公开(公告)号：KR101512490B1

公开(公告)日：2015-04-17

申请号：KR1020080092821

申请日：2008-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동민 ,  강보람 ,  김영남 ,  임영삼

IPC: C09K13/06

Abstract: 도전성 범프 형성시 사용되는 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법에서, 상기 범프 하부 도전층 식각용 조성물은 과산화수소 40 내지 90 중량%와 수산화암모늄 또는 수산화테트라알킬암모늄을 포함하는 염기성 수용액 1 내지 20 중량%와 알콜계 화합물 0.01 내지 10 중량% 및 에틸렌디아민계 킬레이트제 2 내지 30 중량%를 포함한다. 상기 식각용 조성물을 이용한 식각 공정시 티타늄 또는 티타늄 텅스텐을 포함하는 범프 하부 도전층의 식각 효율을 증가시킬 수 있으며, 티타늄 산화물을 포함하는 이물질을 완전히 제거시켜 프로브 니들의 오염을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR101493048B1

公开(公告)日：2015-02-13

申请号：KR1020090017169

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  백종선 ,  김영남 ,  조형석 ,  강선진 ,  유버들

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 측정 장치를 제공한다. 상기 반도체 소자 측정 장치는 식각 및 성장되는 CD 영역과 상기 CD 영역과 연결되는 정상 영역으로 이루어지는 전체 영역을 갖는 시료로 전자 빔을 조사하는 빔 출사부; 및 상기 빔 출사부와 전기적으로 연결되며, 상기 시료의 표면으로부터 반사되는 전자 빔으로부터 반사도 값을 상기 전자 빔의 파장에 따라 취득한 이후에 상기 CD 영역과 상기 정상 영역의 사이에서의 반사도 값의 차이가 발생되는 영역의 파장 범위를 선택하여 설정하는 분석부를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 소자 측정 장치를 사용한 반도체 소자 측정 방법도 제공한다. 따라서, 본 발명은 반도체 소자에 대한 두께 및 물성에 따는 반사도 변화를 최소화하고, 특정 파장을 모니터링 할 수 있도록 파장 범위를 설정하여 반도체 소자의 측정 부분에 대한 CD 값을 정확하게 측정 및 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090053679A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020080092821

申请日：2008-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동민 ,  강보람 ,  김영남 ,  임영삼

IPC: C09K13/06

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 도전성 범프 형성시 사용되는 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법에서, 상기 범프 하부 도전층 식각용 조성물은 과산화수소 40 내지 90 중량%와 수산화암모늄 또는 수산화테트라알킬암모늄을 포함하는 염기성 수용액 1 내지 20 중량%와 알콜계 화합물 0.01 내지 10 중량% 및 에틸렌디아민계 킬레이트제 2 내지 30 중량%를 포함한다. 상기 식각용 조성물을 이용한 식각 공정시 티타늄 또는 티타늄 텅스텐을 포함하는 범프 하부 도전층의 식각 효율을 증가시킬 수 있으며, 티타늄 산화물을 포함하는 이물질을 완전히 제거시켜 프로브 니들의 오염을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过使用用于凸块下冶金层的蚀刻组合物形成凸块结构的方法。 在用于凸块下冶金（UBM）层的蚀刻组合物和形成凸块结构的方法中，蚀刻组合物包含约40重量％至约90重量％的过氧化氢（H 2 O 2），约1重量％ 至约20重量％的包含氢氧化铵（NH 4 OH）或四烷基氢氧化铵的碱性水溶液，约0.01重量％至约10重量％的醇化合物，和约2重量％至30重量％的 乙二胺类螯合剂。 蚀刻组合物可以有效地蚀刻包括钛或钛钨的UBM层并除去杂质。

公开(公告)号：KR1020090015600A

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：KR1020070080056

申请日：2007-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강호성 ,  김봉수 ,  김영남

IPC: H01L21/66

Abstract: A method of inspecting a wafer and apparatus for performing the same is provided to minimize damage to wafer due to ARC by continually detecting whether arc was generated in wafer or not and controlling electron beam irradiation to wafer. In a method of inspecting a wafer and apparatus for performing the same, the electron beam is irradiated from the electron beam radiation unit to the wafer(S210). At that, the electron beam is irradiated to the surface of the wafer mounted the stage vertically down. The electron beam is passed through an iris straightly and is controlled to a desired direction through a deflection member. The arc detecting unit detects whether arc is generated due to the electron beam in wafer or not(S220). The arc generation is detected by the ARC detection unit measuring the current variance of the between the electrode and the stage. The ARC detection unit discontinues the operation of the power supply when arc is detected by the arc detecting unit(S230). The electron beam is irradiated to the wafer from the electron gun when arc is not detected by the ARC detection unit(S240). Faults generated in wafer are detected by the fault detecting unit detecting the secondary electrons emitted from the wafer(S250).

Abstract translation: 提供检查晶片的方法及其执行装置，以通过连续检测是否在晶圆中产生电弧以及控制对晶片的电子束照射来最小化ARC导致的对晶片的损伤。 在检查晶片的方法和执行该晶片的设备的方法中，电子束从电子束辐射单元照射到晶片（S210）。 此时，电子束被照射到安装在舞台上的晶片的垂直向下的表面。 电子束直线通过虹膜，并通过偏转构件被控制到期望的方向。 电弧检测单元检测由于晶片中的电子束是否产生电弧（S220）。 电弧产生由ARC检测单元检测，测量电极和电极之间的电流方差。 当由电弧检测单元检测到电弧时，ARC检测单元停止电源的操作（S230）。 当ARC检测单元未检测到电弧时，电子束从电子枪照射到晶片上（S240）。 故障检测部检测从晶片发出的二次电子，检测晶片中产生的故障（S250）。

公开(公告)号：KR1020080076426A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070016321

申请日：2007-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전태승 ,  이정환 ,  김영남 ,  김현준

IPC: H01L21/66

Abstract: A method for setting an inspection region is provided to set objectively and rapidly the inspection region by reducing the number of inspection region setting processes. An image acquisition process is performed to acquire an image from a semiconductor substrate having a bonding pad(S10). A process for setting a bonding pad region is performed to set a bonding pad region by using gray level information about pixels of the image and the first gray level information corresponding to the bonding pad(S20). A process for setting a probing mark region is performed to set a probing mark region by using the second gray level information corresponding to a probing mark formed in the bonding pad(S30). A process for setting an inspection region is performed to set an inspection region by eliminating the probing mark region from the bonding pad region(S40).

Abstract translation: 提供了一种用于设置检查区域的方法，通过减少检查区域设置处理的次数来客观地和快速地设置检查区域。 执行图像获取处理以从具有接合焊盘的半导体衬底获取图像（S10）。 执行用于设定接合焊盘区域的处理，以通过使用关于图像的像素的灰度级信息和对应于接合焊盘的第一灰度级信息来设置接合焊盘区域（S20）。 执行用于设置探测标记区域的处理，以通过使用对应于在焊盘中形成的探测标记的第二灰度级信息来设置探测标记区域（S30）。 执行用于设置检查区域的处理，以通过从接合焊盘区域消除探测标记区域来设置检查区域（S40）。

公开(公告)号：KR1020080017677A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：KR1020060079160

申请日：2006-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한도석 ,  정용길 ,  김영남 ,  김현준

IPC: H01L21/66

Abstract: An apparatus for measuring surface resistance is provided to change automatically a probe head by implementing a guide pin for protruding a selected probe head among plural probe heads mounted in a rotation plate. An apparatus for measuring surface resistance includes a wafer stage(110), a probe arm(120), a plate(130), plural probe heads(140), and a guide pin(150). The wafer stage supports a wafer(100). The probe arm is formed at an upper portion of the wafer supported on the wafer stage in parallel with the wafer. The plate is formed at an end portion of the probe arm in parallel with the wafer. The probe heads are formed at an edge of the plate. The guide pin protrudes a probe head among the plural probe heads toward the wafer.

Abstract translation: 提供了一种用于测量表面电阻的装置，通过实现用于在安装在旋转板中的多个探头中突出选定的探针头的导销来自动改变探针头。 用于测量表面电阻的装置包括晶片台（110），探针臂（120），板（130），多个探针头（140）和引导销（150）。 晶片台支撑晶片（100）。 探针臂形成在与晶片平行的支撑在晶片台上的晶片的上部。 该板在探针臂的与晶片平行的端部处形成。 探头形成在板的边缘。 引导销将多个探针头中的探针头朝向晶片突出。

公开(公告)号：KR1020080014363A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020060075959

申请日：2006-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성호 ,  김기정 ,  김영남 ,  김현준 ,  전태승 ,  박종제 ,  함성욱

IPC: H01L21/304

Abstract: A chuck cleaning apparatus of semiconductor device manufacturing equipment and a chuck cleaning method using the same are provided to remove a particle from the chuck by spraying nitrogen gas to a lower portion and a side portion of the chuck to load a wafer. A chuck cleaning apparatus of semiconductor device manufacturing equipment comprises a gas jet orifice(108), a particle absorber(112), and an exhaust pipe(114). The gas jet orifice is formed under a chuck(104) which a wafer(106) is loaded on, and jets gas with predetermined pressure for separating a particle attached under the chuck from the chuck. The particle absorber absorbs the particle separated from the chuck by the gas. The exhaust pipe exhausts the absorbed particle to the outside of a process chamber(100).

Abstract translation: 提供半导体器件制造设备的卡盘清洁装置和使用其的卡盘清洁方法，以通过将氮气喷射到卡盘的下部和侧部来装载晶片来从卡盘中去除颗粒。 半导体器件制造设备的卡盘清洁装置包括气体喷射孔（108），粒子吸收器（112）和排气管（114）。 气体喷射孔形成在装载有晶片（106）的卡盘（104）的下面，并且以预定压力喷射气体，以将附着在卡盘下方的颗粒与卡盘分离。 颗粒吸收剂通过气体吸收从卡盘分离的颗粒。 排气管将吸收的颗粒排出到处理室（100）的外部。

公开(公告)号：KR1020070074137A

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：KR1020060001906

申请日：2006-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임창수 ,  김영남 ,  김현준 ,  윤소영 ,  박선욱 ,  김영민

IPC: H01L21/02

Abstract: A pad for controlling a grating open ratio of a clean room is provided to optimize effectively the differential pressure and air flow in producing equipment by changing freely the grating open ratio under operation of the producing equipment using a plurality of protrusions of a plate. A grating open ratio controlling panel(100) includes a plate(102) and a plurality of protrusions(104) on the plate. The plurality of protrusions of the plate are inserted into openings of a grating in order to control an open ratio of the grating. The number of the protrusions is the same as or smaller than that of the openings of the grating.

Abstract translation: 提供了一种用于控制洁净室的光栅打开比率的焊盘，用于通过使用多个板的突起在生产设备的操作下自由地改变光栅打开比，从而有效地优化生产设备中的压差和空气流量。 光栅打开比控制面板（100）包括板（102）和板上的多个突起（104）。 板的多个突起被插入到光栅的开口中，以便控制光栅的开放比。 突起的数量与光栅的开口的数量相同或者更小。

公开(公告)号：KR1020070069605A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050131922

申请日：2005-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박평선 ,  김정수 ,  김봉수 ,  김영남

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8851 ,  G01N2021/8874

Abstract: A method for detecting defects on a semiconductor wafer is provided to accurately measure the size of a defect depending upon a type of the defect by classifying the defect into particle defect and pit defect. Defects existing on a surface of a wafer are classified, and then a curve representing a size of each defect is prepared. The size of each defect is measured by using the curve. The curve comprises a calibration curve prepared by using a laser scattering volume reflected from the defect. The defect comprises a falling defect dropped from the surface of the wafer and a defect dug on the surface.

Abstract translation: 提供了一种用于检测半导体晶片上的缺陷的方法，以通过将缺陷分类为颗粒缺陷和凹坑缺陷来精确地测量取决于缺陷类型的缺陷尺寸。 将存在于晶片表面上的缺陷分类，然后准备表示每个缺陷的尺寸的曲线。 通过使用曲线测量每个缺陷的尺寸。 该曲线包括通过使用从缺陷反射的激光散射体积制备的校准曲线。 该缺陷包括从晶片表面掉落的下落缺陷和在表面上挖出的缺陷。

公开(公告)号：KR1020070068013A

公开(公告)日：2007-06-29

申请号：KR1020050129637

申请日：2005-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤덕 ,  강동민 ,  김기정 ,  김영남 ,  배제식 ,  김기현 ,  최경진 ,  이지성 ,  임영삼

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/02381

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent warpage of a first wafer by attaching a second wafer to the back surface of a first wafer and by growing a silicon epitaxial layer on the front surface of the first wafer. An oxide layer(110) can be formed on the back surface of a first wafer(100). To the back surface of the first wafer doped with impurities of first density, a second wafer doped with impurities of second density lower than the first density is attached. A silicon epitaxial layer(140) is grown on the front surface of the first wafer by using the second wafer as a diffusion preventing layer for preventing the impurities doped into the first wafer from being diffused.

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，通过将第二晶片附着到第一晶片的背面并通过在第一晶片的前表面上生长硅外延层来防止第一晶片的翘曲。 可以在第一晶片（100）的背面上形成氧化物层（110）。 在掺杂有第一密度的杂质的第一晶片的背表面上，附着掺杂有低于第一密度的第二密度的杂质的第二晶片。 通过使用第二晶片作为扩散防止层，在第一晶片的前表面上生长硅外延层（140），以防止掺杂到第一晶片中的杂质被扩散。