公开(公告)号：KR100481181B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020069262

申请日：2002-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진성 ,  김영남 ,  정현담 ,  이선영

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

Abstract: 반도체소자의 다공성 물질막 형성방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 물분자들과 반응하는 불순물들을 함유하는 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 물질막을 갖는 기판을 대기압보다 높은 고압력, 수증기 분위기 및 실온보다 높은 고온을 갖는 조건 하에서 큐어링하여 상기 물질막 내에 기공들(pores)을 생성시킨다.

公开(公告)号：KR1019990062415A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019980020027

申请日：1998-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  구주선

IPC: H01L21/3205