公开(公告)号：KR1020160063003A

公开(公告)日：2016-06-03

申请号：KR1020140166443

申请日：2014-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍우람 ,  이은경 ,  최병룡

IPC: H01L35/30

CPC classification number: H01L35/30 ,  H01L35/02 ,  H01L35/32

Abstract: 열공급부, 상기열 공급부의일면에위치하는열전소자, 그리고상기열전소자의일면에위치하는열 교환기를포함하고, 상기열 교환기의적어도어느일면은제1 매질인대기와접촉하여위치하고대기이외의유체를포함하는제2 매질에대하여흡착성을가지는매질흡착부를가지는열전장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及通过有效地将介质供应到热交换器来使形成在热电元件中的温差最大化的热电装置。 热电装置包括：供热单元; 位于所述供热单元的一个表面上的热电元件; 以及位于所述热电元件的一个表面上的热交换器。 热交换器的至少任何一个表面被定位成与作为第一介质的空气接触，并且包括在包括除了空气之外的流体的第二介质上具有吸附的介质吸附单元。

公开(公告)号：KR1020150146388A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020150068129

申请日：2015-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정일 ,  이은경

IPC: C07D495/12 ,  C07D495/04 ,  C07D409/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 하기화학식 1로표현되는유기화합물, 상기화합물을포함하는유기박막, 유기박막트랜지스터및 전자소자에관한것이다. [화학식 1] A - B 상기화학식 1에서, A 모이어티및 B 모이어티는각각독립적으로 4개이상의고리가융합된축합다환기로, 하기화학식 2 내지 4 중어느하나로표현되는기이고, [화학식 2] [화학식 3][화학식 4]상기화학식 2 내지 4에서, Ar내지 Ar, X및 X, R내지 R는명세서에서기재한바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的有机化合物，有机薄膜，有机薄膜晶体管和包含该化合物的电子器件。 在化学式1中，A部分和B部分独立地是与四个或更多个环稠合且由化学式2至4中的任一个表示的稠合多环基团。在化学式2至4中，Ar 1至Ar 6 ，X ^ 1，X ^ 2和R 1〜R 4与说明书中所述相同。

公开(公告)号：KR1020150056051A

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：KR1020140156415

申请日：2014-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정일 ,  이은경

IPC: C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/30

Abstract: 4개이상의고리가모두융합되어있어고축합되고(highly-fused) 높은평면성으로인하여분자간에전하의이동이원할히일어나는비대칭축합다환헤테로방향족화합물을제공한다. 또한, 상기비대칭축합다환헤테로방향족화합물을포함하는유기박막및 상기박막을캐리어수송층으로포함하는전자소자에관한것이다.

Abstract translation: 提供了由于大于或等于4个环的融合而高度融合的不对称稠合多环杂芳族化合物，并且由于高平面性质而具有高的分子间电荷迁移率。 此外，本发明涉及包含该不对称稠合多环杂芳族化合物的有机薄膜和包含有机薄膜作为载流子传输层的电子器件。 本发明的不对称稠合多环杂芳族化合物由化学式1-1或化学式1-2表示。

公开(公告)号：KR1020140102025A

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020130015399

申请日：2013-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주영 ,  구본원 ,  박정일 ,  정종원 ,  정지영 ,  양혜연 ,  이방린 ,  이은경 ,  이지열

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/107 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248

Abstract: The present invention relates to a thin film transistor display panel, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the same. The thin film transistor display panel includes a gate electrode which is formed on a substrate, an organic semiconductor which overlaps the gate electrode, a source electrode and a drain electrode which are electrically connected to the organic semiconductor, a fluorine-containing organic insulation layer which covers the organic semiconductor, and a photosensitive organic insulation layer which covers the fluorine-containing organic insulation layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法及包括该薄膜晶体管显示面板的电子设备。 薄膜晶体管显示面板包括形成在基板上的栅电极，与栅电极重叠的有机半导体，与有机半导体电连接的源电极和漏电极，含氟有机绝缘层， 覆盖有机半导体，以及覆盖有机有机绝缘层的感光性有机绝缘层。

公开(公告)号：KR101430260B1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020070007500

申请日：2007-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이방린 ,  이은경 ,  김주영 ,  한국민

IPC: C08G75/32 ,  C08G75/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: C07D417/04 ,  C07D417/14 ,  C07D421/14 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0512 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 고분자 주쇄에 p-형 반도체 특성을 지닌 티오펜, n-형 반도체 특성을 지닌 티아졸이외에 p-형 특성을 가진 헤테로 아릴렌기 또는 아릴렌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 유기박막트랜지스터용 티아졸 함유 유기 반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 티아졸 함유 유기반도체 고분자는 유기용매에 대한 우수한 용해성, 공평면성 (Coplanarity), 가공성 및 우수한 박막특성을 가진다.
유기반도체고분자, 티오펜, 티아졸, 아릴렌, 유기박막트랜지스터

公开(公告)号：KR101395454B1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：KR1020070096055

申请日：2007-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  유재호 ,  최병룡 ,  남승호

IPC: G02B1/11 ,  B01J23/52 ,  B01J29/03 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B01J23/52 ,  B01J29/0308 ,  B01J2229/186 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G02B2207/107 ,  Y10S428/913 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249961 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/249994

Abstract: 본 발명은 그레이디드 굴절률을 갖는 광학 필름 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명의 광학 필름은 균일한 크기의 다수의 기공을 포함하는 메조다공성 물질을 포함하는 하나 이상의 반사방지막을 포함하고, 상기 기공 내에 공기 또는 상기 메조다공성 물질과 다른 굴절률을 갖는 충진 물질을 포함함으로써, 메조다공성 물질과 기공 내의 충진 물질의 부피비의 조절에 따라 원하는 크기의 유효 굴절률을 얻을 수 있고 순차적으로 변화하는 굴절률 분포를 갖게 되어 우수한 반사방지의 성능을 확보할 수 있을 뿐 아니라, 이러한 광학필름의 제조 방법은 나노와이어 성장 기술을 응용할 수 있어 대량 생산이 용이하다는 장점이 있다.
메조다공성 물질, 그레이디드 굴절률, 유효 굴절률, 광학 필름

公开(公告)号：KR101278768B1

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：KR1020060033549

申请日：2006-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병룡 ,  조경상 ,  권순재 ,  이은경 ,  이재호

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H05B33/20 ,  Y10T428/2929

Abstract: 본 발명은 매트릭스로 실리카층을 포함하고, 전극 및 발광재료를 구비한 글래스 템플릿을 포함하는 전계 발광소자 및 상기 전계 발광소자를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 전계 발광소자는 실리카가 매트릭스로 충진되어 있어, 글래스 템플릿의 발광층과 전극의 간극을 채우지 않고도 구조가 안정화 되어 있을 뿐만 아니라, 공정이 용이하다는 이점을 지니기 때문에, 디스플레이 장치, 조명용 장치 및 백라이트 유닛 등 다양한 전자장치에 효과적으로 적용될 수 있다.
글래스 템플릿, 실리카층, 전극, 발광재료, 전계 발광소자

公开(公告)号：KR1020130035621A

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：KR1020110100034

申请日：2011-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정대영 ,  김태호 ,  노영근 ,  이은경 ,  최병룡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L41/00

Abstract: PURPOSE: An optoelectronic device including a piezoelectric structure and a manufacturing method thereof are provided to amplify a piezoelectric effect by forming nanowires and a dielectric layer with the same materials. CONSTITUTION: A plurality of nanowires(130) have a piezoelectric property. A dielectric layer(140) buries the lower sides of the nanowires and includes the piezoelectric property. A semiconductor layer(150) covers the upper side of the nanowires exposed on the dielectric layer. The dielectric layer includes ferroelectrics.

Abstract translation: 目的：提供一种包括压电结构及其制造方法的光电子器件，通过形成具有相同材料的纳米线和介电层来放大压电效应。 构成：多个纳米线（130）具有压电特性。 电介质层（140）埋在纳米线的下侧并且包括压电性质。 半导体层（150）覆盖暴露在电介质层上的纳米线的上侧。 电介质层包括铁电体。

公开(公告)号：KR101224785B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020060034947

申请日：2006-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  권순재 ,  조경상 ,  이재호

IPC: H01L21/20 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 다공성 글래스 템플릿을 이용하여 SLS(solid-liquid-solid) 또는 VLS(vapor-liquid-solid)에 의해 나노와이어를 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 멀티프로브의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 의하면, 간단하고 경제적인 공정에 의해 직진성 및 배열성이 우수한 나노와이어를 제조할 수 있고, 초격자(superlattice) 또는 하이브리드(hybrid) 등 복합 구조의 나노와이어를 수득할 수 있다.
다공성 글래스 템플릿, 나노와이어, 직진성, 배열성, 초격자, 하이브리드, 멀티프로브, SPM

公开(公告)号：KR101206659B1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：KR1020060091653

申请日：2006-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  김태상 ,  이방린 ,  이상윤 ,  이은경

IPC: C08L25/00 ,  C08L25/06 ,  C08L101/00

CPC classification number: C08L65/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 고분자 화합물의 사이사이에 저분자의 올리고머 화합물이 분포되어 있어, 유기반도체 박막 형성시에 상기 저분자의 올리고머 화합물이 유기반도체 고분자 화합물의 빈 공간을 채워줌으로써 π-π 적층(stacking)을 증대시킬 수 있는 유기반도체 조성물 및 이를 이용한 유기반도체 박막 및 유기 전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 유기반도체 조성물을 이용하여 전기적 특성이 우수한 반도체 박막 및 유기 전자소자를 제조할 수 있다.
유기반도체 조성물, 고분자 화합물, 올리고머 화합물, π-π적층, 유기 전자소자, 유기박막 트랜지스터