公开(公告)号：KR1019960013804B1

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：KR1019930015636

申请日：1993-08-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  곽종훈 ,  황월연 ,  서호형 ,  이일항

IPC: G02B26/00

Abstract: a substrate(10); a first mirror layer(20) formed by stacking a low refractive index media and a high refractive index media in turn on the substrate(10); a second mirror layer(40) formed by stacking a high refractive index material and a low refractive index material in turn; and a spacer layer(30) formed with Kerr material between the first and the second mirror layer(20,40). The reflectance of the first mirror layer(20) is 95 precent or 100 precent and the reflectance of the second mirror layer(40) is 5 precent or 30 precent and the initial tuning phase of the spacer layer(30) is m +t where m is an integer and t is 0.7 or 0.8.

Abstract translation: 基板（10）; 依次在所述基板（10）上层叠低折射率介质和高折射率介质而形成的第一镜层（20）; 依次层叠高折射率材料和低折射率材料形成的第二镜层（40）; 以及在第一和第二镜层（20,40）之间形成有克尔材料的间隔层（30）。 第一镜面层（20）的反射率为95以上或100以上，第二镜面层（40）的反射率为5个或30个以上，并且间隔层（30）的初始调谐相位为m + t， m为整数，t为0.7或0.8。

公开(公告)号：KR1019950021283A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026793

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상훈 ,  최영완 ,  심숙이 ,  원용협 ,  정종술 ,  이일항

IPC: H01L21/34

Abstract: 본 발명은 초고속의 스위칭 속도와 높은 광학적 온/오프 강도비를 갖는 비선형 광 쌍안정성 소자를 가능하게 하는 비대칭 페브리-페롯 공명 구조와 얕은 양자 우물 구조가 혼합 적용된 화합물 반도체 다중 양자 우물구조에 관한 것이다. 종래의 깊은 다중 양자 우물구조는 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간이 길어서 결국 이 구조로 만든 광소자의 스위칭 속도가 느린 문제점이 있다.
아울러 비대칭 페브리-페롯 구조가 아닌 종래의 入/4 스택층을 바닥 거울층으로만 적용시킨 구조는 출력광의 온/오프 강도비가 낮아서 광시스템에 적용시 낮은 잡음여유도로 인해 신뢰성의 문제가 있다.
본 발명은PI(MQW)-N 다이오드의 진성 영역내에GaAs/AlxGal-xAs 다중 양자 우물에서 Al의 몰농도를 낮게하여(x=5%이하)얕은 양자 우물 구조로 함으로써 외부 인가 전계에 의한 전계 이온화 현상에 의해 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간을 매우 짧게 가져감으로 인해 스위칭 속도를 매우 빨리 할 수 있게 한다.
아울러 PI(MQW)-N 다이오드의 총두께가 높은 반사율을 갖는 하부 거울층인 A10 !Ga0.9/AlAs 入/4 스택층과 낮은 반사율의 반도체와 공기와의 계면층 사이에 비대칭 페브리-페롯 공명 구조가 되게끔 하여 광학적 출력의 온/오프 강도비를 크게 높일수 있게 하였다.
결국 스위칭 속도 개선을 위한 얕은 양자 우물 구조와 출력광의 온/오프 강도비 개선을 위한 비대칭 페브리-페롯 공명 구조를 동시에 혼합 적용시킨 화합물 반도체 혼성 구조인 것이다.

公开(公告)号：KR1019950009293A

公开(公告)日：1995-04-21

申请号：KR1019930017729

申请日：1993-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  곽종훈 ,  황월연 ,  서호형 ,  이일항

IPC: G02B26/00

Abstract: 본 발명은 빔의 세기에 따라 굴절융이 변화하는 커어(Kerr) 매질을 중간층(Spacer Layer)으로 사용하는 파브리-페로 공진기(Parbry-Perot Etalon)를 이용한 파장분할역다중화 소자 및 이를 사용하는 시스템에 관한 것으로, 그 파장분할역다중화소자의 구성은 기판과, 이 기판상에 형성된 하부거울층으로 사용하되 낮은 굴절율을 가진 매질과 높은 굴절율을 가진 매질이 교번하여 형성된 제1거울층과, 상부거울층으로 사용하되 높은 굴절율을 가진 매질과 낮은 굴절율을 가진 매질이 교번하여 형성된 제2거울층과, 상기 제1거울층과 제2거울층사이에 형성된 커어 매질로 이루어진 중간층을 포함하되, 상기의 제2거울층에 대해 상기의 제1거울층의 반사율은 상대적으로 높게 형성되고, 상기 중간층의 초기위상값이 mπ+tπ로 되는 상기 중간층의 두께가 설정되며, 여기서 m은 정수이고 그리고 t는 0.2 내지 0.4인 구조로 되어 있고, 이러한 구조의 파장분할역다중화소자를 사용하여신시호빔과 편광제어빔을 제공하는 빔발생기와 빔분리기 및 편광분해기로 시스템을 형성한다.
본 발명에 의해 편광제어빔의 세기변화에 대하여 에너지 손실이 적으면서 높은 편광회전효율을 기대할 수 있고 그리고 반사빔의 피크선폭을 좁힐 수 있다.