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公开(公告)号：WO2022060066A1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：PCT/KR2021/012554
申请日：2021-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치, 컨텐츠 검색 시스템 및 검색 방법이 개시된다. 전자 장치의 컨텐츠 검색 방법은 검색을 위해 제공된 질의에서 키워드를 추출하여 키워드 벡터를 생성하는 단계, 기 설정된 자연어 처리 기반 검색 모델에서 생성된 컨텐츠 인덱싱 데이터와 생성된 키워드 벡터 간의 제1 유사도에 기초하여 검색 컨텐츠 후보군을 획득하는 단계, 학습된 인공 지능 모델에 기초하여 생성된 키워드 벡터와 검색 컨텐츠 후보군에 포함된 컨텐츠의 벡터 데이터 간의 제2 유사도를 획득하는 단계 및 획득된 제1 유사도 및 제2 유사도에 기초하여 검색 컨텐츠 후보군에 포함된 컨텐츠를 정렬하여 제공하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130052743A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020100100688
申请日：2010-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성훈
CPC classification number: G06F3/04883 , G06F3/0482 , G06F3/04842 , G06F3/033 , G06F3/0416 , G06F3/0484
Abstract: PURPOSE: An article selecting method is provided to prevent a user from selecting unnecessary articles in a selection process. CONSTITUTION: A terminal using a touch screen or a mouse provides an article selecting method. The article selecting method comprises a selection step or a releasing step for an article passing through a path which is selected by the mouse or a touch motion(313). [Reference numerals] (301) Display items; (303) Is a multiple selecting mode generated?; (305) Execute the multiple selecting mode; (307) Is touch movement or mouse dragging generated?; (309) Display an item through the path of the touch movement or the mouse dragging as selected; (311) Is the touch movement or mouse dragging terminated?; (313) Confirm the selection of the selection checked items, and terminate the multiple selecting mode; (AA) Start; (BB,DD,FF) No; (CC,EE,GG) Yes; (HH) End
Abstract translation: 目的：提供一种选择方法，以防止用户在选择过程中选择不必要的物品。 构成：使用触摸屏或鼠标的终端提供文章选择方法。 物品选择方法包括通过由鼠标选择的路径或触摸动作的物品的选择步骤或释放步骤（313）。 （附图标记）（301）显示项目; （303）是否产生多重选择模式？ （305）执行多选模式; （307）是否触摸移动或鼠标拖动生成？ （309）通过触摸移动的路径或鼠标拖动来选择项目显示项目; （311）触摸动作或鼠标拖动是否终止？ （313）确认所选项目的选择，并终止多选模式; （AA）开始; （BB，DD，FF）否; （CC，EE，GG）是; （HH）结束
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公开(公告)号：KR100805229B1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060050928
申请日：2006-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 나노임프린트를 이용하여 간단한 공정으로 친수성과 소수성을 동시에 가지는 미세 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명은 소수성을 갖는 미세 구조물을 각인한 스탬프를 이용하여 친수성 레지스트의 표면에 상기 스탬프의 미세 구조물을 복제한다. 상기 미세 구조물의 복제는 상기 스탬프의 미세 구조물을 상기 친수성 레지스트에 접촉시켜 소정 압력으로 가압하고, 가열 또는 자외선 조사하여 상기 친수성 레지스트를 경화하고 나서 상기 스탬프를 이형하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100700986B1
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050073750
申请日：2005-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 광학디바이스의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복수의 프리즘을 갖는 광학디바이스의 제조장치는 백색 광원과; 상기 프리즘과 상기 백색 광원 사이에 마련되어, 상기 백색 광원에서 출사되는 빛으로부터 소정 파장 대역의 빛을 추출하는 파장선택필터와; 상기 파장선택필터로부터 추출된 빛을 상기 프리즘으로 집광하는 집광렌즈와; 상기 프리즘의 위치를 조절하는 스테이지와; 적어도 한 쌍의 상기 프리즘을 통과한 빛의 간섭현상을 표시하는 표시부를 포함한다. 이에 의해 용이하게 복수의 프리즘의 광로장을 일치시킬 수 있는 광학디바이스의 제조장치 및 제조방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR100699270B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050111040
申请日：2005-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B41K3/00 , B81C1/0046
Abstract: A pattern forming apparatus is provided to acquire high qualities from a predetermined pattern and to reduce pattern forming costs. A pattern forming apparatus includes a loading unit(10) for loading a predetermined object, a soft mold, a support body, and a fluid pressure supply unit. The soft mold(20) is installed over the loading unit. The soft mold includes a predetermined pattern. The support body(30) supports the soft mold. The support body encloses a pressurizing space together with the soft mold. A fluid pressure is formed in the pressurizing space. The fluid pressure supply unit(51) supplies a fluid pressure to the pressurizing space.
Abstract translation: 提供图案形成装置以从预定图案获得高品质并且减少图案形成成本。 图案形成装置包括用于装载预定物体的装载单元（10），软模，支撑体和流体压力供应单元。 软模具（20）安装在装载单元上。 软模包括预定图案。 支撑体（30）支撑软模具。 支撑体与软模一起包围加压空间。 在加压空间中形成流体压力。 流体压力供给单元51向加压空间供给流体压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070019819A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050073750
申请日：2005-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B5/04 , G02B27/0012 , G02B2006/12114 , H04N5/335
Abstract: 본 발명은 광학디바이스의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복수의 프리즘을 갖는 광학디바이스의 제조장치는 백색 광원과; 소정 파장 대역의 빛을 추출하는 파장선택필터와; 상기 파장선택필터로부터 선택된 빛을 집광하는 집광렌즈와; 상기 프리즘의 위치를 조절하는 스테이지와; 적어도 한 쌍의 상기 프리즘을 통과한 빛의 간섭현상을 표시하는 표시부를 포함한다. 이에 의해 용이하게 복수의 프리즘의 광로장을 일치시킬 수 있는 광학디바이스의 제조장치 및 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 用于制造光学装置的设备和方法 根据本发明的用于制造具有多个棱镜的光学装置的设备包括：白光源; 波长选择滤波器，用于提取预定波段的光; 聚光透镜，用于会聚从波长选择滤波器中选择的光; 调整棱镜位置的阶段; 以及显示单元，用于显示已经穿过至少一对棱镜的光的干涉现象。 由此，提供了一种能够容易地匹配多个棱镜的光路长度的光学装置的制造装置和方法。
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公开(公告)号：KR1020040062837A
公开(公告)日：2004-07-09
申请号：KR1020030000370
申请日：2003-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성훈
IPC: G06F13/00
Abstract: PURPOSE: A device and a method for processing data in real-time by a software method are provided to operate a signal needed to the system as a pair of the data information representing a size of a signal and the time information representing a maintaining time through software whenever a state of the signal is changed. CONSTITUTION: A microprocessor(110) operates/generates the signal output from a program as the pair of the time information and the data information. A buffer circuit(120) matches the time information and the data information generated from the microprocessor as the pair, stores the information to each storage(120-1,120-2), and sequentially outputs the data information stored in the storage by maintaining the data information as much as the time information matched with the data information. The buffer circuit generates the state information displaying the information storing state of the storage, and the microprocessor decides the output of the time information and the data information depending on the state information.
Abstract translation: 目的：提供一种通过软件方法实时处理数据的装置和方法，以将系统所需的信号作为表示信号大小的一对数据信息和表示维持时间的时间信息 当信号的状态发生变化时，软件就可以了。 构成：微处理器（110）作为一对时间信息和数据信息来操作/生成从程序输出的信号。 缓冲电路（120）将时间信息和从微处理器生成的数据信息作为一对进行匹配，将信息存储到每个存储器（120-1,120-2），并通过维护数据顺序地输出存储在存储器中的数据信息 信息与数据信息匹配的时间信息一样多。 缓冲电路产生显示存储信息存储状态的状态信息，并且微处理器根据状态信息来决定时间信息和数据信息的输出。
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公开(公告)号：KR100279962B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019970076789
申请日：1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법 및 표면디펙트의 모폴로지 분석방법에 관한 것이다.
본 발명의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법은, 웨이퍼 내에 존재하는 벌크디펙트의 위치를 파악하여 상기 벌크디펙트가 존재하는 위치의 근접 영역에 소정의 표식을 마킹하는 시료준비단계; 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있는 시료를 제조하는 시료제조단계; 및 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명의 표면디펙트의 모폴로지 분석방법은, 웨이퍼의 표면을 기준으로 소정의 깊이까지에 존재하는 표면디펙트의 위치를 파악하여 상기 표면디펙트가 존재하는 위치의 근접 영역에 소정의 표식을 마킹하는 시료준비단계; 상기 표면디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있는 시료로 제조하는 시료제조단계; 및 상기 표면디펙트의 모폴로지를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 벌크디펙트 및 표면디펙트로 인한 불량의 원인을 정확하게 규명함으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020000065400A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011633
申请日：1999-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/208
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an ingot of a semiconductor device is provided to manufacture an ingot containing low density oxygen, by determining whether measurement values of an ingot grown at a changed seed rotation speed corresponds to desired measurement values, and by suitably controlling the rotation speed according to the determination result. CONSTITUTION: Characteristic values of an ingot grown at an initial rotation speed of the seed are measured. A temperature gradient of the ingot and a ratio of the seed rotation speed to the temperature gradient are calculated. A seed rotation speed is changed according to the temperature gradient of the ingot and the ratio of the seed rotation speed to the temperature gradient. Characteristic values of the ingot grown at a changed seed rotation speed are measured. Whether Characteristic values of an ingot grown at a changed seed rotation speed and desired values correspond, is determined. When the characteristic values and the desired values correspond, the seed rotation speed is established as the changed speed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的锭的方法，通过确定以改变的种子转速生长的锭的测量值是否对应于期望的测量值，并且通过适当地控制旋转来制造含有低密度氧的锭 速度根据测定结果。 组成：测量在种子的初始转速下生长的锭的特征值。 计算锭的温度梯度和种子旋转速度与温度梯度的比率。 种子转速根据锭的温度梯度和种子转速与温度梯度的比例而改变。 测量以改变的种子转速生长的锭的特征值。 确定以改变的种子转速和所需值对应生长的锭的特征值。 当特征值和期望值对应时，种子转速被确定为改变的速度。
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公开(公告)号：KR1019990065343A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000588
申请日：1998-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/26
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 이온주입공정의 깊이에 따른 이온분포농도 분석방법은 버퍼막이 형성되어 있는 분석할 반도체 웨이퍼에 이온주입공정을 하는 단계;
상기 버퍼막을 제거한 후 상기 반도체 웨이퍼의 특정부분을 양극산화시켜 산화막을 형성하는 단계; 상기 양극산화된 상기 산화막을 제거시키는 단계 및 상기 산화막이 제거된 분석면을 따라 이온주입의 깊이정도에 따른 이온분포농도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 상의 디펙트의 분석방법은 상기 디펙트가 포함된 반도체 웨이퍼의 상기 디펙트 위치를 어드레스(Address)화 한 후상기 어드레스에 따라 상기 디펙트 위치의 상층부분부터 상기 디펙트 위치까지 양극산화(Anodization)시켜 산화막을 형성하는 단계; 상기 양극산화된 상기 산화막을 제거한 후 디펙트를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 10 Å에서 수십 ㎛ 까지 두께 조절가능한 양극산화방법을 사용하므로써 원하는 지점의 이온분포농도와 알아내고자 하는 디펙트의 성분과 형태를 정확히 분석하는 효과가 있다.
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