公开(公告)号：KR100358133B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1020000086719

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김종회 ,  백용순 ,  박문호 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: G02B6/02

Abstract: 접촉식 노광장비를 사용하되, 측면-테이퍼 패턴 형성시 야기되는 스트레인을 흡수할 수 있는 패드를 테이퍼 끝단에 연결시킨 마스크를 사용하여 리소그라피 공정을 수행하므로써 그 끝단을 0.6um 정도로 형성한 다음, 습식식각에 의해 0.1um의 매우 균일한 측면-테이퍼 도파로(또는 활성층)을 갖는 모드변환기를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이에 따라, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고, 접촉식 노광 장비를 사용하더라도 종래와 같이 과도한 깊은 습식식각을 수행하지 않아도 되어 측면-테이퍼 패턴 제작의 재현성을 높일 수 있다. 또한 이러한 방법에 의해 제작된 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를 광소자와 함께 집적시켜 제작하므로써, 모드변환기의 위치 조절 및 재현성을 높여 수율 증대를 가져올 수 있다.

公开(公告)号：KR100335373B1

公开(公告)日：2002-05-06

申请号：KR1019990052645

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  박찬용 ,  오광룡 ,  한선규

IPC: G02B5/20

Abstract: 본발명은광필터의특성향상을위해제1도파로와제2도파로를수직결합형으로제작하되, 두도파로방향정렬및 간결한공정조건을적용하기에적합한격자도움수직결합형광필터및 그제조방법을제공하고자하는것으로, 이를위한본 발명의격자도움수직결합형광필터는, 수직적으로자기정렬되고, 격자가개재되는부분에서는 'ㅡ'자형으로패턴되며이에연장되어격자가개재되지않는부분에서는 'ㄷ'자형으로갈라지는패턴형상을갖는제1도파로및 제2도파로; 및상기제2도파로의굴절부위에형성되어상기제2도파로상으로진행하는필터링된광파장과상기제1도파로상으로진행하는필터링되지않은광파장을공간적으로소정거리이상분리하는코너리플렉터를포함하여이루어지는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR100324203B1

公开(公告)日：2002-02-16

申请号：KR1019990040255

申请日：1999-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: 본발명은순수이득결합분포궤환형반도체레이저및 그제조방법에관한것이다. 본발명은반도체기판상에결정성장된활성층, 완충층, 회절격자가형성된이득결합층및 클래드층을포함하여수직구조를이루는이득결합형분포궤환반도체레이저에있어서, 활성층보다밴드갭에너지가낮은이득결합층에회절격자를형성한 후, 격자사이를굴절률보상층으로메워기존의회절격자구조를변화시킴으로써, 회절격자가형성되어주기적인광이득/손실을주는이득결합층에서발생하는굴절률변조를굴절률보상층으로상쇄시킨다. 따라서본 발명의이득결합분포궤환형반도체레이저는단일모드수율이높을뿐만아니라높은측모드억제율특성을갖는다.

公开(公告)号：KR1020010028165A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040255

申请日：1999-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A pure gain bond distributed feedback laser diode and a production method thereof are provided to give high mode yield of sun light wavelength and high inhibition of lateral mode, and have good operation property. CONSTITUTION: A distributed feedback laser diode consists of substrate(10), active layer(11), buffer layer(12), gain bond layer(13) and clad layer(14). The layers form perpendicular structure. A diffraction lattice is formed on the gain bond which is disposed adjacent to the active layer. A refractive index compensation layer is filled between diffraction lattices of the gain bond layer, modifying the existing diffraction lattice. Thus diffraction lattice is formed to offset the refractive index alteration by the refractive index compensate layer. A production method comprises growing active layer, buffer layer and gain bond layer on the semiconductor substrate, forming a diffraction lattice on the gain bond layer using laser holography, filling the removed part with the refractive index compensate layer after etching, and re-growing clad layer.

Abstract translation: 目的：提供纯增益键分布式反馈激光二极管及其制造方法，以提供太阳光波长的高模量产量和高横向模式的抑制，并具有良好的操作性能。 构成：分布式反馈激光二极管由衬底（10），有源层（11），缓冲层（12），增益接合层（13）和覆层（14）组成。 层形成垂直结构。 在与活性层相邻设置的增益接合上形成衍射晶格。 在增益接合层的衍射晶格之间填充折射率补偿层，修改现有的衍射晶格。 因此，形成衍射晶格以抵消折射率补偿层的折射率变化。 一种制造方法包括在半导体衬底上生长有源层，缓冲层和增益接合层，在激光全息术的增益接合层上形成衍射晶格，在蚀刻之后用折射率补偿层填充去除的部分， 层。

公开(公告)号：KR100275532B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980038955

申请日：1998-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 리지(ridge) 형태의 갖는 반도체 레이저의 리지 양측에 동일한 간격을 두고 대칭적으로 이온주입영역을 형성하기 위한 고출력 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 공정에서 발생하는 이용하여 원하는 리지 폭을 얻음과 동시에 상부 양측을 동일한 폭으로 덮는 이온주입 마스크를 형성하고, 자동정렬 방법으로 이온을 주입하여 고차 발진을 억제하고 기본 발진에는 영향이 없는 이온주입 영역을 형성하는데 그 특징이 있다. 본 발명에 따라 리지 양측으로부터 일정한 폭을 갖는 언더컷(undercut)을 형성하여 리지 양측으로 동일 간격을 두고 리지를 중심으로 대칭으로 이온주입 영역을 형성 할 수 있게 된다. 따라서, 고 주입전류에서 발생하는 1차 고차 횡모드를 효과적으로 흡수함으로써 고출력 동작에서도 출력 빔이 휘는 현상을 방지하여 광 결합효율이 일정하게 유지되도록 한다. 이에 의해, 칩 및 모듈 특성을 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온주입 마스크를 형성하기 위한 별도의 포토레지스트 패턴 형성 공정을 생략할 수 있어 제조 단가를 절감시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000039391A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device is provided to select and output light wavelength accurately agreed with a preset WDM(wavelength division multiplex) wavelength in DBR range in no relation to the drive conditions of the laser device. CONSTITUTION: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device comprises four areas(4a-4d) consisted of an individual p-electrode and an active layer. One of the four areas is a first reflection area in which continuous diffraction lattice is formed on a light wave guide. One of the four areas is a second reflection area on which periodic diffraction lattice is formed. One of the four areas is a light gain area formed between the first and second reflection areas. The other area of the four areas is a phase correction area formed between the first and second reflection areas.

Abstract translation: 目的：提供振荡波长选择半导体激光器件，以与激光器件的驱动条件无关地选择并输出与DBR范围内的预设WDM（波分复用）​​波长精确一致的光波长。 构成：振荡波长选择半导体激光器件包括由单独的p电极和有源层组成的四个区域（4a-4d）。 四个区域中的一个是在光波导上形成连续衍射格栅的第一反射区域。 四个区域中的一个是形成周期性衍射格栅的第二反射区域。 四个区域中的一个是形成在第一和第二反射区域之间的光增益区域。 四个区域的另一个区域是形成在第一和第二反射区域之间的相位校正区域。

公开(公告)号：KR100246604B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970064104

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98㎛ 반도체 레이저는 종래의 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 채널로부터 그 아래 활성층을 관통하는 영역에 걸쳐 광 흡수 효과를 가지는 이온 주입(ion implantation) 공정을 부가함으로써 고차 횡모드의 발진을 억제하는 기능을 가진다. 즉, RWG형 반도체 레이저의 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 채널 하부의 이온 주입된 활성층에서 흡수, 소멸시킴으로써 고차 횡모드 발진에 수반되는 킹크(kink)와 빔 스티어링beam steering)의 발생을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.

公开(公告)号：KR1020000007257A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: The laser device achieves high optical coupling efficiency with an optical fiber. CONSTITUTION: The laser device comprises an emission angle control optical wave guide(42) fabricated in a mesa etching process to define an active region(40) without etching and crystal growth to suppress the optical absorption of the emission angle control region after epitaxial crystal growth to form the active region of the semiconductor laser. The laser device comprises the active region for the operation of the laser, the wave guide to control the emission angle, a high reflection(HR) coating(41) to operate the laser in the active region and an anti-reflection(AR) coating to obtain high optical output intensity.

Abstract translation: 目的：激光器件利用光纤实现高耦合效率。 构成：激光装置包括在台面蚀刻工艺中制造的发光角度控制光波导（42），以在没有蚀刻和晶体生长的情况下限定有源区（40），以抑制外延晶体生长后的发射角控制区的光吸收 以形成半导体激光器的有源区。 激光装置包括用于激光的操作的有源区域，用于控制发射角的波导，用于在激活区域中操作激光的高反射（HR）涂层（41）和抗反射（AR）涂层 以获得高的光输出强度。

公开(公告)号：KR100232709B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960033174

申请日：1996-08-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  박철순 ,  조호성

IPC: H01S3/094

Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 모듈을 구성하는 케이싱 내부로 연장된 플랜지의 내측 선단에 일정한 파장의 광만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 선택적 광 투과필터를 설치한 것을 그 요지로 하며, 본 발명에 따른 광 투과 필터는 유리 표면에 유전체막을 증착함으로서 형성되며, 이 광 투과 필터는 프레임에 고정된 상태에서 플랜지의 홈에 수용된 프레임의 양축이 플랜지의 홈내에서의 자유로운 회전이 이루어짐에 따라 프레임이 양 축을 기준으로 회전되어 광 투과 필터에 대한 광의 입사각을 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR100162752B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019940031735

申请日：1994-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 송민규 ,  박경현 ,  강승구 ,  이희태 ,  황남 ,  김동구

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 광섬유를 가지는 고속 광통신용 반도체 레이져 모듈의 패키지에 관한 것으로, 본 발명은 광섬유가 부착된 광통신용 레이져모듈의 패키지에 있어서, 정교한 광학 정렬이 필요한 광학부품들이 실린더 형태의 4종류의 하우징으로 조립되어 구성되는 서브모듈의 출력 단자와 버터플라이 패키지의 단자 사이를 전기적으로 접속하고, 페데스탈(pedestal)에 부착되며, 패턴이 형성된 혼성 세라믹 기판; 상기 서브 모듈과 혼성 기판을 보다 완벽하게 케이스 그라운드(case ground)와 연결하기 위한 전도체 박; GRIN 렌즈를 삽입하여 LD 칩과 광 집속형 GRIN 렌즈의 정열시에 횡축방향만을 정열시켜 종축방향에 대한 자유도를 줄이기 위한 렌즈 하우징; 및 광섬유를 보호하기 위하여 본 모듈의 출력부에 설치되는 광섬유 보호자(optical protector)(26)를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기와 같은 본 발명은 기존의 값싸고 저속변조용으로 주로 사용되어 왔던 TO 패키지를 이용하여 고속 광통신용으로 적용시킬 수 있고, 광학적으로 연결을 하기에 종래의 방법보다 저렴한 가격으로 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.