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公开(公告)号：KR100670835B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020060025683
申请日：2006-03-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0015 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/2059 , H01J37/3174 , Y10S977/887
Abstract: A method for fabricating a nano-imprint mold is provided to manufacture a quartz NIL(Nano-Imprint Lithography) mold by using a mold such as a silicon substrate. An E-beam resist is coated on a substrate and an E-beam resist pattern is formed on the first substrate by performing an E-beam lithography process(S200). A photoresist pattern is formed on the first substrate by performing a photo-lithography process(S300). A pattern is formed on the first substrate by using the E-beam resist pattern and the photoresist pattern(S400). A NIL mold is formed by printing the pattern of the first substrate on a second substrate for mold(S500,S600).
Abstract translation: 提供一种制造纳米压印模具的方法，以通过使用诸如硅衬底的模具制造石英NIL（Nano-Imprint Lithography）模具。 电子束抗蚀剂涂覆在基板上，并且通过执行电子束光刻工艺在第一基板上形成电子束抗蚀剂图案（S200）。 通过进行光刻工艺在第一衬底上形成光刻胶图案（S300）。 通过使用电子束抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案在第一基板上形成图案（S400）。 通过将第一基板的图案印刷在第二模具用基板（S500，S600）上而形成NIL模具。
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公开(公告)号：KR100419484B1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020010055190
申请日：2001-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L9/30
Abstract: PURPOSE: A method and apparatus of verifying validity of certificate of authentication using a verification server at a public key infrastructure are provided, which are capable of securing mutual interlocking of a public key infrastructure of different systems and of reducing a load of a client for verification. CONSTITUTION: The first verification server(28) receives validity verification request of a certificate of authentication from a verification request means(27) and judges whether or not of a reliable domain. The first verification server(28) compares and judges a routing server list to perform the validity verification of the certificate of authentication. The second verification server(29) receives validity verification request of a certificate of authentication from the first verification server and judges whether or not of an access allowance server list. The second verification server(29) performs the validity verification of the certificate of authentication.
Abstract translation: 目的：提供一种在公共密钥基础设施处使用验证服务器验证验证证书的有效性的方法和设备，其能够确保不同系统的公钥基础设施的相互联锁并且减少验证客户端的负载 。 组成：第一验证服务器（28）从验证请求装置（27）接收验证证书的有效性验证请求，并判断可靠域是否是可靠域。 第一验证服务器（28）比较并判断路由服务器列表以执行认证证书的有效性验证。 第二验证服务器（29）从第一验证服务器接收认证证书的有效性验证请求，并判断访问许可服务器列表是否存在。 第二验证服务器（29）执行认证证书的有效性验证。
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公开(公告)号：KR100848312B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020060103137
申请日：2006-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66
Abstract: 하부 도전층과 분자 활성층과의 사이에 형성된 유기 유전박막을 포함하는 분자 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 유기 유전박막과, 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트를 가지는 분자 활성층과, 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함한다. 유기 유전박막은 전극 또는 Si층 위에 자기조립 방법으로 고정화될 수 있다. 유기 유전박막은 상호 수소 결합되어 있는 제1 분자층 및 제2 분자층을 포함할 수 있다. 유기 유전박막은 M'-RT (식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C
1 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH
2 또는 -COOH)로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 기판상에 자기조립됨으로써 형성될 수 있다.
분자 전자 소자, 유기 유전박막, 아민알킬티올, 분자 활성층, 자기조립-
公开(公告)号：KR100714127B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060018872
申请日：2006-02-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66
Abstract: 제1 전극과, 티올 또는 실란계 정착기를 이용하여 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층을 덮는 유기 전극층을 포함하는 제2 전극으로 이루어지는 분자 전자 소자에 관하여 개시한다. 제2 전극은 상기 유기 전극층과, 상기 유기 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함할 수 있다. 유기 전극층은 전기전도도가 큰 단량체, 올리고머 또는 고분자 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자의 분자 활성층은 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자, 또는 상기 양 전극에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자 소자, 유기 전극층, 분자 활성층, 스위칭, 메모리Abstract translation: 一种分子电极，包括第一电极，使用硫醇或硅烷基熔凝器在第一电极上自组装的分子活性层和包含覆盖分子活性层的有机电极层的第二电极。 第二电极可以包括有机电极层和形成在有机电极层上的金属电极层。 有机电极层由具有高导电性的单体，低聚物或高分子化合物构成。 根据本发明的分子电子器件的分子有源层可以是取决于施加在第一电极和第二电极之间的电压而在导通状态和截止状态之间可切换的开关元件， 并且构成用于存储预定电信号的存储元件。
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公开(公告)号：KR100847493B1
公开(公告)日：2008-07-22
申请号：KR1020070053741
申请日：2007-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고분자 구동기(폴리머 액추에이터, polymer actuators) 제조방법 및 이로부터 얻은 고분자 구동기에 관한 것으로, 특히 카메라 모듈의 모터부분을 대체할 저전력, 초박형, 고안정성 고분자 구동기의 제조방법 및 이로부터 얻은 고분자 구동기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 구동기는 전도성 고분자막의 양면에 금속 전극이 도금된 이온성 고분자 금속 복합물을 준비하는 단계; 이온성 고분자 금속 복합물의 전도성 고분자막으로부터 물을 제거하는 단계; 및 물보다 끓는점이 높고, 어는점이 낮은 극성 용매 중에서 이온성 고분자 금속 복합물을 팽창시키는 단계를 통해 제조된다. 본 발명에 따른 고분자 구동기는 물 대신 물보다 끓는점이 높고 어는점이 낮은 극성 용매를 사용함으로써 낮은 온도에서의 사용도 가능하고, 고온에서의 안정성이 뛰어나다는 효과를 갖는다.
고분자 구동기, 프로필렌 카보네이트, 백금, 고안정성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100825753B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060115438
申请日：2006-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/0046 , B82Y40/00 , Y10S977/887
Abstract: A method for forming a conductive pattern including conductive polymer is provided to simplify the fabricating process of a molecular electronic device by easily forming a conductive pattern of a nano size including conductive polymer. A sacrificial mold pattern is formed on a substrate(100), covering a first region of the substrate. A metal thin film(120) is formed on the sacrificial mold pattern and a second region of the substrate not covered with the sacrificial mold pattern. An organic molecular layer(130) is formed on the metal thin film. A conductive polymer layer(140) is formed on the organic molecular layer. The sacrificial layer pattern in the first region is removed to form a plurality of conductive patterns composed of the metal thin film, the organic molecular layer and the conductive polymer layer that are left only in the second region. The sacrificial mold pattern can be made of a photoresist material.
Abstract translation: 提供了形成包括导电聚合物的导电图案的方法，以通过容易地形成包括导电聚合物的纳米尺寸的导电图案来简化分子电子器件的制造过程。 牺牲模具图案形成在衬底（100）上，覆盖衬底的第一区域。 在牺牲模具图案上形成金属薄膜（120），并且在衬底的未被牺牲模具图案覆盖的第二区域上形成金属薄膜（120）。 在金属薄膜上形成有机分子层（130）。 在有机分子层上形成导电聚合物层（140）。 去除第一区域中的牺牲层图案，以形成由只剩下第二区域的金属薄膜，有机分子层和导电聚合物层构成的多个导电图案。 牺牲模具图案可以由光致抗蚀剂材料制成。
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67.发明授权티올계 정착기를 가지는 분자 전자소자용 화합물 및 그제조 방법과 그 화합물로부터 얻어지는 분자 활성층을가지는 분자 전자소자 失效已经从用于具有定影装置以及制造该化合物的方法以及所述化合物的分子电子器件的硫醇得到分子电子器件的活性分子
公开(公告)号：KR100714126B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060018435
申请日：2006-02-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 다음 식의 티올계 정착기를 가지는 터피리딘-루쎄늄 유기금속 화합물로 이루어지는 분자 전자소자용 화합물 및 그 제조 방법과, 그 화합물로부터 얻어지는 분자 활성층을 가지는 분자 전자 소자에 대하여 개시한다.
식중, R
1 및 R
2 는 각각 티오아세틸기 또는 수소 원자이고, R
1 및 R
2 중 적어도 하나는 티오아세틸기이고, m 및 n은 각각 0 ∼ 20의 정수이다. 이 화합물이 전극 표면에 자기조립되어 형성되는 분자 활성층은 스위치 소자 또는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자소자, 분자 스위치, 분자 메모리, 자기조립, 루쎄늄-터피리딘Abstract translation: 它公开了具有相对于基座ssenyum化合物和用于分子电子器件的制造方法，包括一种有机金属化合物，具有由这些化合物发射具有硫醇基定影吡啶的公式所获得的活性分子的分子电子装置。
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公开(公告)号：KR1020030021778A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020010055190
申请日：2001-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L9/30
CPC classification number: H04L9/3268
Abstract: PURPOSE: A method and apparatus of verifying validity of certificate of authentication using a verification server at a public key infrastructure are provided, which are capable of securing mutual interlocking of a public key infrastructure of different systems and of reducing a load of a client for verification. CONSTITUTION: The first verification server(28) receives validity verification request of a certificate of authentication from a verification request means(27) and judges whether or not of a reliable domain. The first verification server(28) compares and judges a routing server list to perform the validity verification of the certificate of authentication. The second verification server(29) receives validity verification request of a certificate of authentication from the first verification server and judges whether or not of an access allowance server list. The second verification server(29) performs the validity verification of the certificate of authentication.
Abstract translation: 目的：提供一种使用公钥基础设施上的验证服务器来验证认证证书的有效性的方法和装置，其能够确保不同系统的公钥基础设施的相互互锁，并减少客户端的负载以进行验证 。 构成：第一验证服务器（28）从验证请求装置（27）接收认证证书的有效性验证请求，并判断是否为可靠域。 第一验证服务器（28）比较并判断路由服务器列表以执行认证证书的有效性验证。 第二验证服务器（29）从第一验证服务器接收验证证书的有效性验证请求，并判断访问许可服务器列表。 第二验证服务器（29）执行认证证书的有效性验证。
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公开(公告)号：KR1020080022024A
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020060103137
申请日：2006-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66
Abstract: A molecular electronic device including an organic dielectric thin film and a method for fabricating the same are provided to block a penetrated electrode material from reaching a bottom electrode by increasing a distance from a molecular active layer to the bottom electrode. A molecular electronic device includes a substrate, an organic dielectric thin film(150) formed on the substrate, a molecular active layer(160) formed on the organic dielectric thin film and having a charge trap site, and an electrode(110) formed on the molecular active layer. The organic dielectric thin film comprises a molecular structure represented by M-R-T, wherein M is a sulfur-containing group or a silicon-containing group, R is a saturated or unsaturated C1 to C20 hydrocarbon group which is saturated or unsaturated with fluorine, and T is -SH, -NH2, or -COOH.
Abstract translation: 提供了包括有机电介质薄膜的分子电子器件及其制造方法，以通过增加从分子活性层到底部电极的距离来阻止穿透的电极材料到达底部电极。 分子电子器件包括衬底，形成在衬底上的有机介电薄膜（150），形成在有机电介质薄膜上并具有电荷陷阱位置的分子活性层（160）和形成在电极 分子活性层。 有机电介质薄膜包含由MRT表示的分子结构，其中M为含硫基团或含硅基团，R为与氟饱和或不饱和的饱和或不饱和C1至C20烃基，T为 -SH，-NH2或-COOH。
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70.发明授权비대칭 디설파이드 정착기를 가지는 분자 전자소자용화합물 및 그 제조 방법과 그 화합물로부터 얻어지는 분자활성층을 가지는 분자 전자소자 有权具有非对称无定形锚固组的分子电子装置的化合物及其合成，以及具有从化合物获得的分子活性层的分子电子装置
公开(公告)号：KR100809430B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060103694
申请日：2006-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C07C321/16 , C07F15/00
Abstract: A compound for a molecular electronic device, a method for preparing the compound, and a molecular electronic device using the compound are provided to improve the coverage of a self-assembled molecular monolayer and to allow the thickness of a molecular active layer. A compound for a molecular electronic device comprises a ruthenium-terpyridine disulfide complex represented by the formula 2, wherein R1 and R2 are a C1-C20 saturated or unsaturated hydrocarbon group substituted or unsubstituted with F, respectively. A molecular electronic device comprises a first electrode; a second electrode; and a molecular active layer which is interposed between the two electrodes and has a structure formed by the self-assembling of the compound of the formula 2 on the first electrode.
Abstract translation: 提供分子电子器件的化合物，制备该化合物的方法和使用该化合物的分子电子器件，以改善自组装分子单层的覆盖范围并允许分子活性层的厚度。 用于分子电子器件的化合物包括由式2表示的钌 - 三联吡啶二硫化物络合物，其中R 1和R 2分别是被F取代或未取代的C 1 -C 20饱和或不饱和烃基。 分子电子器件包括第一电极; 第二电极; 以及插入在两个电极之间的分子活性层，并且具有通过在第一电极上自由组装式2的化合物而形成的结构。
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