公开(公告)号：KR102247511B1

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：KR1020140038147

申请日：2014-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상의 ,  미즈사키소이치로 ,  한인택

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/288

Abstract: 변형가능한기재; 및상기변형가능한기재의적어도일부의표면에배치된도전성복합체층을포함하는구조물로서, 상기도전성복합체층은폴리머매트릭스및 상기폴리머매트릭스내에매립된복수개의도전성입자를포함하고, 상기도전성복합체층은, 상기변형가능한기재와함께굴곡또는신장될수 있도록배치되어있고, 상기도전성복합체층의표면의적어도일부는, 상기폴리머매트릭스를용해시킬수 있는용매에의해처리되어상기도전성입자의일부또는전부가노출되어있는구조물및 이를포함한전자소자가제공된다.

公开(公告)号：KR1020170090939A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR1020160011941

申请日：2016-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  충남대학교산학협력단

Inventor： 이상의 ,  정영규 ,  문경석 ,  손희상 ,  이태원 ,  한인택

IPC: H05K9/00 ,  H01B1/12 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01B1/24 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J2301/02 ,  H01B1/22 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/932

Abstract: 마이크로셀룰로오스섬유를포함하는폴리머기재(polymer matrix), 및폴리머기재에분산되어있으며, 금속나노와이어를포함하는도전성나노물질을포함하는도전성복합체로서, 도전성나노물질은 2 이상이집합층을이루어마이크로셀룰로오스섬유표면을둘러싸고있으며, 집합층은폴리머기재표면으로부터내부를향해점차감소하는밀도구배(density gradient)를갖는도전성복합체와, 그제조방법, 및이를포함하는전자기기가제공된다.

Abstract translation: 微纤维素聚合物基材包含纤维（聚合物基体），和分散在基体材料，作为含有导电性纳米材料，其包括金属纳米线的导电性复合材料的聚合物，导电纳米材料由微纤维素纤维的第二异常聚集层 并且，集合体层具有从聚合物基体表面向内侧逐渐减小的密度梯度，其制造方法以及使用其的电子设备。

公开(公告)号：KR1020170068378A

公开(公告)日：2017-06-19

申请号：KR1020160139285

申请日：2016-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세윤 ,  미즈사키소이치로 ,  고행덕 ,  김도윤 ,  김하진 ,  이창수 ,  한인택

IPC: H05B3/12 ,  H05B3/14 ,  C03C8/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 나노물질필러를포함하는발열체및 그제조방법과상기발열체를포함하는장치에관해개시되어있다. 개시된발열체는매트릭스(matrix) 재료와와 나노물질형태의필러를포함한다. 상기나노물질형태의필러는나노시트필러또는나노로드필러일수 있다. 상기나노시트필러는전기전도도가주어진값 이상, 예를들면 1,250S/m인나노시트일수 있다. 상기필러는산화물(oxide), 보라이드(boride), 카바이드(carbide), 칼코게나이드(chalcogenide) 중적어도하나혹은적어도둘을포함할수 있다. 상기매트릭스재료는유리물프리트일수 있다. 상기유리물프리트는일 예로실리콘산화물(silicon oxide)이거나실리콘산화물에첨가물이첨가된것일수 있다.

Abstract translation: 一种包括纳米材料填充物的加热元件，其制造方法以及包括该加热元件的设备。 所公开的加热元件包括基体材料和纳米材料形式的填充物。 纳米材料型填料可以是纳米片填料或纳米棒填料。 纳米片填料可以是具有至少给定值，例如1250S / m的电导率的纳米片。 填料可以包括氧化物，硼化物，碳化物，硫族化合物中的一种或至少两种。 基质材料可以是玻璃棉玻璃料。 游离水熔料可以是例如氧化硅或氧化硅的添加剂。

公开(公告)号：KR101430373B1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：KR1020130147766

申请日：2013-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권순재 ,  이은경 ,  조경상 ,  최병룡 ,  이재호 ,  최성재 ,  한인택

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 다수의 중공 채널들을 포함하는 템플릿, 상기 템플릿의 각 채널 내에 형성된 나노와이어 및 상기 템플릿의 일부 구간이 제거되어 단일의 나노와이어 또는 다수의 나노와이어들이 노출되는 기능부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노와이어 복합체는 저가의 단순 공정에 의해 제조가 가능하고 소형으로 제작이 가능하므로 공진기 또는 각종 센서로 용도 전개가 가능하다.

公开(公告)号：KR1020110054777A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020090111547

申请日：2009-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상의 ,  한인택 ,  김하진 ,  지상수 ,  김동언

IPC: G03G15/20 ,  G03G15/00

CPC classification number: H05B3/0095 ,  G03G15/2053

Abstract: PURPOSE: A heating member adopting a resistive heating layer and a fusing device are provided to reduce a contact resistance with an electrode. CONSTITUTION: A resistive heating layer(313) with a conductive filler is placed in the outer layer of a base material. A heating member(310) generates heat by supplying current through an electrode which is contact to the heating layer. A contact part exposes the conductive filler by removing some part of outer surface of the resistive heating layer.

Abstract translation: 目的：提供采用电阻加热层和定影装置的加热构件，以减小与电极的接触电阻。 构成：具有导电填料的电阻加热层（313）放置在基材的外层中。 加热构件（310）通过与加热层接触的电极提供电流来产生热量。 接触部分通过去除电阻加热层的外表面的一部分来暴露导电填料。

公开(公告)号：KR1020100076800A

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：KR1020080134970

申请日：2008-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손윤철 ,  김용철 ,  한인택 ,  강호석

IPC: H01J1/304 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: PURPOSE: A field emission device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a metal electrode using an electroless plating method on a substrate, thereby removing a vacuum deposition process and an exposure process. CONSTITUTION: At least one groove(105) is formed in a substrate. A metal electrode(110) is formed in the bottom side of a groove. A carbon nanotube emitter(130) comprises an intermetallic compound layer formed on the metal electrode and a carbon nanotubes formed on the intermetallic compound layer. A carbon nanotube emitter comprises a fired paste in which a carbon nanotube and an organic binder are included. A carbon nanotube(135) is formed in order to be exposed to the outside of the plasticized paste.

Abstract translation: 目的：提供场致发射器件及其制造方法，以通过在衬底上形成使用化学镀方法的金属电极来降低制造成本，从而去除真空沉积工艺和曝光工艺。 构成：在衬底中形成至少一个凹槽（105）。 金属电极（110）形成在凹槽的底侧。 碳纳米管发射体（130）包括在金属电极上形成的金属间化合物层和形成在金属间化合物层上的碳纳米管。 碳纳米管发射体包括其中包含碳纳米管和有机粘合剂的烧制糊料。 形成碳纳米管（135）以暴露于塑化糊料的外部。

公开(公告)号：KR100785031B1

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020060116058

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한인택 ,  김우식

IPC: G02F1/1335 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02B5/223 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/30

Abstract: A black matrix for a color filter and a method for manufacturing the same are provided to form a carbon nanotube layer having an ink-phobic property on an upper surface of the black matrix to prevent ink materials for color filter pixels from being mixed. A black matrix comprises a light shielding layer(150) formed on a substrate(110) and a carbon nanotube layer formed on an upper surface of the light shielding layer. The light shielding layer is formed in a predetermined shape to define a plurality of pixel regions(140). The light shielding layer is formed of an ink-philic material. The carbon nanotube layer has an ink-phobic property. The light shielding layer is formed of polymer-based organic resin.

Abstract translation: 提供一种用于滤色器的黑色矩阵及其制造方法，以在黑色矩阵的上表面上形成具有墨迹特性的碳纳米管层，以防止混合滤色器像素的墨水材料。 黑矩阵包括形成在基板（110）上的遮光层（150）和形成在遮光层的上表面上的碳纳米管层。 遮光层形成为预定的形状以限定多个像素区域（140）。 遮光层由亲油材料形成。 碳纳米管层具有防墨水性。 遮光层由聚合物基有机树脂形成。

公开(公告)号：KR100513723B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020020071609

申请日：2002-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영준 ,  송인상 ,  한인택

IPC: H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/018 ,  H01H59/0009

Abstract: MEMS 스위치에 관해 개시된다. 개시된 MEMS 스위치는: 기판과; 상기 기판 상면에 형성되는 신호선과; 상기 정전기력에 의해 변형되어 상기 신호선과 전기적으로 스위칭되는 빔과; 상기 신호선에 마련되는 것으로 상기 빔과의 전기적 접촉을 이루며, 외부로부터의 힘에 의해 탄성 변형하는 스프링형 접촉부를; 구비한다. 접촉부와 빔 간의 접촉의 안정성이 향상된다. 특히 빔 또는 그 하부의 접촉부가 공정 오차에 의해 다소 불균형적으로 형성된다 해도 탄력적 변형을 수반하는 접촉에 의해 이를 보상하여 안정된 전기적 스위칭을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100480745B1

公开(公告)日：2005-05-16

申请号：KR1019980007918

申请日：1998-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성훈 ,  한인택 ,  이정순

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은, 홈이 파인 기판 위에 마이크로웨이브 PECVD법을 사용하여 다이아몬드를 증착시키는 필드 에미터용 다이아몬드 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 상기 홈의 크기를 300㎛ 내지 1000㎛으로 형성하여 상기 홈에 대응되는 부분에 원뿔 홈이 형성된 원뿔 홈형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 하는 점에 그 특징이 있다. 또한, 상기 홈의 크기를 10㎛ 내지 300㎛으로 형성하여 상기 기판과 접촉되는 원뿔 홈 주위에 돌출부가 형성된 튜브 화산형의 다이아몬드 박막이 증착되도록 할 수도 있다

公开(公告)号：KR100438803B1

公开(公告)日：2004-07-16

申请号：KR1019970019304

申请日：1997-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영수 ,  김성훈 ,  한인택

IPC: H01L27/12

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polysilicon thin film is provided to properly control the size of a grain in solid state crystallization by shortening a time interval of generating a nucleus and by arbitrarily controlling the density of a crystalline nucleus according to a process condition. CONSTITUTION: A crystallized silicon nucleus(21) is formed on a substrate(10). Amorphous silicon is deposited on the crystallized silicon nucleus and the substrate. The amorphous silicon is maintained in a predetermined temperature atmosphere and is crystallized with respect to the crystallized nucleus. The size of a polysilicon grain is controlled by adjusting the density of grain silicon nuclei when the crystallized silicon nucleus is formed on the substrate.