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公开(公告)号：KR100264975B1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR1019970063395
申请日：1997-11-27
Abstract: PURPOSE: A selective crystal growth method is provided to be capable of forming a crystal growth layer of a good quality by reducing defects generated at a boundary portion of a crystal growth layer and an insulating layer. CONSTITUTION: A selective crystal growth method forms insulating film patterns(A,B) using SiO2 or Si3N4 on a semiconductor substrate(21) of GaAs or InP, etc. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in a length direction. That is, the insulating film patterns(A,B) has a rectangle shape. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in which an oblique side of a continued rectangle forms facing two edges of the rectangle so that hills and fields are continuous at an edge in a length direction.
Abstract translation: 目的：提供选择性晶体生长方法，通过减少在晶体生长层和绝缘层的边界部分产生的缺陷，能够形成质量良好的晶体生长层。 构成：选择性晶体生长方法在GaAs或InP等的半导体衬底（21）上使用SiO 2或Si 3 N 4形成绝缘膜图案（A，B）。绝缘膜图案（A，B）的长度为锯齿形 方向。 也就是说，绝缘膜图案（A，B）具有矩形形状。 绝缘膜图案（A，B）具有锯齿形状，其中连续矩形的倾斜面形成为面向矩形的两个边缘，使得山丘和场在长度方向上的边缘处连续。
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公开(公告)号：KR1019990084767A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016751
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저의 구조 및 그 제조방법으로 특히, 부가적인 공정없이 전류차단층 구조를 변화시켜 반도체 레이저와 광섬유와의 결합 효율을 향상시키는 방법에 관한 것으로서, 평면 매립형 반도체 레이저의 제작은 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정, 활성층 영역으로의 전류 주입을 위하여 활성층 주변에 전류차단층의 1차 재성장 공정 및 활성층 영역 위의 클래드층과 오옴접촉층을 형성하기 위한 2차 재성장 공정으로 구성함으로써, 전류차단층의 구조를 바꾸어 줌으로 인해 효율적으로 출사광의 형태가 변형되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 전류차단층 구조를 자유롭게 조절할 수 있으므로 출사광의 크기를 증가시킬 수 있어 높은 광결합효율을 가진 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100226434B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960062713
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/2063
Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로서의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.
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公开(公告)号：KR100226431B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960061998
申请日：1996-12-05
IPC: H01S3/0947
Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작하므로서 안정된 광 출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다. 고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광결합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 혼정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화시켜 고출력 동작 시에도 고차모드 동작을 억제시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작하게 하는 구조의 제작에 있다.
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公开(公告)号：KR1019990043114A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064100
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98um 반도체 레이저는 종래의 RWG형 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널(channel) 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 1∼3㎛ 폭을 가진 다수의 좁은 채널과 공진기가 구비된 주 RWG 외에 고차 횡모드 결합용 부 RWG가 부가된 구조를 가진다. 즉, 주 RWG 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 부 RWG 공진기로 결합시켜 소멸시킴으로써 주 RWG 공진기에 대해 킹크와 빔 스티어링의 원인이 되는 고차 횡모드 발진을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100178493B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950052687
申请日：1995-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체기판과,상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 '형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위해 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상� �� 반도체 기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공진기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1및 제2 P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하밀도와 이득분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간흘버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990015372A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970037477
申请日：1997-08-06
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 고출력 반도체 레이저 및 광소자 제작에 관한 것으로, 다단계의 다른 물질 이온 주입과 열처리 과정을 통하여 밴드갭 과 유효굴절율 변화를 공간적으로 완화시켜 반도체 레이저에서의 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작함으로써 안정된 광 출력을 내는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저와 그 제작방법에 관한 것이다.
본 발명은 다층 양자 우물 구조를 활용하고 있는 반도체 레이저와 기타 광소자 제작에 있어서 Zn, Si, Be 등의 원소로 확산 또는 이온 주입시킨 후의 열처리를 통한 혼정화로 밴드갭과 유효굴절율을 조절하며, 이온 주입 물질, 주입량 및 열처리 조건에 따라 밴드갭과 유효굴절율 변화의 양을 조절하여 완화된 밴드갭과 유효굴절율 분포를 얻을 수 있으므로, 다단계 이온 주입 공정을 이용한 완화된 밴드갭과 유효굴절율 분포는 안정된 고출력 리지 웨이브 가이드 반도체 레이저 제작을 비롯하여 다양한 광소자 특성 향상에 활용이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100146714B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940019496
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2081 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/34313
Abstract: 본 발명은 고속 변조용 평면 매립형 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 제2클래드층, 활성층 및 제1클래드층을 메사구조를 이루도록 비선택 식각용액으로 단면 프로파일이 라운드형상의 외주면을 갖도록 1차 식각한 후, 재차, 활성층을 제외한 반도체기판, 제1 및 제2클래드층 단면의 결정면이 정확히 노출되도록 선택적으로 2차 식각하고 제1전류차단층과 제2전류차단층을 결정성장하면 결정면이 정확히 노출된 반도체기판, 제1 및 제2클래드층의 노출된 측면 보다 결정면이 정확히 노출되지 않은 활성층(25)의 측면에서 성장 속도가 늦어 얇게 형성되어 활성층과 제2전류차단층 사이의 거리(D)가 감소된다. 따라서, 거리(D)가 감소됨에 따라 반도체기판과 제1전류차단층의 접합면에서 유기되는 누설전류를 감소시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980044612A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062714
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.-
公开(公告)号：KR1019970031121A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040292
申请日：1995-11-08
IPC: H01S5/22
Abstract: 본 발명은 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 릿지 하부 양측의 활성층에 Si, Zn, Be 또는 플로톤 등의 불순물을 이온 주입하고 고온에서 활성화시키지 않아 반절연된 전류차단영역에 의해 전류가 퍼지지 않도록 하여 고출력 동작시 높은 차수의 횡모드가 발생되는 것을 방지한다.
따라서, 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시키도록 고출력 동작시 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지할 수 있다.
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