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公开(公告)号：KR1019940012023A
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：KR1019920020983
申请日：1992-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 마이크로 메커닉스를 이용한 평면 디스플레이 장치에 관한 것으로, 각 화소마다 하나의 마이크로샷터가 정전기력에 의해 개폐됨으로써 정적 또는 동적인 영상을 표시할 수 있는 새로운 디스플레이에 관한 것이다.
본 발명은 디스플레이의 한 화소에 해당하는 마이크로 광개폐기는 표면 마이크로머시닝 기법을 사용하여 제작하며, 좌우 직선운동을 할 수 있는 평판모양의 마이크로 이동자와, 이 이동자를 구동하기 위한 3개의 전극선(selection line,common전극, data line), 이동자와 전극선 사이의 절연체, 그리고 이동자의 운동 가이드 및 블랙 매트릭스(black matrix)역할을 하는 프레임으로 구성되어 있으며, 광개폐기의 이동자를 정전기력으로 구동하여 개구의 개폐를 가능하게 한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 디스플레이는 반도체 공정만으로 제작이 가능하여 조립공정이 필요하지 않으며, 액정과 같은 매개체를 사용하지 않으므로 빛의 손실이 작은 장점이 있다.
그리고 기존 액정 디스플레이의 구동방식과 유사한 방식으로 개폐기 어레이의 구동이 가능하며, 원리상 광개폐기의 크기가 미세화 될 수록 구동이 더욱 용이해지므로 화소밀도가 높은 평면 디스플레이의 구현에 적합한 특징이 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019910008982B1
公开(公告)日：1991-10-26
申请号：KR1019880015987
申请日：1988-12-01
IPC: H01L21/302
Abstract: The via hole of GaAs substrate for MMIC and digital integrated circuit is formed by the following steps: (a) polishing the GaAs substrate with sand paper and alumina powder of 0.05-1μm thickness; (b) etching the substrate using the NH4OH / H2O2 / H2O solution for mirror face polishing of rough surface; (c) sticking the substrate to the micro slide glass using Az1375 photoresist for preventing the cracking of substrate; (d) etching the substrate at temperature of 60-70 deg.C using the etching solution containing the 80ml (85W/O) H3PO4 : 80ml (30W/O) H2O2 : 30ml H2O ratio.
Abstract translation: 用于MMIC和数字集成电路的GaAs衬底的通孔通过以下步骤形成：（a）用厚度为0.05-1μm的砂纸和氧化铝粉末抛光GaAs衬底; （b）使用NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O溶液蚀刻底物，用于粗糙表面的镜面抛光; （c）使用Az1375光致抗蚀剂将基板粘贴到微载玻片上，以防止基板的开裂; （d）使用含有80ml（85W / O）H 3 PO 4 :80ml（30W / O）H 2 O 2 :30ml H 2 O比例的蚀刻溶液在60-70℃的温度下蚀刻底物。
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