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公开(公告)号：KR101315054B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120013473
申请日：2012-02-09
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계, 상기 촉매층 상에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 성장 단계, 상기 ZnO 나노와이어 상에 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 ZnO 나노와이어 기반의 표면 처리 방법과 이 방법에 의하여 표면 처리된 구조물의 구성을 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020130092034A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120013473
申请日：2012-02-09
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire is provided to maintain the proper water contact angle of a substrate structure for a long time by coating the structure with a Teflon solution on the zinc oxide nanowire through a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A surface processing method based on a zinc oxide nanowire comprises the following steps: preparing a substrate; forming a catalyst layer on the substrate; growing the zinc oxide nanowire on the catalyst layer; and forming a coating layer on the zinc oxide nanowire. The growing step comprises the following steps: preparing a growing solution with a molar ratio of polyethylenimine of 0.03 M, ammonium chloride of 0.09 M, and a molar ratio of zinc nitrate hexahydrate of 0.015 M, and hexamethylenetetramine of 0.015 M; dipping the substrate with the catalyst layer inside the growing solution; and growing the zinc oxide nanowire using a hydrothermal synthesis method. A coating layer formation step comprises the following steps: mixing two solutions with a ratio of Teflon AF 160 and FC 50 of 1:5 and 1:10; and coating the mixture on the zinc oxide nanowire using a spin coater method. [Reference numerals] (101) Step of preparing a substrate; (103) Step of forming a catalyst layer by using liquid catalyst; (105) Step of growing ZnO nanowire; (107) Step of washing; (109) Step of coating; (111) Step of heat-treating
Abstract translation: 目的：提供一种基于氧化锌纳米线的表面处理方法，通过水热合成法将氧化锌纳米线上的特氟纶溶液涂覆结构，长时间保持基体结构的适当水接触角。 构成：基于氧化锌纳米线的表面处理方法包括以下步骤：制备基板; 在基板上形成催化剂层; 在催化剂层上生长氧化锌纳米线; 并在氧化锌纳米线上形成涂层。 生长步骤包括以下步骤：制备0.03M聚乙烯亚胺摩尔比为0.09M，硝酸锌六水合物摩尔比为0.015M，六亚甲基四胺为0.015M的生长溶液; 将衬底与催化剂层浸入生长溶液内; 并使用水热合成法生长氧化锌纳米线。 涂层形成步骤包括以下步骤：将特氟隆AF 160和FC 50的比例为1:5和1:10的两种溶液混合; 并使用旋涂机将该混合物涂布在氧化锌纳米线上。 （附图标记）（101）准备基板的工序; （103）使用液体催化剂形成催化剂层的工序; （105）生长ZnO纳米线的步骤; （107）洗涤步骤 （109）涂布步骤 （111）热处理工序
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63.发明授权
公开(公告)号：KR101291147B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020100128728
申请日：2010-12-15
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재에 관한 것으로, 노광 공정 없이 촉매층 위에 금속 마스크층을 형성하여 성장되는 산화아연 나노와이어의 밀도를 조절하여 산화아연 나노와이어의 길이 및 직경을 개선 및 제어하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 산화아연 소재의 촉매층이 형성된다. 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층이 형성된다. 그리고 복수의 성장 구멍에 노출된 촉매층 부분을 기반으로 복수의 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. 이때 금속 마스크층의 소재는 저융점 금속으로서, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나가 사용될 수 있다. 이러한 금속 마스크층은 촉매층 위에 코팅된 금속 나노파티클 소재의 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다. 또는 금속 마스크층은 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 형성된 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130034735A
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020110098763
申请日：2011-09-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A capacitive droplet discharging device of a slit structure is provided to improve mass production by obtaining a multi-nozzle by arranging a plurality of nozzles and to discharge droplets accurately and stably. CONSTITUTION: A capacitive droplet discharging device(100) of a slit structure comprises a first body(110) and a second body(120). The first body discharges ink to a substrate. The second body receives the ink and supplies the ink to the first body by being joined to the first body. The first body is formed into a hexahedron form including first and second faces. The first body includes; a first ink flowing slot which is formed by being extended from the first face to a part of the second face; and a second ink flowing slot which is formed to be inserted from a third face parallel to the first face to a first face side.
Abstract translation: 目的：提供一种狭缝结构的电容式液滴喷射装置，通过设置多个喷嘴并精确稳定地喷射液滴获得多喷嘴来提高批量生产。 构成：狭缝结构的电容式液滴喷射装置（100）包括第一主体（110）和第二主体（120）。 第一主体将墨水排出到基板。 第二主体接收墨水并通过接合到第一主体将墨水供应到第一主体。 第一体形成包括第一和第二面的六面体形式。 第一个身体包括; 第一墨水流动槽，其从第一面延伸到第二面的一部分; 以及第二墨水流动槽，其形成为从与第一面平行的第三面插入到第一面侧。
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公开(公告)号：KR1020110131394A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100050812
申请日：2010-05-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A system for growing large area zinc oxide nano-wires is provided to grow zinc oxide nano-wires electrode devices of uniform densities, lengths, and diameters based on a circulated double-jacket type bath. CONSTITUTION: A system(10) for growing large area zinc oxide nano-wires includes a zinc oxide growing bath(100) and a circulated double-jacket type bath(200). A substrate holder is arranged in the zinc oxide growing bath, and a growing solution is introduced into the zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath surrounds the zinc oxide growing bath and uniformly applies heat to the entire zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath includes oil and a heat insulating material. The oil transfers heat to the entire zinc oxide growing bath using a water bath mode. The heat insulating material is arranged at the external side of the bath.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长大面积氧化锌纳米线的系统，用于生长基于循环双层套管的均匀密度，长度和直径的氧化锌纳米线电极器件。 构成：用于生长大面积氧化锌纳米线的系统（10）包括氧化锌生长浴（100）和循环双层套管（200）。 在氧化锌生长槽中设置衬底保持器，并且将生长溶液引入氧化锌生长浴中。 循环的双层套管围绕氧化锌生长浴，并对整个氧化锌生长浴均匀地加热。 循环的双层套管包括油和绝热材料。 油使用水浴模式将热量传递到整个氧化锌生长槽。 绝热材料布置在浴槽的外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110076695A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090133454
申请日：2009-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A silicon thin film solar cell device by electroless plating, and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost for the solar cell device by using an electroless plating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon thin film solar cell device by electroless plating comprises the following steps: forming an amorphous silicon layer(200) having the amorphous property on a substrate(110) for the photoelectric conversion; forming a metal catalyst layer on the amorphous silicon layer using an electroless plating process; and forming a polycrystalline silicon layer by heat-processing the amorphous silicon layer including the metal catalyst layer.
Abstract translation: 目的：通过无电镀处理硅薄膜太阳能电池器件及其制造方法，通过使用化学镀处理来降低太阳能电池器件的制造成本。 构成：通过无电解电镀制造硅薄膜太阳能电池器件的方法包括以下步骤：在用于光电转换的衬底（110）上形成具有非晶性的非晶硅层（200）; 使用化学镀方法在所述非晶硅层上形成金属催化剂层; 以及通过对包括金属催化剂层的非晶硅层进行热处理而形成多晶硅层。
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公开(公告)号：KR1020110075726A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132252
申请日：2009-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A cathode electrode including a carbon nano tube in an electric field emitting device and a manufacturing method thereof are provided to omit a pre process and a post process by patterning a metal adhesion layer with laser after the carbon nano tube is formed on the metal adhesion layer. CONSTITUTION: A metal adhesion layer(200) is formed on a substrate(100) and includes a carbon nano tube ink layer(300) by coating carbon nano tube ink. The substrate and the metal adhesion layer are patterned with laser.
Abstract translation: 目的：提供一种在电场发射器件中包括碳纳米管的阴极及其制造方法，其中在碳纳米管形成在金属上之后，通过用激光图案化金属粘合层来省略预处理和后处理 粘附层。 构成：通过涂覆碳纳米管油墨，在基板（100）上形成金属粘合层（200），并包括碳纳米管油墨层（300）。 用激光对衬底和金属粘合层进行图案化。
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公开(公告)号：KR101040956B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090016542
申请日：2009-02-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/0445 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 상부에 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하고, 산화아연 시드층을 열처리 하고, 열처리된 산화아연 시드층을 수용액에 넣어 복수의 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)를 성장시키고, 산화아연 나노와이어를 포함하여 산화아연 시드층 위에 박막 실리콘을 형성하고, 산화아연 시드층 및 박막 실리콘 위에 전극을 형성하는 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 수용액 상태에서 성장시킨 산화아연 나노와이어를 투명전극으로 활용하여 단위면적당 셀의 유효면적을 크게 할 수 있고, 입사된 태양광을 보다 효율적으로 산란시킬 수 있어 태양전지의 효율을 개선할 수 있다.
산화아연 시드층, 산화아연 나노와이어, 박막 실리콘, 태양전지-
公开(公告)号：KR100972381B1
公开(公告)日：2010-07-27
申请号：KR1020080074046
申请日：2008-07-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 도전성 배선 상에 탄소나노튜브 잉크를 도포하여 도전성 배선 가장자리에서 횡방향으로 튀어나오도록 탄소나노튜브 다발을 형성함으로써, 수직 정렬하는 과정 없이도 전계 방출에 기여하는 유효 탄소나노튜브 수를 증가시킬 수 있는 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조방법은 전계 방출 소자의 캐소드 전극에 있어서, 절연층이 형성된 기판 상에 형성되는 도전성 배선; 및 상기 도전성 배선 상에 상기 도전성 배선의 폭보다 넓은 크기를 갖도록 탄소나노튜브 잉크를 도포하여 상기 도전성 배선의 가장자리에서 횡방향으로 튀어나오도록 형성되는 탄소나노튜브 다발을 포함함에 기술적 특징이 있다.
전계 방출, 탄소나노튜브, 횡방향, 캐소드 전극-
公开(公告)号：KR1020100010059A
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：KR1020100003067
申请日：2010-01-13
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01J9/025 , C01B32/174 , H01J1/30 , H01J2201/30469
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a cold cathode using a jet printing is provided to remove out-gassing by using one bonding layer form a metal layer, a metal oxide layer or an inorganic material layer on the surface of the substrate without using conventional organic material. CONSTITUTION: A carbon nanotube solution is manufactured by dispersing a carbon nanotube into the mixture of the water or the water and alcohol. One bonding layer among a metal layer, a metal oxide layer or an inorganic material layer is coated on the surface of the substrate. The carbon nanotube solution is printed on the substrate including the bonding layer to a jet printing mode. The jet printing mode uses the inkjet printing method and an air inkjet printing method.
Abstract translation: 目的：提供使用喷墨打印的冷阴极的制造方法，以使用在基板表面上形成金属层，金属氧化物层或无机材料层的一个接合层，而不使用常规有机材料来除去排气 。 构成：通过将碳纳米管分散在水或水和醇的混合物中来制造碳纳米管溶液。 金属层，金属氧化物层或无机材料层中的一个结合层涂覆在基板的表面上。 将碳纳米管溶液印刷在包括结合层的基板上以喷墨印刷模式。 喷墨打印模式使用喷墨打印方法和空气喷墨打印方法。
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