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公开(公告)号：KR100155534B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950034143
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 대면적 플랫 패널 디스플레이의 제조방법에 관한 것으로, 유리판을 가공하기 전에 가공하고자 하는 면의 두께를 검사하여 두께오차가 적은 유리판으로 분류하는 단계와, 하부 유리판을 고정시키고 스페이스를 균일하게 산포하는 단계와, 그 위에 복수개의 유리판을 적층하는 단계와, 최상부와 최하부에 각각 판간물질을 개재시키면서 보조 유리판을 접착제를 통해 부착하는 단계와, 이 상태에서 그라인딩과 스무싱과 폴리싱작업을 하는 단계와, 부착된 상태를 해체하는 단계와, 측면가공된 두면에 두께가 거의 같은 보조기구를 사용하는 단계와, 유리판의 접합공정전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 박막 트랜지스터가 형성된 판과 칼라필터가 형성된 판을 형성하는 단계와, 광학적 기준면을 가지면서 진공 척이 내장된 초정밀 평면도 를 유지하고 열팽창 계수가 0인 상태의 판위에 정렬하는 단계와, 박막 트랜지스터판과 칼라필터판의 측면 접합전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 측면 접합시 지지용 유리판과 칼라필터판 사이에 광경화성 접착제를 형성시키는 단계와, 보호막을 제거하고 액정으로 처리하는 단계를 포함하는 것으로, 고화질의 대면적 플랫 패널 디스플레이의 가공성을 좋게 하면서 생산수율의 극대화를 이루고자 한 것이다
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公开(公告)号：KR1019970051705A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052655
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/133
Abstract: 본 발명은 액정 공정과 같은 열처리 고정에 의한 두 판 사이의 스트레스를 최소화하여 궁극적인 대면적 평판 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 그 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 지지용판과 평판 디스플레이의 상판과 하판을 이용하여 타일링할 때에 접착제를 부분적으로 도포하고, 나머지 부분은 충전제를 이용하는데에 있고, 그 다른 특징은 대면적 평탄 디스플레이 제조방법에 있어서, 충전시간을 단축하기 위해 접착제 도포 모양을 여러 개의 영역으로 나누어 도포하여 충전시간을 단축시키는데에 있으며, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 투과형일 때는 충전제가 광투과형이며 접착제와 같은 광학적 특성을 가지는 데에 있고, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 어서, 비투광형일때는 충전제가 광학적 접착제가 광학적 성질이 달라도 상관이 없는 평판 디스플레이 제조에서 지지용 판을 이용하고 상판과 하판을 접착제로 타일링에 의해 대면적화하는 공정 중 접착제와 상판과 하판 사이의 열적 스트레스를 줄이기 위한 방법으로 전면에 접착제를 도포하지 않고 일부만을 도포한 후 나머지 부분을 충전제로 충전하는 데에 있으므로, 본 발명은 열처리 공정에서 제품이 열에 의한 스트레스의 영향을 받아 제품이 열화되는 것을 방지하는 데에 그 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019930005552B1
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：KR1019900015488
申请日：1990-09-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The neural network for minutely controlling the weight of synapse comprises: a liquid crystal light valve array (16), which changes the weight value of synapse selectively; a neural array processor (17), which is connected to the light valve and temporarily stores the weight value of synapse; an amplifier group (18), which amplifys the value outputted from the neural array processor or feedbacks it to the difference amplifier group (19) detecting the error signal. The liquid crystal light valve array is manufactured by forming: a polarization prism (20); a common electrode (22) at the lower side of glass substrate (21); a liquid crystal (24); a thin film transistor (23a) and a pixel electrode (23b) at the upper side of the substrate.
Abstract translation: 用于微小控制突触重量的神经网络包括：选择性地改变突触重量值的液晶光阀阵列（16）; 神经阵列处理器（17），其连接到所述光阀并临时存储突触的重量值; 放大器组（18），其放大从神经阵列处理器输出的值或将其反馈到检测误差信号的差分放大器组（19）。 通过形成偏振棱镜（20）来制造液晶光阀阵列。 在玻璃基板（21）的下侧的公共电极（22）; 液晶（24）; 薄膜晶体管（23a）和位于基板上侧的像素电极（23b）。
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公开(公告)号：KR1019930004294B1
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019900019266
申请日：1990-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: The number of chips are packed by using printed circuit board and plastic package so that the distance between chips is shortened. The plastic multi-chip package includes a dyepaddle (2) fixed on basd (2a) of package (8), a printed circuit board (2) having bonding pad (1c), opening (1a), and vacant region (1a), and chips (3a,3b) deposited at the opening (1a) or the vacant region (1a) of the printed circuit board (1). The chips are connected by lead wires (4b).
Abstract translation: 通过使用印刷电路板和塑料封装来封装芯片的数量，使得芯片之间的距离缩短。 该塑料多芯片封装包括固定在封装（8）的基座（2a）上的一个二把手（2），一个具有接合垫（1c），开口（1a）和空闲区域（1a）的印刷电路板（2） 以及沉积在印刷电路板（1）的开口（1a）或空白区域（1a）处的芯片（3a，3b）。 芯片通过引线（4b）连接。
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公开(公告)号：KR1019920009653B1
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019900010550
申请日：1990-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/06
Abstract: The cystalline thin film (4) of lanthanum aluminate is prepared by (a) maintaining the temperature of the silicon substrate (1) at 100-400 deg.C, (b) flowing the mixture gas which has the ratio of argon to oxygen, 3:1 by the pressure of 10 mTorr, (c) transporting the atoms of lanthanum aluminate ceramics as a sputtering target, retaining the distance between atoms of 20-50 mm, to the surface of the silicon substrate (1), (d) forming the amorphous lanthanum aluminate thin film (3) on the silicon substrate, (e) elevating the temperature to 900-1200 deg.C by 4 deg.C per min. and soaking for 30 min. - 2 hrs. and cooling to the normal temperature by 0.5-1 deg.C per min., and (f) supplying oxygen into the horizontal tube furnace.
Abstract translation: 铝酸镧的晶体薄膜（4）通过（a）将硅衬底（1）的温度保持在100-400℃，（b）将具有氩比的混合气体流入氧气， （c）将作为溅射靶的铝酸镧陶瓷原子输送到硅衬底（1）的表面，保持20-50mm的原子之间的距离，（d） 在硅衬底上形成非晶态铝酸镧薄膜（3），（e）将温度升至900-1200℃，每分钟4℃。 并浸泡30分钟。 - 2小时 并以每分钟0.5-1℃的速度冷却至常温，（f）向水平管式炉提供氧气。
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