나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조방법 및 센서의 제조방법
    61.
    发明授权
    나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조방법 및 센서의 제조방법 有权
    使用纳米印刷制造高结晶纳米结构的方法和制造晶体管,传感器的方法

    公开(公告)号:KR101510217B1

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:KR1020130029674

    申请日:2013-03-20

    Abstract: 본발명은비진공저온상태에서나노구조를제조할수 있는나노임프린트를이용한고결정성나노구조제조방법및 이를이용한트랜지스터의제조방법및 센서의제조방법에관한것으로, 기판을준비하는준비단계; 상기기판상에용액상태의박막을형성하는박막형성단계; 패턴이형성된스탬프를상기박막에임프린팅하여상기스탬프의패턴에대응되는형상을가지는나노구조를형성하는임프린팅단계; 상기나노구조의결정성장을향상시키도록상기임프린팅단계를통해형성된상기나노구조에잔류하는잔류물을제거하는잔류물제거단계; 상기잔류물제거단계를통해잔류물이제거된상기나노구조를수열공정을통해성장시키는성장단계;를포함하며, 상기임프린팅단계는패턴이형성된스탬프를상기용액상태의박막에접촉시키되모세관현상을통해상기스탬프의패턴내부로상기용액상태의박막을충진시키는스탬프접촉단계; 상기스탬프의상측으로자외선을조사하여상기용액상태의박막을경화시키는경화단계; 상기경화단계를통해경화된박막으로부터상기스탬프를제거하는스탬프제거단계;를포함하는것을특징으로한다.

    금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법
    62.
    发明公开
    금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법 有权
    金属氧化物薄膜图案涂料和金属氧化物薄膜图案使用纳米印刷材料

    公开(公告)号:KR1020140136320A

    公开(公告)日:2014-11-28

    申请号:KR1020130056696

    申请日:2013-05-20

    CPC classification number: C09D4/00 B29C59/02 C09D5/00 C09D201/00

    Abstract: 금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법에 관한 것으로서, 경화시간을 단축시키고 임프린트를 가능하게 하는 최적의 코팅제를 사용하는 것으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 지르코닐 2-에틸헥사노에이트(Zirconyl 2-ethylhexanoate) 및 지르코늄 카복시 에틸 아크릴레이트 (Zirconium caboxyethyl acrylate)로 이루어진 산화지르코늄 전구체, 개시제, 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화박막 패턴형성용 코팅제 및 이를 이용한 나노 임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성 방법이 제공된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于金属氧化物薄膜图案化的涂层剂和使用纳米压印的金属氧化物薄膜图案化方法,该方法使用最佳涂层剂来减少固化时间并实现印迹。 本发明提供了一种金属氧化物薄膜用涂布剂,其特征在于,包括:由本发明的实施方式的2-乙基己酸氧锆和丙烯酸羧乙酯锆构成的氧化锆前体; 引发剂和溶剂; 以及使用纳米压印的金属氧化物薄膜图案化方法。

    다층의 광결정층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법
    63.
    发明公开
    다층의 광결정층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 有权
    具有多层光子晶体层的发光二极管

    公开(公告)号:KR1020140073622A

    公开(公告)日:2014-06-17

    申请号:KR1020120137154

    申请日:2012-11-29

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/504 H01L51/56 H01L2251/56

    Abstract: A method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: forming a first photonic crystal layer having a photonic crystal structure with a nano-structure pattern on a substrate; forming a second photonic crystal layer having the photonic crystal structure with the nano-structure pattern on the first photonic crystal layer; and forming a first electrode layer, a light emitting layer, and a second electrode layer sequentially on the second photonic crystal layer.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的制造发光器件的方法包括以下步骤:在衬底上形成具有纳米结构图案的光子晶体结构的第一光子晶体层; 在第一光子晶体层上形成具有纳米结构图案的具有光子晶体结构的第二光子晶体层; 以及在所述第二光子晶体层上依次形成第一电极层,发光层和第二电极层。

    유기 발광 표시 장치의 제조 방법
    64.
    发明授权
    유기 발광 표시 장치의 제조 방법 有权
    用于制造有机发光二极管显示器的方法

    公开(公告)号:KR101404159B1

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:KR1020120014864

    申请日:2012-02-14

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3258 H01L51/5268 H01L51/5275

    Abstract: 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 위치하는 입자층, 입자층 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 입자층은 복수의 입자 부재, 입자 부재 사이를 채우는 채움 부재를 포함하고, 입자 부재와 채움 부재는 서로 다른 굴절율을 가진다.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法,以通过在没有附加工艺的情况下形成颗粒层来简化制造工艺。 构成:颗粒层(300)位于基板(111)上。 第一电极(710)位于颗粒层上。 发光层(720)位于第一电极上。 第二电极(730)位于发光层上。 颗粒层包括填充颗粒构件之间的空间的多个颗粒构件(32)和填充构件(34)。 粒子层的折射率与填充部件的折射率不同。

    진공 챔버형 대면적 나노 임프린트 장치 및 이를 이용하는 방법
    65.
    发明授权
    진공 챔버형 대면적 나노 임프린트 장치 및 이를 이용하는 방법 有权
    真空室型纳米压印装置及其使用方法

    公开(公告)号:KR101387950B1

    公开(公告)日:2014-04-22

    申请号:KR1020120044864

    申请日:2012-04-27

    Abstract: 본 발명은 진공 챔버형 대면적 나노 임프린트 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 진공 챔버형 대면적 나노 임프린트 장치는 기판 상에 증착되는 레지스트를 패터닝하는 임프린트 장치에 있어서, 일부가 분리가능한 형태로 마련되어 개폐 가능하게 마련되는 하나의 챔버; 진공상태가 되도록 상기 챔버 내부의 공기를 배출시키는 진공형성부; 임프린팅 스탬프를 상기 레지스트로부터 상측으로 이격되도록 거치하되, 임프린팅 작업시에는 상기 임프린팅 스탬프가 상기 레지스트 측으로 자유낙하 하도록 거치해제하는 거치부; 상기 챔버의 내부에 배치되며, 진공 상태의 상기 챔버 내에서 상기 기판을 상측으로 가압하고, 상기 레지스트가 상기 임프린팅 스탬프의 패턴 내로 충진될 수 있도록 상기 레지스트가 증착된 기판을 상하로 이동시키는 승강부;를 포함하며, 상기 승강부가 상측으로 소정 간격 이동하여 상기 기판을 상기 임프린팅 스탬프에 근접시킨 뒤, 상기 거치부가 상기 임프린팅 스탬프를 거치해제하여 상기 임프린팅 스탬프를 상기 레지스트 상에 안착시키는 것을 특징으로 한다.
    이에 의하여, 진공상태에서 캐비티가 형성되는 현상없이 고품질의 나노 임프린팅 공정이 가능한 진공 챔버형 대면적 나노 임프린트 장치가 제공된다.

    콜로이드 광결정막 제조장치 및 이를 이용한 콜로이드 광결정막 제조방법
    66.
    发明公开
    콜로이드 광결정막 제조장치 및 이를 이용한 콜로이드 광결정막 제조방법 有权
    胶体光电晶体膜的制造装置及其使用方法

    公开(公告)号:KR1020140030512A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:KR1020120096184

    申请日:2012-08-31

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/70758 G03F7/70775 G03F7/7085

    Abstract: Disclosed are a device for manufacturing a colloid photonic crystal film and a method of manufacturing a colloid photonic crystal film using the same. The device for manufacturing a colloid photonic crystal film according to one embodiment of the present invention includes a housing having an open upper portion; a substrate mounting frame disposed in the housing; and a height adjusting part coupled with the substrate mounting frame to adjust the height of the substrate mounting frame.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造胶体光子晶体膜的装置以及使用其制造胶体光子晶体膜的方法。 根据本发明的一个实施例的用于制造胶体光子晶体膜的装置包括具有敞开的上部的壳体; 设置在所述壳体中的基板安装框架; 以及与基板安装框架连接的高度调节部件,以调整基板安装框架的高度。

    나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
    67.
    发明授权
    나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법 有权
    生产纳米印花印花的方法

    公开(公告)号:KR101321104B1

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:KR1020100132656

    申请日:2010-12-22

    Abstract: 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 나노미터 스케일의 미세 패턴이 형성된 고분자 층을 갖는 기재를 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표현되는 모노머 또는 폴리머로 처리하는 공정을 포함한다.
    [화학식 1]
    ABD
    [화학식 2]
    AD
    상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, A는 플루오로카본기 또는 하이드로카본기이고, B는 하이드로카본기 또는 Si(R
    1 )
    2 -O-[Si(R
    1 )
    2 -O-]
    n -Si(R
    1 )
    2 -R
    2 (여기서, R
    1 은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, R
    2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, n은 1 내지 100의 정수임)이고, D는 아크릴레이트기, 메타아크릴레이트기, 비닐 에테르기, 아민기(NR
    3
    2 , 여기에서 R
    3 는 H, CH
    3 또는 C
    6 H
    5 임), 에폭시기, 글리시딜기, 글리시딜 에테르기, 이소시아네이트기(NCO), 에스테르기(COOR
    4 , 여기에서, R
    4 는 H 또는 CH
    3 임), 또는 티올기(SH)이다.

    나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법
    68.
    发明授权
    나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법 有权
    压印纳米印刷及其制造方法

    公开(公告)号:KR101208661B1

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:KR1020100060249

    申请日:2010-06-24

    Abstract: 본발명은상대적으로저렴한비용으로정밀한나노복제품을제조할수 있는나노임프린트용스탬프및 이의제조방법을제공한다. 나노임프린트용스탬프의제조방법은베이스기판의일면에나노미터스케일의미세패턴을형성하는단계와, 미세패턴위에자외선경화형수지를도포하고, 스탬프기판으로자외선경화형수지를눌러베이스기판위에스탬프기판을적층하는단계와, 자외선경화형수지를경화시켜스탬프기판의일면에미세패턴과반대형상을지닌수지몰드층을형성하는단계와, 베이스기판으로부터수지몰드층이고정된스탬프기판을분리시키는단계를포함한다.

    유기발광 디스플레이 및 이의 제조 방법
    69.
    发明公开
    유기발광 디스플레이 및 이의 제조 방법 无效
    有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120053318A

    公开(公告)日:2012-05-25

    申请号:KR1020100114530

    申请日:2010-11-17

    CPC classification number: H01L51/5262 H01L2251/56

    Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display and a manufacturing method thereof are provided to improve brightness and prevent reflection by decreasing a total reflection phenomenon using an intermediate layer or an air layer. CONSTITUTION: A metal oxide pattern layer(20) including a base layer(21) and a light crystal structure(22) is formed on a substrate(10). A filling layer(30) is formed on the metal oxide pattern layer. A transparent first electrode layer(40) is formed on the filling layer. An organic light emitting layer(50) is formed on the first electrode layer. A second electrode layer(60) made of metal is formed on the organic light emitting layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机发光显示器及其制造方法,以通过使用中间层或空气层减少全反射现象来提高亮度并防止反射。 构成:在基板(10)上形成包括基底层(21)和光晶体结构(22)的金属氧化物图案层(20)。 在金属氧化物图案层上形成填充层(30)。 在填充层上形成透明的第一电极层(40)。 在第一电极层上形成有机发光层(50)。 在有机发光层上形成由金属制成的第二电极层(60)。

    나노선 패턴 형성 방법 및 선 편광자 제조 방법
    70.
    发明授权
    나노선 패턴 형성 방법 및 선 편광자 제조 방법 有权
    纳米线模式的形成方法和线偏振器的制造方法

    公开(公告)号:KR101109104B1

    公开(公告)日:2012-02-16

    申请号:KR1020090078066

    申请日:2009-08-24

    Abstract: 본 발명은 선폭이 100nm 이하인 나노선 패턴을 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 나노선 패턴 형성 방법과, 이를 이용한 선 편광자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선 패턴 형성 방법은, 결정질 기판을 고온 열처리하여 자발적으로 볼록부와 오목부를 포함하는 기초 나노선 패턴을 형성하는 제1 단계와, 기초 나노선 패턴 위에 제1 블록과 제2 블록이 결합된 블록 공중합체를 도포 후 열처리하여 라멜라 구조의 제1 블록과 제2 블록을 나누어 정렬시키는 제2 단계와, 제1 블록과 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 나노선 패턴을 형성하는 제3 단계를 포함한다. 제2 단계에서 분리된 제1 블록의 높이와 제2 블록의 높이는 기초 나노선 패턴의 볼록부 높이보다 크다.
    나노선, 결정질, 사파이어, 실리콘, 라멜라, 블록공중합체, 자기조립

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