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公开(公告)号：KR101331494B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020070117415
申请日：2007-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01P7/06
Abstract: RF 튜너블 공진기가 개시된다. 본 RF 튜너블 공진기는, 캐비티를 구비한 공동형 공진부 및 외부 신호에 따라 캐비티의 크기를 조정하여, 공동형 공진부의 공진 주파수를 튜닝할 수 있는 구동부를 포함한다. 이에 따라, 공진 주파수를 가변할 수 있으며, 공진 주파수의 가변 범위 또한 향상된다.
캐비티(cavity), 구동부, 튜너블 RF 공진기-
公开(公告)号：KR1020090081218A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: A resonance complex utilizing the wire of a resonant tunneling transistor and a resonance complex manufacturing method are provided to be easily usable in the various low power communications systems. A resonance complex comprises a first terminal(110), a second terminal(120), a wiring unit(130), a third terminal(150), and a potential barrier unit(140). The second terminal is faced with the first terminal. The wiring unit connects the first terminal and the second terminal interval. The wiring unit is resonated to the third terminal. The potential barrier unit is formed on the wiring unit. The potential barrier unit provides the negative resistance component.
Abstract translation: 提供了利用谐振隧道晶体管的导线和谐振复合体制造方法的谐振复合体，可以容易地用于各种低功率通信系统。 共振复合体包括第一端子（110），第二端子（120），布线单元（130），第三端子（150）和势垒单元（140）。 第二个终端面临第一个终端。 接线单元连接第一端子和第二端子间隔。 接线单元与第三端子谐振。 势垒单元形成在布线单元上。 势垒单元提供负电阻分量。
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公开(公告)号：KR1020070059798A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020050119113
申请日：2005-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
Abstract: A system on chip structure comprising an air cavity for isolating elements, a duplexer, and a fabrication method thereof are provided to simplify a process by forming the air cavity together when manufacturing an air gap in manufacturing a device such as an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) requiring the air gap. A duplexer(100) includes a substrate(110). A transmitting stage filter(120) is formed in a first area of one surface of the substrate(110). A receiving stage filter(130) is formed in a second area of one surface of the substrate(110). An air cavity(140) is manufactured by etching the substrate(110) between the first area and the second area. The air cavity(140) isolates the transmitting stage filter(120) and the receiving stage filter(130) from each other.
Abstract translation: 提供了一种包括用于隔离元件的空气腔，双工器及其制造方法的片上系统结构，以便在制造诸如FBAR（薄膜体声波）的装置中制造气隙时，通过将气腔形成在一起来简化工艺 谐振器）需要气隙。 双工器（100）包括基板（110）。 透射级过滤器（120）形成在衬底（110）的一个表面的第一区域中。 接收级过滤器（130）形成在衬底（110）的一个表面的第二区域中。 通过在第一区域和第二区域之间蚀刻基板（110）来制造空气腔（140）。 空气腔（140）将发射级过滤器（120）和接收级过滤器（130）彼此隔离。
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公开(公告)号：KR100718095B1
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020050125525
申请日：2005-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 결합 공진 필터 제작 방법이 개시된다. 본 결합 공진 필터 제작 방법은, 기판의 일 표면 상에 제1 전극, 제1 압전층, 제2 전극, 절연층, 제3 전극, 제2 압전층, 제4 전극을 순차적으로 적층하는 단계 각 층을 순차적으로 패터닝하여, 제1 전극 일부, 제2 전극 일부, 제3 전극 일부를 노출시키는 단계, 제1, 2, 3 전극의 노출 영역 및 제4 전극 일부 영역 각각과 연결되는 복수 개의 연결전극을 제작하는 단계 및 제1 전극의 하부에 위치하는 기판 영역을 식각하여 에어 갭을 제작하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 간단한 공정을 통해 결합 공진 필터를 제작할 수 있게 된다.
결합 공진 필터, 연결전극, 에어갭Abstract translation: 公开了一种组合谐振滤波器制造方法。 所述耦合谐振器的制造方法，在基板的一个表面上的第一电极，所述第一压电体层，第二电极，绝缘层，第三电极，第二压电体层，所述方法包括：层叠的第四电极的每一层 在序列中的图案化的，第一电极部分，第二电极部分，所述第三电极的步骤，第一，第二，以及连接到每个曝光区域和所述第三电极的所述第四电极部多个连接电极的露出部分 并且通过蚀刻位于第一电极下方的基板区域来制造气隙。 因此，可以通过简单的工艺来制造耦合谐振滤波器。
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公开(公告)号：KR100662865B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020030069838
申请日：2003-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49135 , Y10T29/49155
Abstract: 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기는, 기판과, 기판 상에 증착된 보호층과, 기판 상부 표면과 일정 거리 이격되도록 보호층에 증착된 멤브레인층과, 멤브레인층의 상부에 위치하는 적층공진부를 포함한다. 또한, 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법은, 기판 상에 멤브레인층을 증착하는 단계와, 멤브레인층의 양측으로 보호층을 형성하는 단계와, 멤브레인층 상부에 적층공진부를 증착하는 단계와, 보호층 사이에 위치하는 기판의 일부를 제거하여 에어갭을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 스트레스가 없고 단순한 멤브레인층의 형성이 가능하며, 전체적인 제조공정이 간단해지는 효과가 있다.
박막 벌크 음향 공진기, 멤브레인층, 에어갭, LOCOS공정-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060116987A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：KR1020050039665
申请日：2005-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/10
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L25/105 , H01L23/4821 , H01L23/485 , H01L25/0652
Abstract: A duplexer chip and its manufacturing method are provided to improve the efficiency of manufacturing processes by manufacturing independently filters and a phase modulation unit using base and dummy wafers. A duplexer chip comprises a base wafer, a cap wafer, a dummy wafer, a first connection layer and a second connection layer. The base wafer(100) has at least one air gap. A plurality of filters are arranged on the air gap. The cap wafer(200) has a first cavity. The cap wafer is connected with the base wafer. At this time, the first cavity is located over the filters. The dummy wafer(300) has a second cavity. A phase modulation unit is formed on the second cavity. The dummy wafer is connected with the base wafer. The first connection layer(303) is used for connecting electrically the phase modulation unit with the filters. The second connection layer(305) is used for connecting the first connection layer with the phase modulation unit.
Abstract translation: 提供双工器芯片及其制造方法，以通过独立地制造滤波器和使用基底和虚拟晶片的相位调制单元来提高制造工艺的效率。 双工器芯片包括基底晶片，盖晶片，虚设晶片，第一连接层和第二连接层。 基底晶片（100）具有至少一个气隙。 多个过滤器布置在气隙上。 盖晶片（200）具有第一腔。 盖晶片与基底晶片连接。 此时，第一腔位于过滤器上方。 虚设晶片300具有第二腔。 在第二腔体上形成相位调制单元。 虚设晶片与基底晶圆连接。 第一连接层（303）用于将相位调制单元与滤波器电连接。 第二连接层（305）用于将第一连接层与相位调制单元连接。
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公开(公告)号：KR100635268B1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：KR1020040034970
申请日：2004-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/0542 , H03H9/0571 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/706 , Y10T29/42
Abstract: 에어갭형 박막벌크음향공진기를 이용한 필터가 개시된다. 본 필터는, 외부단자와 전기적으로 연결되는 제1포트, 제2포트 및 접지포트가 상부 표면에 형성된 기판, 기판 표면 상에 형성되며, 제1포트 및 제2포트를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 제1박막벌크음향공진기(Film Bulk Acoustic Resonator), 제1포트 및 제2포트 사이에 형성되는 연결노드에 병렬로 연결되는 적어도 하나의 제2박막벌크음향공진기, 및 제2박막벌크음향공진기 및 접지포트를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 인덕터를 포함한다. 본 필터에 구비된 인덕터는 제1 및 2 박막벌크음향공진기와 일체로 제작된다. 이에 따라, 소형 필터를 간단한 공정으로 제조할 수 있게 된다.
박막벌크음향공진기(FBAR), 필터, 듀플렉서, 인덕터-
公开(公告)号：KR100498041B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030049918
申请日：2003-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H3/02
Abstract: 에어갭형 FBAR을 사용한 단일칩 듀플렉서의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 하부전극, 압전층, 상부전극등이 차례로 적층된 구조의 적층공진부가 복수로 제작된 제1기판부의 제조 단계, 복수의 에어갭 및 상기 에어갭 사이에 형성된 Isolation부가 제작된 제2기판부의 제조 단계 및 상기 제1기판부와 제2기판부를 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일칩 듀플렉서의 제조 방법 및 상기의 방법으로 제조된 단일칩 듀플렉서가 제공된다. 이에 따라, 단일칩 듀플렉서를 보다 간단한 공정을 통하여 견고하게 제조할 수 있으며, 기존의 CMOS공정과도 호환성을 이룰 수 있으며, 기생성분을 감소시켜 듀플렉서의 성능이 향상된다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050036225A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020030071850
申请日：2003-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03H3/08
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/0576
Abstract: 상부 표면에 공동부가 형성된 기판; 공동부를 제외한 상기 기판의 상층에 적층된 절연층과; 절연층의 상층과 기판의 하측 각각으로 노출되게 연결되는 한 쌍의 연결패드와; 공동부를 사이에 두고 연결패드 및 절연층 상부에 각각 에어갭을 갖도록 적층되는 제1 및 제2필터부와; 하측에 돌출된 RF 수동소자를 가지며, RF 수동소자가 공동부에 마주하도록 상기 제1 및 제2필터부의 상부에 본딩결합되어 패키징화되는 디바이스 기판부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일칩 듀플렉서 및 그의 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100480777B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020000086370
申请日：2000-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25B39/00
CPC classification number: F28B1/06 , F25B39/04 , F25B2339/043 , F28F3/12
Abstract: 냉각 시스템에 사용되는 평판형 응축기가 개시된다. 개시된 평판형 응축기는, 기상의 냉매가 유입되어 냉각되는 상부 공간과, 기상의 냉매가 응축되어 생성된 액상의 냉매가 담겨지는 하부 공간과, 상부 공간과 하부 공간을 연통시키는 연결부를 그 내부에 한정하는 실질적으로 평판 형상으로 된 케이싱응 구비한다. 케이싱의 상부에는 상부 공간과 연통되도록 냉매 입구가 설치되며, 케이싱의 하부에는 하부 공간과 연통되도록 냉매 출구가 설치된다. 그리고, 연결부를 제외한 상부 공간과 하부 공간 사이의 케이싱의 벽체를 분리시키는 제1 단열 틈이 마련된다. 이와 같은 구성에 의하면, 제1 단열 틈에 의해 상부 공간의 열이 케이싱의 벽체를 통해 하부 공간으로 전도되는 것이 억제되므로, 별도의 과냉기가 없어도 하부 공간 내부의 액상의 냉매가 충분히 냉각될 수 있게 된다.
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