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公开(公告)号：KR1020170103147A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025528
申请日：2016-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/76895 , H01L28/00 , H01L29/66621
Abstract: 미세패턴형성방법에있어서, 식각대상막상에복수의제1 희생패턴들을형성한다. 제1 희생패턴들의측벽들상에제1 스페이서들을형성한다. 제1 희생패턴들을제거한다. 제1 스페이서들과교차하며, 각각라인부분및 상기라인부분보다폭이넓은탭 부분을포함하는복수의제2 희생패턴들을형성한다. 제2 희생패턴들의측벽들상에제2 스페이서들을형성한다. 제2 희생패턴들을제거한다. 제1 스페이서들및 제2 스페이서들의교차영역들에의해정의되는홀 영역들을통해식각대상막을식각한다.
Abstract translation: 在精细图案形成方法中，多个第一牺牲图案形成在待蚀刻的膜上。 由此在第一牺牲图案的侧壁上形成第一间隔物。 第一个牺牲图案被删除。 使第一间隔件相交并形成多个第二牺牲图案，每个第二牺牲图案包括线部分和比线部分宽的接片部分。 由此在第二牺牲图案的侧壁上形成第二间隔物。 删除第二个牺牲模式。 通过由第一间隔物和第二间隔物的交叉区域限定的孔区域蚀刻蚀刻目标膜。
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公开(公告)号：KR101671795B1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020100004506
申请日：2010-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/554 , G06F9/44521
Abstract: 동적링크라이브러리삽입공격을방지하는컴퓨터시스템및 방법을개시한다. 컴퓨터시스템은하나의프로세스가실행가능한코드라이브러리를다른프로세스에동적으로연결하려는동작을모니터링하여연결을차단한다.
Abstract translation: 提供了一种用于防止动态链接库（DLL）注入攻击的计算机系统和方法。 计算机系统监视进程尝试动态地将可执行代码库链接到另一进程的操作，并拦截可执行代码库的动态链接。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150003654A
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020130159806
申请日：2013-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L9/3247 , H04L9/3236 , H04L9/3252
Abstract: 데이터 인증을 위한 서명 정보 생성 및 검증 방법과 이를 위한 시스템을 제안한다.
특히, 미리 정해진 개수의 데이터 세그먼트들에 대한 머클 해시 트리(Merkle Hash Tree; MHT)를 구성하고, MHT의 루트 해시 값을 데이터 세그먼트에 대한 트랩도어(Trapdoor) 해시 값과 연관시키고, MHT의 해시 값 및 트랩도어 해시 값을 데이터 세그먼트와 연관하여 수신기로 전송하는 데이터 세그먼트에 대한 서명 정보를 생성하는 방법을 제공할 수 있다.Abstract translation: 提出了一种用于生成和验证用于数据认证的签名信息的方法及其系统。 更具体地，提供了一种用于为数据段生成签名信息的方法，其为预定数量的数据段形成merkle哈希树（MHT），将MHT的根哈希值与数据段的陷门散列值相关联， MHT的哈希值和陷门散列值到数据段，并将数据段发送到接收器。
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公开(公告)号：KR1020140088657A
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：KR1020130000431
申请日：2013-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0332 , H01L21/0337
Abstract: An etch target layer and first to third mask layers are sequentially formed on a substrate in order to form a pattern structure. Hollow spacers are formed at each corner portion and center portion of first hexagons in a honeycomb shape where the hexagons are continuously arranged on the third mask layer. Second holes are formed between a first hole and the spacers in the spacer by forming a fourth mask pattern at an inner sidewall and an outer sidewall of the spacer. A third mask pattern and a second preliminary mask pattern are formed by etching the second and first mask layers. A second mask pattern including third and fourth holes having a diameter greater than the first and second holes by etching a sidewall of the second preliminary mask pattern. Further, a thin film pattern is formed by etching a first mask layer and the etch target layer using the second mask pattern. The pattern structure may have a target inner diameter.
Abstract translation: 为了形成图案结构，在基板上依次形成蚀刻目标层和第一至第三掩模层。 在第一六边形的每个拐角部分和中心部分处形成空心间隔件，其中六边形连续地布置在第三掩模层上。 通过在间隔件的内侧壁和外侧壁处形成第四掩模图案，在第一孔和间隔物中的间隔物之间形成第二孔。 通过蚀刻第二和第一掩模层形成第三掩模图案和第二预备掩模图案。 第二掩模图案包括通过蚀刻第二预备掩模图案的侧壁而具有直径大于第一孔和第二孔的第三孔和第四孔。 此外，通过使用第二掩模图案蚀刻第一掩模层和蚀刻目标层来形成薄膜图案。 图案结构可以具有目标内径。
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公开(公告)号：KR101329137B1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：KR1020070014052
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 센서 네트워크에서의 키 선분배 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 센서 네트워크에서의 키 선분배 방법은, 아핀 플랜(affine plane)을 이용하여 입사 행렬(incidence matrix)의 형태를 갖는 제1 KPS(Key Predistribution Scheme)를 생성 및 유지하는 단계, 상기 제1 KPS에서 대응되는 키에 따라 분류된 상기 센서 네트워크의 서브 네트워크마다 블롬 스킴(Blom Scheme)을 이용하여 제2 KPS를 생성하는 단계 및 상기 제1 KPS 및 상기 제2 KPS를 이용하여 상기 센서 네트워크의 노드에게 키를 분배하는 단계를 포함한다.
센서 네트워크, 키 선분배, 아핀 플랜(Affine Plane), 블롬 스킴(Blom Scheme), 네스팅 어프로치(Nesting Approach)
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