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公开(公告)号：KR100233999B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960017011
申请日：1996-05-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명에 의한 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.-
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公开(公告)号：KR1019980014361A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033310
申请日：1996-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원 , 엘지전자부품 주식회사
IPC: C04B35/462
Abstract: 본 발명은 유전율이 40 이상으로 크면서도 유전 손실이 적고, 공진 주파수의 온도 계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물로써, x의 범위가 0.3≤x≤0.5이며. (1-x)CaTiO
3 -xCa(Al
1/2 Ta
1/2 )O
3 의 식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970015536A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950029386
申请日：1995-09-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465
Abstract: 본 발명은 높은 품질 계수의 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것으로서, 이 조성물은 (1-x)CaTiO
3 -xLaAlO
3 (0.3≤x≤0.8)으로 표시되는 조성식을 갖는다. 본 발명에 의해 제조된 유전체 조성물은 유전율이 25.5 내지 45.2이고, Q·F
0 (GH
Z )가 22310 내지 101210이며 공진 주파수의 온도 계수가 9.2 내지 -61.55ppm/℃로서, CaTiO와 LaA1O
3 의 조성비를 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이하여 고주파 유전체 공진기 소재로 응용이 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019970001060B1
公开(公告)日：1997-01-25
申请号：KR1019960052597
申请日：1996-11-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465
Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-y)CaTiO3-yLa(Mg1/2Ti1/2)O3, where, y is from 0.3 to 0.9.The dielectric composition according to the invention has dielectric constant of 28.6 to 58.6, Qxfo(GHz) of 29,330 to 71,000, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -53.82 to +52.32 ppm/deg. C, which TCF being able to be controlled at a range of +-10ppm/deg. C depending on amount of addition of impurities, so that the ceramic composition may effectively be used in telecommunication system.
Abstract translation: 描述了具有高质量系数（Q值）和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 电介质陶瓷组合物可以用下式表示：（1-y）CaTiO3-yLa（Mg1 / 2Ti1 / 2）O3，其中y为0.3至0.9。根据本发明的电介质组合物的介电常数为28.6至 58.6，Qmax（GHz）为29,330〜71,000，共振频率（TCF）的温度系数为-53.82〜+ 52.32ppm / deg。 C，哪个TCF能够控制在+ -10ppm / deg的范围内。 C取决于杂质的添加量，使得陶瓷组合物可以有效地用于电信系统中。
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公开(公告)号：KR1019970001056B1
公开(公告)日：1997-01-25
申请号：KR1019940015400
申请日：1994-06-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/465
Abstract: Material comprises a basic compsn.(1) (1-y)SrTiO3-y(La(1-x)Ndx)(Mg1/2Ti1/2)O3(where x=0-0.99 and y=0.4-0.9) which reduces the dielectric loss.
Abstract translation: 材料包括基本组成（1）（1-y）SrTiO3-y（La（1-x）Ndx）（Mg1 / 2Ti1 / 2）O3（其中x = 0-0.99和y = 0.4-0.9） 介电损耗。
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公开(公告)号：KR1019960042928A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950011460
申请日：1995-05-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 강유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법 등을 이용한 Pb(Zr
1-x Ti
x )O
3 (PZT) 강유전 박막 제조에 있어서, 잉여의 Pb성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형상하므로써, 1) 미세크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 2)전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 3) 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.
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