公开(公告)号：KR1020050033701A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1020030069543

申请日：2003-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인상 ,  윤용섭 ,  최형 ,  김덕환 ,  하병주 ,  황준식 ,  박윤권

IPC: H03H9/24

CPC classification number: H03H9/587 ,  H03H3/02 ,  H03H9/105 ,  H03H9/173 ,  Y10T29/42

Abstract: A method for fabricating an air-gap type FBAR, an FBAR fabricated thereby, and a filter and a duplexer using an FBAR are provided to form simply an air gap without a CMP process, and a process for removing a sacrificial layer by laminating an LCP thin film on a silicon substrate having a cavity part. A first substrate(200) includes a cavity part formed on a predetermined region of an upper surface thereof. A dielectric layer(220) is formed on the first substrate(200) in order to form a first air gap(210) on the cavity part of the first substrate(200). A stacked resonance part(230) is formed by laminating a bottom electrode/piezoelectric layer/top electrode on the dielectric layer(220). A second substrate(240) includes a cavity part formed on a predetermined region of a bottom surface thereof.

Abstract translation: 提供一种用于制造气隙型FBAR，由此制造的FBAR和使用FBAR的滤波器和双工器的方法，以简单地形成没有CMP工艺的气隙，以及通过层压LCP来去除牺牲层的工艺 在具有空腔部分的硅衬底上的薄膜。 第一基板（200）包括形成在其上表面的预定区域上的空腔部分。 在第一基板（200）上形成电介质层（220），以在第一基板（200）的空腔部分上形成第一气隙（210）。 通过在电介质层（220）上层叠底部电极/压电体层/顶部电极而形成层叠谐振部（230）。 第二基板（240）包括形成在其底面的预定区域上的空腔部分。

公开(公告)号：KR102122382B1

公开(公告)日：2020-06-15

申请号：KR1020130086338

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남윤 ,  권상욱 ,  김동조 ,  김봉철 ,  박윤권 ,  안치형 ,  이병희

IPC: H04W12/06

公开(公告)号：KR102108546B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020130111090

申请日：2013-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현 ,  김동조 ,  유영호 ,  권상욱 ,  김기영 ,  김남윤 ,  김봉철 ,  박윤권 ,  송금수 ,  안치형 ,  이병희

IPC: H02J50/12 ,  H02J5/00 ,  H02J7/02 ,  H02J50/40

公开(公告)号：KR102099940B1

公开(公告)日：2020-04-13

申请号：KR1020130084218

申请日：2013-07-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남윤 ,  권상욱 ,  권혁춘 ,  김기영 ,  김봉철 ,  박윤권

IPC: H02J50/80 ,  H02J5/00 ,  H02J7/02 ,  H02J50/12 ,  H02J50/40 ,  H04B5/00

公开(公告)号：KR102042662B1

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：KR1020130086337

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남윤 ,  권상욱 ,  권혁춘 ,  김봉철 ,  박윤권 ,  박재현

IPC: H02J50/80 ,  H02J7/02 ,  H02J50/12 ,  H02J50/40

公开(公告)号：KR102028112B1

公开(公告)日：2019-10-04

申请号：KR1020130003974

申请日：2013-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동조 ,  권상욱 ,  김기영 ,  김남윤 ,  김봉철 ,  박윤권 ,  박재현 ,  송금수 ,  안치형 ,  유영호 ,  윤창욱 ,  이병희

IPC: H02J50/80 ,  H02J5/00 ,  H02J7/00 ,  H02J7/02 ,  H02J50/12 ,  H02J50/40 ,  H02J50/90 ,  H01F38/14

公开(公告)号：KR102028059B1

公开(公告)日：2019-10-04

申请号：KR1020120154708

申请日：2012-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영호 ,  권상욱 ,  김기영 ,  김남윤 ,  김동조 ,  박윤권 ,  송금수 ,  안치형 ,  윤창욱 ,  최진성

IPC: H02J50/12 ,  B60L53/12 ,  H01F38/14 ,  H02J7/02 ,  H02J50/40 ,  H02J50/90 ,  H02J50/80

公开(公告)号：KR102028057B1

公开(公告)日：2019-10-04

申请号：KR1020130006817

申请日：2013-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현 ,  김동조 ,  권상욱 ,  김기영 ,  김남윤 ,  김봉철 ,  박윤권 ,  송금수 ,  안치형 ,  유영호 ,  윤창욱 ,  이병희

IPC: H02J50/00 ,  H01P7/00

公开(公告)号：KR101988009B1

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：KR1020120030164

申请日：2012-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기영 ,  박은석 ,  유영호 ,  권상욱 ,  김남윤 ,  김동조 ,  박윤권 ,  윤창욱 ,  최진성 ,  홍형택

IPC: H02J50/50 ,  H02J5/00 ,  H02J7/02 ,  H02J50/12 ,  H02J50/80

公开(公告)号：KR101985815B1

公开(公告)日：2019-06-05

申请号：KR1020120099102

申请日：2012-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기영 ,  박은석 ,  유영호 ,  권상욱 ,  김남윤 ,  김동조 ,  박윤권 ,  윤창욱 ,  최진성 ,  홍영택

IPC: H02J50/12 ,  H02J7/00