公开(公告)号：KR1020120067249A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020100128728

申请日：2010-12-15

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이경일 ,  조진우 ,  김성현 ,  김선민 ,  노임준 ,  신백균

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y40/00 ,  C01G9/02 ,  C01P2004/16

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of zinc oxide nano-wires using metal masking and a zinc oxide nano-wire material manufactured by the method are provided to control density of growing zinc oxide nano-wires by forming metallic mask layer on a catalyst layer without a light exposure process. CONSTITUTION: A manufacturing method of zinc oxide nano-wires using metal masking comprises the following steps: preparing a substrate(10); forming a catalyst layer(20) of zinc oxide material on the substrate; forming a mask layer(30) having a plurality of growth holes(33) through a thermal process; and growing zinc oxide nano-wires(40) based on the catalyst layer part which is exposed to the plurality of growth holes. The metallic mask layer formation step comprises the following steps: forming a coating layer with 20-30 nano meters thickness by spreading aqueous solution including the metal nano-particles on the catalyst layer; and forming the metallic mask layer by heat treating the coating layer at 150-700 deg. Celsius.

Abstract translation: 目的：提供使用金属掩蔽的氧化锌纳米线的制造方法和通过该方法制造的氧化锌纳米线材料，以通过在不具有光的催化剂层上形成金属掩模层来控制生长的氧化锌纳米线的密度 曝光过程。 构成：使用金属掩模的氧化锌纳米线的制造方法包括以下步骤：制备基板（10）; 在衬底上形成氧化锌材料的催化剂层（20）; 通过热处理形成具有多个生长孔（33）的掩模层（30）; 以及基于暴露于多个生长孔的催化剂层部分生长氧化锌纳米线（40）。 金属掩模层形成步骤包括以下步骤：通过在催化剂层上铺展包含金属纳米颗粒的水溶液，形成20-30纳米厚的涂层; 以及通过在150-700度下热处理该涂层来形成金属掩模层。 摄氏度。

公开(公告)号：KR101291147B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020100128728

申请日：2010-12-15

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이경일 ,  조진우 ,  김성현 ,  김선민 ,  노임준 ,  신백균

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재에 관한 것으로, 노광 공정 없이 촉매층 위에 금속 마스크층을 형성하여 성장되는 산화아연 나노와이어의 밀도를 조절하여 산화아연 나노와이어의 길이 및 직경을 개선 및 제어하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 산화아연 소재의 촉매층이 형성된다. 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층이 형성된다. 그리고 복수의 성장 구멍에 노출된 촉매층 부분을 기반으로 복수의 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. 이때 금속 마스크층의 소재는 저융점 금속으로서, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나가 사용될 수 있다. 이러한 금속 마스크층은 촉매층 위에 코팅된 금속 나노파티클 소재의 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다. 또는 금속 마스크층은 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 형성된 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다.