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公开(公告)号：KR100244920B1
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019970007777
申请日：1997-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 제조방법에 있어서, (1) 다수의 단결정성장기 내부에서 다수의 실리콘 봉을 형성하는 단계, (2) 상기 (1)의 실리콘 봉을 소정의 두께로 슬라이싱하여 다수의 웨이퍼를 형성하는 단계, (3) 상기 슬라이싱된 웨이퍼의 이력이 기록된 표시수단을 형성하는 단계, (4) 상기 (3)의 단계에서 동일한 이력이 기록된 표시수단들이 형성된 부분을 동시에 배치-그라인딩하는 단계, (5) 상기 (4)의 그라인딩된 웨이퍼들을 동시에 배치-랩핑하는 단계, (6) 상기 (5)의 랩핑된 웨이퍼들을 동시에 배치-폴리싱하는 단계, (7) 상기 (6)의 랩핑된 웨이퍼 상에 상기 (3)의 표시수단을 참고로하여 상기 웨이퍼들의 이력을 각 웨이퍼 표면에 마킹하는 마킹수단을 형성하는 단계, 및 (8) 상기 (7)의 마킹된 웨이퍼들을 세정하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 반도체장치 제조공정 후에도 각 웨이퍼의 이력을 추적하여 반도체장치 제조공정에서의 불량요인을 원인적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990056777A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970076788
申请日：1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 외부환경으로부터 청결한 상태를 유지하도록 보관할 수 있도록 하는 웨이퍼 포장방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 포장방법은, 웨이퍼 표면에 황산화물의 농도가 3 * 10
12 atoms/cm
2 미만으로 존재하도록 하여 웨이퍼를 포장백에 투입하고, 밀봉하여 포장하는 것으로 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 포장이 간단하며, 포장에 따른 저장안정성이 높은 새로운 웨이퍼의 포장방법을 제공하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990042241A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063004
申请日：1997-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 및 불량분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조공정의 식각액 조성물은 불화수소(HF) 60 내지 70 중량％, 탈이온수 25 내지 35 중량％ 및 잔량으로 질산(HNO
3 )이 포함되어 이루어진다.
본 발명에 따른 텅스텐실리사이드막을 포함한 다층막이 형성된 반도체기판 상의 불량분석 방법은, 텅스텐실리사이드막 상에 존제하는 상부막을 제거하는 단계; 상기 식각액 조성물을 이용하여 상기 텅스텐실리사이드막을 제거하는 단계; 상기 텅스텐실리사이드막의 하부막을 제거하여 반도체기판을 노출시키는 단계; 상기 반도체기판을 세코식각(SECO Etching)하는 단계; 및 상기 세코식각한 반도체기판의 불량을 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 하부 웨이퍼 표면에 악영향을 주지않고 상기 텅스텐 실리사이드막을 완벽하게 식각하여, 반도체소자의 불량검사를 수행할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980073771A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009296
申请日：1997-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 세코에쳔트를 통해 에칭된 분석용 배어 웨이퍼의 D-디펙트의 분포 부위 및 분포 정도를 검사할 수 있도록 배어 웨이퍼의 소정 부위를 연삭하기 위한 배어 웨이퍼 연삭용 고정대에 관한 것이다.
본 발명은 원판 형상으로 연삭부에 대향하는 일면 중심 부위에 소정의 평탄도를 갖는 평탄면과, 상기 평탄면의 중심으로부터 등각 외측 방향으로 소정의 경사각을 갖는 빗면이 형성되어 이루진 분석용 배어 웨이퍼 연삭용 고정대에 있어서, 상기 평탄면 중심으로부터 등 간격으로 여섯 개의 빗면이 형성되고, 상호 이웃하는 상기 빗면 사이에 연삭에 의해 생성되는 찌꺼기가 유도 배출되도록 소정 폭과 깊이를 갖는 배출홈이 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 상술한 분석용 웨이퍼를 일회의 연삭으로 여섯 개의 분석용 배어 웨이퍼 시편을 만들 수 있음에 따라 시편 제작에 따른 시간이 절약되고, 연삭 공정시 배출홈을 통해 웨이퍼 조각 등의 찌꺼기를 배출시키도록 함으로써 배어 웨이퍼의 연삭면에 긁힘 현상이 방지되어 보다 정확한 D-디펙트 분석이 이루어지는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980073555A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008893
申请日：1997-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체용 웨이퍼의 앵글 폴리싱용 슬러리조성물과 슬러리조성물 공급장치 및 일렉트론왁스의 제거를 위한 왁스세정조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체용 웨이퍼의 앵글 폴리싱용 슬러리조성물은, 종래의 앵글 폴리싱용 슬러리에 수산화나트륨수용액과 탈이온수를 더 첨가하여서 이루어진다. 또한, 슬러리조성물 공급장치는 슬러리공급탱크(1)와 슬러리공급호스(3) 및 슬러리공급모터(2)를 포함하여 이루어지는 슬러리 공급장치에 슬러리공급탱크(1)내에 슬러리의 응고를 방지하기 위한 교반익(8)을 더 구비하고, 또한 슬러리공급호스(3)를 통하여 탈이온수를 공급하기 위한 급수관(5)을 더 연결시켜 이루어지며, 왁스조성물은 2 내지 6 중량%의 수산화암모늄, 10 내지 22 중량%의 과산화수소 및 잔여량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
따라서, 스크래치의 발생과 일렉트론왁스에 의한 시료의 오염을 줄이고, 슬러리조성물의 응고를 예방하여 보다 정확한 시료의 분석을 가능하게 하는 효과를 제공한다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150096207A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140017369
申请日：2014-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L51/046 , G06F17/278 , G06F17/30657 , G06Q10/10 , H04L51/18
Abstract: 본 기술에 따른 전자 장치의 대화 메시지에서 의미개체 추출 및 이용방법은 전자 장치의 대화 메시지에서 의미개체 추출 및 이용방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 메시지를 송수신하는 동작; 및 상기 적어도 하나 이상의 메시지에 포함된 의미개체를 추출하는 동작을 포함한다.
Abstract translation: 一种用于在电子设备的会话消息中提取和使用语义实体的方法包括以下步骤：发送和接收至少一个消息; 以及提取包括在至少一个消息中的语义实体。
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