-
公开(公告)号：KR1019990043768A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064810
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/22
Abstract: 본 발명은 입방정 와이비씨오 박막을 이용한 초전도 접합의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 산화물 밑틀층, 제 1 산화물 초전도층, 산화물 절연층, 비초전도 산화물 장벽층, 제 2 산화물 초전도층, 산화물 보호층 및 금속 전극층으로 구성된 터널형 접합을 산화물 단결정 기판 위에 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래의 기술에 의한 터널형 조셉슨 접합은 초전도 박막과 비초전도 장벽 박막 사이의 격자 상수와 열팽창 계수의 차이에 의해서 응력이 발생하여 결정성이 저하되고, 제 1 및 제 2 와이비씨오 초전도 박막의 특성이 저하되어 양질의 터널형 조셉슨 접합을 제조하기가 힘들다.
본 발명에서는 터널형 조셉슨 접합의 성능을 향상시키기 위해서 제 1 와이비씨오 초전도 박막과 제 2 와이비씨오 초전도 박막 모두와 동일한 조성을 갖는 비초전도 장벽 박막을 사용하는 공정으로 양질의 터널형 조셉슨 접합을 제조하는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100148598B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940030618
申请日：1994-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/02
CPC classification number: H01L39/146 , Y10S505/701
Abstract: 이 발명은 두꺼운 초전도채널을 구비한 고온초전도 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 그 방법은 산화물 단결정 기판을 준비하는 공정과; 펄스레이저증착장치를 사용하여 상기 산화물 단결정 기판의 주표면상에 밑틀층을 도포하는 공정과; 상기 밑틀층사에 YBa
2 Cu
3 O
7-x 층을 형성하는 공정과; 상기 YBa
2 Cu
3 O
7-x 층을 패터닝하여 개구부를 갖는 패터닝된 YBa
2 Cu
3 O
7-x 층을 형성하고 그리고 상기 밑틀층의 일부의 표면부분을 노출시키는 공정과; YBa
2 Cu
3 O
7-x 채널층을 상기 밑틀층의 상기 표면부분위에 그리고 상기 패터닝된 YBa
2 Cu
3 O
7-x 층위에 도포하되, 상기 YBa
2 Cu
3 O
7-x 채널층이 60 내지 100nm의 두께를 갖게하는 공정과; 상기 YBa
2 Cu
3 O
7-x 채널층위에 SrTiO
3 보호층과 SrTiO
3 절연층을 차례로 형성하는 공정과; 상기 절연층과 보호층의 일부분을 식각용 마스크를 사용하여 건식식각하여 상기 YBa
2 Cu
3 O
7-x 채널층이 일부의 표면부분들을 노출시키게 하는 공정과; 상기 YBa
2 Cu
3 O
7-x 채널층의 상기 표면부분들의 양측상에 소오스/드레인 전극을 형성하고 그리고 이와 동시에 상기 개구부내에 있는 상기 SrTiO
3 절연층위에 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함한다.
따라서, 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 FET는 60nm이상의 매우 두꺼운 YBa
2 Cu
3 O
7-x 층을 채널층으로 사용할 수 있기 때문에, 종래의 초전도 FET와 비교하여 볼 때, 생산라인에서의 초전도 FET의 생산성을 향상시킬 수 있고, 그리고 이에 의해서 그 초천도 FET의 특성이 개선된다.-
公开(公告)号：KR100137594B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940028974
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비에 사용되는 이온빔 식각장치에 관한 것으로 특히 시편의 실시간 감지기능을 갖는 이온빔 식각장치에 대한 것이다.
종래의 이온빔 식각 장치는 이온빔 발생기의 오염도나 진공장치내의 진공도 및 오염도에 의해 재현성 있는 이온빔 형성이 어렵고 원하는 식각깊이의 식각패턴을 재현성 있게 형성하는 것이 불가능 하였다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 이온빔 발생기와 시편고정 수단을 챔버에 착탈 가능하도록 형성하고 챔버내의 시편의 실시간 분석을 위해 질량분석기를 설치하여 이온빔의 상태를 안정적으로 유지시키며 재현성 있는 식각패턴을 형성하도록 하였다.-
公开(公告)号：KR1019970054589A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050515
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/22
Abstract: 본 발명은 산화물 초전도 상층박마가을 이용하여 초전도체의 장점인 빠른 연산속도와 데이타 처리속도와 낮은 소모전력등의 특성을 지니는 초전도 소자의주 구성요소인 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 접합구조의 제조방법에 관한 석으로서, 그 특징은 초전도체-절연체-초전도체 접합구조에 있어서, 펄스 레이저 중착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산하물 단결정 기판을 은접착제로 부착시키는 제1고정과, 펄스레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제2과정과 증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제3과정과, 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70°중의 어느 각도로 하여 식식각하는 제4과정과, 식각된 a-축 수직한 YBCO 하부전극 위에 펄스 레이저 증착법으로 소정의 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 제5과정과, 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제6과정 및 상기 제5과정에서 증착된 층과 상기 제6과정에서 증착된 층을 건식식각하는 제7과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 기존의 샌드위치형 평면 접합의 경우에 비해 식각공정의 재현성을 높힐 수 있으며, a-축 수직 YBCO 박막을 이용하므로 장벽층의 두께를 두껍게 해도 접합의 형성이 가능하게 되며, 영상처리와 신호처리와 고성능 워크스테이션과 위성 신호처리와 슈퍼 컴퓨터 등을 초고속 및 저전력으로 작동시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR1019970054314A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053636
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/18
Abstract: 본 발명은 고온초전도 박막에 생성된 이중 입계를 이용한 고온초전도 전계효과 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 고온초전도 전계효과 소자의 제조방법에 있어서, 고온초전도 박막을 소정의 산소압력과 소정의 기판온도를 기판 위에 고온초전도 소오스와 드레인을 소정의 두께로 초전도 소오스와 드레인을 형성시키는 제1과정과, 소정의 산소압력과 소정의 온도의 기판온도를 유지하여 산화물을 소정의 두께로 성장시켜 밑틀층을 형성하는 제2과정과, 상기 밑틀층을 식각하는 제3과정과, 고온초전도 박막을 소정의 산소압력과 소정의 기판온도를 유지하여 초전도 채널층을 소정의 두께로 형성시키는 제4과정과, 상기 초전도 채널층을 식각하는 제5과정과, 게이트 절연층을 소정의 산소압력과 소정의 기판온도에서 소정의 두께로 증착하 제6과정과, 상기 게이트 절연층을 식각하는 제7과정 및 상기 초전도 소오스와 드레인 및 게이트에 금속전극을 형성시키는 제8과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 고온초전도 소오스와 드레인 사이의 전류가 이중입계 채널 위에 증착된 게이트 절연층을 통해 가해진 전압에 의해 제어할 수 있고, 더우기 채널로 사용되는 이중입계도 단일 입계에 비해 두 배 이상의 전계효과를 가지며, 고가의 쌍결정 기판을 사용하지 않아도 되므로, 기능성 및 경제성이 증진된 초전도 전계효과 소자를 제작할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
-
Patent Agency Ranking66.发明授权비연속 회전 타깃을 이용한 펄스레이저 증착 YBa_2Cu_3O_7-x 고온초전도 박막의 표면입자 밀도 제어방법 失效用非连续旋转靶控制脉冲激光沉积YBa_2Cu_3O_7-x高温超导薄膜表面颗粒密度的方法
-
-
-
公开(公告)号：KR1019950000113B1
公开(公告)日：1995-01-09
申请号：KR1019910025368
申请日：1991-12-30
IPC: H01L39/00
Abstract: The device speeds up the transfer of multi-information, and has an advantage of high frequency of high temperature superconductor. The method includes the 1st step of designing the optimal size of resonator, the 2nd step of having the metal mask as the laser device, the 3rd step of forming the n&lgr;/2 micro strip high temperature superconduction resonator.
Abstract translation: 该装置加速了多信息传输，具有高频高温超导体的优点。 该方法包括设计谐振器最佳尺寸的第一步，将金属掩模作为激光器件的第二步，形成n＆lgr / 2微带高温超导谐振器的第三步。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.023 seconds)
