Abstract: 반도체나노결정입자및 상기반도체결정나노입자의표면에위치하는금속착물리간드를포함하는나노복합입자가제공된다. 나노입자및 상기나노입자의표면에위치하는금속착물리간드를포함하고상기금속착물리간드의말단은가교성작용기를포함하는나노복합입자가제공된다. 상기나노복합입자는상기금속착물리간드를둘러싸는고분자쉘을더 포함할수 있다.

Abstract translation: 纳米颗粒复合物，包括半导体纳米晶体; 和在半导体纳米晶体的表面上的金属络合物配体。 纳米颗粒复合物还可以包括与金属络合物配体接触的聚合物壳。

公开(公告)号：KR101702000B1

公开(公告)日：2017-02-03

申请号：KR1020110108334

申请日：2011-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전신애 ,  장은주 ,  강현아 ,  장효숙 ,  권수경

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L51/0043 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L51/004 ,  H01L51/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 반도체나노결정, 상기반도체나노결정의표면과결합가능한카르복실레이트음이온기(carboxylate anion group, -COO)를가지는고분자및 상기카르복실레이트음이온기와결합가능한금속양이온을포함하는반도체나노결정-고분자복합입자를제공한다.

Abstract translation: 包含半导体纳米晶体的半导体纳米晶体 - 聚合物复合物，包含可与半导体纳米晶体的表面结合的多个羧酸根阴离子基团（-COO - ）的聚合物和可与多个羧酸根阴离子的羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子 组。

公开(公告)号：KR101699540B1

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：KR1020100055436

申请日：2010-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장은주 ,  홍석환 ,  전신애 ,  장효숙

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/703 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L33/502 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

Abstract: 반도체나노결정및 이를제조하는방법이제공된다. 반도체나노결정은베어(bare) 반도체나노결정, 및상기베어반도체나노결정에직접결합되어있는물분자를포함한다.

Abstract translation: 一种半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。

公开(公告)号：KR101644050B1

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：KR1020110092084

申请日：2011-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전신애 ,  한인택 ,  장은주 ,  강현아 ,  장효숙 ,  권수경 ,  이상의

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L23/08 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 케이스본체; 상기케이스본체내부에내장된반도체나노결정과매트릭스; 및상기케이스본체의개구부를봉지하는실런트를포함한다. 상기실런트는약 1 cm(STP) ·cm/m·day·atm 이하의가스투과도및 5 MPa 이상의인장강도를가진다. 또한상기케이스의제조방법및 상기케이스를포함하는광전자소자가제공된다.

公开(公告)号：KR101575139B1

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：KR1020120141736

申请日：2012-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강현아 ,  장은주 ,  전신애 ,  장효숙

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133524 ,  B32B2457/202 ,  C08K9/08 ,  C09D123/0869 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/022 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/106 ,  G02F2202/107 ,  Y02B20/181

Abstract: 액정디스플레이장치용백라이트유닛과이를포함하는액정디스플레이장치가개시된다. 상기백라이트유닛은 LED 광원; 상기 LED 광원에이격되게설치되어상기 LED 광원으로부터입사된광을백색광으로전환시켜액정패널쪽으로출사시키는광전환층; 및상기 LED 광원과광전환층사이에위치하는도광판(light guide panel)을포함하고, 상기광전환층은반도체나노결정및 매트릭스고분자를포함하고, 상기매트릭스고분자는말단에티올(SH)기를적어도 2개가지는제1 모노머및 말단에탄소-탄소불포화결합을적어도 2개가지는제2 모노머가중합된고분자를포함한다.

Abstract translation: 一种用于液晶显示装置的背光单元，所述背光单元包括：发光二极管（“LED”）光源; 与LED光源分离设置的光转换层，将从LED光源发射的光转换成白光，并将白光提供给液晶面板; 以及设置在所述LED光源和所述光转换层之间的导光板，其中所述光转换层包括半导体纳米晶体和聚合物基体，并且其中所述聚合物基质包括第一单体的第一聚合聚合物，所述第一聚合物包含至少两个硫醇 （-SH）基团，每个位于第一单体的末端，第二单体包含至少两个不饱和碳 - 碳键，各自位于第二单体的末端。

公开(公告)号：KR101517094B1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：KR1020130065491

申请日：2013-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장효숙 ,  장은주 ,  전신애

IPC: B82B3/00 ,  C09K11/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/0805 ,  C09K11/0811 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  Y02P20/542

Abstract: 유기용매중에서금속전구체, 비금속전구체, 리간드화합물, 및이온성액체를포함하는반응혼합물을얻는단계; 및상기반응혼합물내에서상기금속전구체와상기비금속전구체간의반응을수행하여제1 반도체나노결정을형성하는단계를포함하는나노결정합성방법이제공된다.

公开(公告)号：KR101525523B1

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：KR1020080130918

申请日：2008-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장효숙 ,  김영환 ,  장은주 ,  전신애

IPC: B82B1/00 ,  B82Y99/00

CPC classification number: B32B27/08 ,  B32B7/12 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/7244 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2307/73 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/20 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/502 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31855

Abstract: 본발명의일 구현예에따른나노결정복합체는반도체나노결정을포함하는매트릭스및 상기매트릭스의적어도일부면 위에코팅되어있고, 산소투과율및 수분투과율이낮은고분자를포함하는차단층을포함한다. 따라서, 반도체나노결정복합체는복합체내부로수분과산소가침투되는것을방지함으로써, 반도체나노결정의고유한특성이유지되고응용소자의안정성및 수명이향상된다.

公开(公告)号：KR1020150016436A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020130091576

申请日：2013-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김택훈 ,  장은주 ,  장효숙 ,  전신애 ,  김현기

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/02 ,  B22F1/00 ,  C22C23/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/64 ,  C22C23/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

Abstract: 마그네슘을 포함하는 제1 전구체와 셀레늄을 포함하는 제2 전구체를, 유기 용매 중에서, 리간드 화합물의 존재 하에, 그리고 선택에 따라 Mg 및 Se 이외의 금속 또는 비금속 원소(A)를 포함하는 제3 전구체와 함께, 반응시켜 MgSe 또는 그 합금의 나노 결정을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 용매 및 상기 리간드 화합물은 산소 작용기를 함유하지 않는 Mg-Se계 나노 결정 합성 방법 및 Mg-Se계 나노 결정이 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及通过化学湿法制备各种组合物的Mg-Si基半导体纳米晶体的方法。 合成Mg-Se纳米晶体的方法包括通过在有机溶剂中在配体化合物的存在下使包含镁和包含硒的第二前体的第一前体与配体化合物的存在反应形成MgSe或纳米晶体的步骤， 以及除了Mg和Se之外的金属或非金属元素（A）的第三前体。 提供一种其中有机溶剂和配体化合物不含氧官能团的Mg-Si基纳米晶体合成方法，以及Mg-Si基纳米晶体。

公开(公告)号：KR1020140056518A

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120120173

申请日：2012-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전신애 ,  장은주 ,  장효숙

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/62 ,  H01L33/04 ,  B82B3/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/025 ,  C09K11/70 ,  C09K11/08 ,  B82B3/008 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/62 ,  H01L33/04

Abstract: Provided are a composition for a semiconductor nanocrystal synthesis including (i) II group and/or III group precursor, (ii) VI group and/or V group precursor, and (iii) acid anhydride or acyl halide, and (iv) solvent, and a method for manufacturing a semiconductor nanocrystal using the same.

Abstract translation: 提供一种半导体纳米晶体合成的组合物，其包括（i）II族和/或III族前体，（ii）VI族和/或V族前体，和（iii）酸酐或酰基卤，和（iv）溶剂， 以及使用其制造半导体纳米晶体的方法。