公开(公告)号：KR1020030071418A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：KR1020020011105

申请日：2002-02-28

Applicant: 한국교통대학교산학협력단 ,  (주)세원하드페이싱

Inventor： 어순철 ,  김일호 ,  이영근 ,  이정일

IPC: H01L23/36

Abstract: PURPOSE: A method of producing heat sink package by rotating jig type plasma thermal spray is provided to efficiently and economically fabricate a heat sink substrate adaptable to an IC package of a hermetic 4 sided seal type by performing a plasma spraying process using alumina powder. CONSTITUTION: Oxygen free high-conductive copper(OFHC) as a raw material and coating powder are prepared. A grit blasting(G/B) process is performed. The surface of copper is plated. A black oxide process is carried out. A spraying process is performed.

Abstract translation: 目的：提供通过旋转夹具式等离子体热喷涂制造散热器封装的方法，以通过使用氧化铝粉末进行等离子体喷涂工艺来有效且经济地制造适用于密封型四面密封型IC封装的散热片基板。 构成：制备作为原料的无氧高导电铜（OFHC）和涂料粉末。 进行喷砂（G / B）处理。 镀铜表面。 进行黑色氧化物处理。 进行喷雾处理。

公开(公告)号：KR100234912B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019970001840

申请日：1997-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조국형 ,  김일호

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 HDP(High Density Plasma) CVD 설비의 세정 장치에 관한 것으로, 챔버 세정 공정시 챔버 벽에 설치되는 세정용 RF 발생장치와 벽면 사이에 걸리는 직류 전압을 제어함으로써 챔버 벽면에 도포되어 있는 파티클을 단시간에 완전히 제거하여 설비 가동률과 웨이퍼 수율을 향상시킬 수 있고, 챔버가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100234542B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019970007776

申请日：1997-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준영 ,  김일호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/203

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판에 기 형성된 메탈막 상에 소정의 막을 형성시키기 위한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 화학기상증착법을 이용하여 상기 메탈막 상에 상기 소정의 막을 적층시키는 적층공정과, 스퍼터링법을 이용하여 기 적층된 상기 소정의 막의 일부를 식각시키는 식각공정을 동일 챔버 내에서 소정의 시간동안 주기적으로 반복수행하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행시간을 단축시키고, 또한 소정의 막의 균일한 형성으로 제품의 신뢰도가 향상되어 전체적으로 생산성이 극대화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980072812A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970007776

申请日：1997-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준영 ,  김일호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/203

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판에 기 형성된 메탈막 상에 소정의 막을 형성시키기 위한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 화학기상증착법을 이용하여 상기 메탈막 상에 상기 소정의 막을 적층시키는 적층공정과, 스퍼터링법을 이용하여 기 적층된 상기 소정의 막의 일부를 식각시키는 식각공정을 동일 챔버 내에서 소정의 시간동안 주기적으로 반복수행하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행시간을 단축시키고, 또한 소정의 막의 균일한 형성으로 제품의 신뢰도가 향상되어 전체적으로 생산성이 극대화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980039928A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960059046

申请日：1996-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정영철 ,  김일호

IPC: H01L21/205

Abstract: 공정챔버내에 넣어진 웨이퍼를 공정온도로 가열하는 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 화학기상증착 장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 복수개의 공정챔버(21) 및 엘리베이터(23)와, 상기 공정챔버(21)와 엘리베이터(23) 사이에 구비된 로드락챔버(22)와, 상기 로드락챔버(22)에 설치되어 엘리베이터(23)에 놓인 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내어 공정챔버(21)로 이송 및 반송시키는 로봇(24)으로 구성된 반도체 화학기상증착 장치에 있어서, 상기 로드락챔버(22)의 일측에 프리히팅챔버(25)를 설치하고, 이 프리히팅챔버(25)내에 상,하로 이송가능한 히팅블록(26)을 설치하며, 상기 히팅블록(26)에는 다수매의 웨이퍼를 올려놓고 가열할 수 있는 히터(27)를 구비하여 이루어진 것이다.
따라서 공정챔버 내부의 온도를 공정온도로 상승시키는 시간이 단축되어 생산성이 향상되는 것이고, 공정초기에 실시하였던 Ar 플라즈마에 의한 프리히팅이 필요없어 Ar 플라즈마에 의한 디바이스 손상 및 열적손상이 방지되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR2019970027884U

公开(公告)日：1997-07-24

申请号：KR2019950048840

申请日：1995-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강수 ,  김일호

IPC: B25B13/00

Abstract: 본고안은기계부품의결합에사용되는스크루우에관한것으로서, 그스크루우는렌치용제1육각홈(12)이형성된헤드부(10)와축부(20)로구성되어있고, 그리고상기축부(20)는물체내에나사상으로뚫고들어갈수 있는나사부(22)를구비하고있다. 이러한스크루우의헤드부(10)는상기제1육각홈(12)이저부에형성된방사상의형상을갖는제2육각홈(14)이형성되어있어, 상기제2육각홈(14)에 1자형드라이버또는육각형드라이버가끼워지도록되어있다. 상기스크루우에의하면, 헤드부의육각홈이마모되어서렌치를사용할수 없어도 1자형또는육각형드라이버를사용하여조립된기계부품으로부터상기스크루우가용이하게제거될수 있다.

公开(公告)号：KR1020170098367A

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：KR1020160019771

申请日：2016-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤석 ,  김일호 ,  김창호

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/471 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/373 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2924/3511

Abstract: 본발명은지지기판및 이를사용한반도체패키지의제조방법을제공한다. 지지기판은제1 플레이트; 상기제1 플레이트상의제2 플레이트; 및상기제1 플레이트및 상기제2 플레이트사이에개재된접착층을포함할수 있다. 상기접착층은상기제1 플레이트및 상기제2 플레이트보다높은열팽창계수를가질수 있다. 반도체패키지의제조에서, 상기지지기판에의해몰딩막의휨이방지될수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种支撑基板以及使用该支撑基板和半导体封装件的制造方法。 支撑基板包括第一板; 第一板上的第二板; 以及介于第一板和第二板之间的粘合剂层。 粘合剂层可以具有比第一板和第二板更高的热膨胀系数。 在制造半导体封装件时，可以通过支撑基板防止成型膜的翘曲。

公开(公告)号：KR1019980072817A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970007781

申请日：1997-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정영철 ,  김철희 ,  조국형 ,  김일호

IPC: H01L21/205

Abstract: 챔버내에 생성된 플라즈마 소스를 이용하여 에치(Etch) 또는 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition) 공정을 수행하는 반도체 제조용 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 내부에 진공상태를 유지할 수 있도록 밀폐된 디퓨젼 챔버(11)와, 상기 디퓨젼 챔버(11)내에 구비되고 상면에 공정수행을 위한 웨이퍼(W)가 놓여지는 일렉트로드(12)와, 상기 디퓨젼 챔버(11)의 상측에 형성된 벨자와, 상기 벨자의 외측 주연부에 설치되어 고주파 전압을 인가받는 안테나로 구성된 반도체 제조용 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 벨자를 적어도 하나 이상 설치하고 각각의 벨자에 안테나를 설치하여 플라즈마 영역을 확장시키고, 상기 웨이퍼(W)가 놓여지는 일렉트로드(12)를 회전시키기 위한 회전수단을 구비하여 이루어진다.
따라서 플라즈마 영역이 넓어지고 웨이퍼의 회전이 가능하게 됨으로써 12인치 이상의 대구경 웨이퍼에 대해서도 균일한 공정이 수행되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100116626B1

公开(公告)日：1997-06-17

申请号：KR1019930032281

申请日：1993-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고균희 ,  김일호 ,  김철희 ,  안웅관

IPC: H01L21/308

公开(公告)号：KR1020150026247A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130104813

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일호 ,  권준식 ,  이주형 ,  한의범 ,  홍지선 ,  치라칸티,비이랍하드랍바

IPC: G06F21/35 ,  G06F13/14 ,  G06F9/44

CPC classification number: G06F21/35 ,  H04B17/318 ,  H04W4/80 ,  H04W12/08 ,  G06F13/14

Abstract: 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 전자장치가, 근거리통신을 수행하는 근거리통신부와; 상기 근거리통신부를 통해 근거리통신이 연결된 상대 전자장치의 RSSI값과 상기 상대 전자장치의 송신세기 값을 이용하여 상기 전자장치의 잠금을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 다른 실시예도 가능하다.

Abstract translation: 电子装置及其控制方法技术领域本发明涉及电子装置及其控制方法，该电子装置能够方便地解除电子装置的锁定。 根据本发明的各种实施例的电子设备包括用于执行近场通信的近场通信单元和使用经由近场通信单元连接的对方电子设备的RSSI值来控制电子设备的锁定的控制单元，以及 对应电子设备的传输强度值。 其他实施例是可用的。