公开(公告)号：KR100848312B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020060103137

申请日：2006-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  방경숙 ,  박종혁 ,  이정현 ,  최낙진 ,  구자룡

IPC: H01L29/66

Abstract: 하부 도전층과 분자 활성층과의 사이에 형성된 유기 유전박막을 포함하는 분자 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 유기 유전박막과, 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트를 가지는 분자 활성층과, 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함한다. 유기 유전박막은 전극 또는 Si층 위에 자기조립 방법으로 고정화될 수 있다. 유기 유전박막은 상호 수소 결합되어 있는 제1 분자층 및 제2 분자층을 포함할 수 있다. 유기 유전박막은 M'-RT (식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C
1 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH
2 또는 -COOH)로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 기판상에 자기조립됨으로써 형성될 수 있다.
분자 전자 소자, 유기 유전박막, 아민알킬티올, 분자 활성층, 자기조립

公开(公告)号：KR100714127B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060018872

申请日：2006-02-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  최낙진 ,  이정현 ,  박종혁 ,  방경숙 ,  백희열

IPC: H01L29/66

Abstract: 제1 전극과, 티올 또는 실란계 정착기를 이용하여 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층을 덮는 유기 전극층을 포함하는 제2 전극으로 이루어지는 분자 전자 소자에 관하여 개시한다. 제2 전극은 상기 유기 전극층과, 상기 유기 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함할 수 있다. 유기 전극층은 전기전도도가 큰 단량체, 올리고머 또는 고분자 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자의 분자 활성층은 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자, 또는 상기 양 전극에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자 소자, 유기 전극층, 분자 활성층, 스위칭, 메모리

Abstract translation: 一种分子电极，包括第一电极，使用硫醇或硅烷基熔凝器在第一电极上自组装的分子活性层和包含覆盖分子活性层的有机电极层的第二电极。 第二电极可以包括有机电极层和形成在有机电极层上的金属电极层。 有机电极层由具有高导电性的单体，低聚物或高分子化合物构成。 根据本发明的分子电子器件的分子有源层可以是取决于施加在第一电极和第二电极之间的电压而在导通状态和截止状态之间可切换的开关元件， 并且构成用于存储预定电信号的存储元件。

公开(公告)号：KR100714126B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060018435

申请日：2006-02-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  이정현 ,  방경숙 ,  최낙진 ,  박종혁

IPC: H01L27/10 ,  C07F15/00 ,  C07F19/00 ,  C07F11/00

Abstract: 다음 식의 티올계 정착기를 가지는 터피리딘-루쎄늄 유기금속 화합물로 이루어지는 분자 전자소자용 화합물 및 그 제조 방법과, 그 화합물로부터 얻어지는 분자 활성층을 가지는 분자 전자 소자에 대하여 개시한다.

식중, R
1 및 R
2 는 각각 티오아세틸기 또는 수소 원자이고, R
1 및 R
2 중 적어도 하나는 티오아세틸기이고, m 및 n은 각각 0 ∼ 20의 정수이다. 이 화합물이 전극 표면에 자기조립되어 형성되는 분자 활성층은 스위치 소자 또는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자소자, 분자 스위치, 분자 메모리, 자기조립, 루쎄늄-터피리딘

Abstract translation: 它公开了具有相对于基座ssenyum化合物和用于分子电子器件的制造方法，包括一种有机金属化合物，具有由这些化合物发射具有硫醇基定影吡啶的公式所获得的活性分子的分子电子装置。

公开(公告)号：KR100819059B1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070100797

申请日：2007-10-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  이정현 ,  방경숙 ,  서경자

IPC: C07F3/06 ,  C07F3/02

CPC classification number: C07F3/06 ,  C07F3/02 ,  H01L51/0092

Abstract: A compound for a molecular electronic device is provided to be properly applied to embody a fine molecular electronic device of several tens nano-meter level. A molecular electronic device is provided to show improved coverage characteristic of a molecular active layer formed by self-assembling the compound on an electrode. A compound for a molecular electronic device consists of a porphyrin disulfide compound represented by the formula(6), wherein each R1 and R2 is independently C1-20 saturated or unsaturated hydrocarbon which may be substituted or unsubstituted by F; each R', R" and R'" is independently pentyl or p-toyl; and M is Zn or Mg. A method for preparing the compound for the molecular electronic device comprises the steps of: (a) reacting a compound of H-CO-R1-Br with sodium thiosulfate pentahydrate and R2-SH in sequence to synthesize a compound of H-CO-R1-S-S-R2; (b) condensating the compound of H-CO-R1-S-S-R2, pyrrole and R-aldehyde; and (c) oxidizing the product obtained from the step(b) using DDQ(2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone), wherein each R1 and R2 is independently C1-20 saturated or unsaturated hydrocarbon which may be substituted or unsubstituted by F; each R', R" and R'" is independently pentyl or p-toyl. A molecular electronic device comprises: a first electrode; a second electrode formed on the first electrode; a molecular active layer which is interposed between the first and second electrodes and self-assembled on the first electrode, wherein the molecular active layer consists of a mono-molecular layer which is a product obtained by self-assembling the compound for the molecular electronic device on the first electrode using a disulfide group as an anchoring group.

Abstract translation: 提供分子电子器件的化合物，以适用于体现几十纳米级的精细分子电子器件。 提供分子电子器件以显示通过在电极上自组装化合物而形成的分子活性层的改进的覆盖特性。 用于分子电子器件的化合物由式（6）表示的卟啉二硫化物化合物组成，其中每个R 1和R 2独立地为可被F取代或未取代的C 1-20的饱和或不饱和烃; 每个R'，R“和R”“独立地是戊基或对甲苯基; M是Zn或Mg。 制备分子电子器件化合物的方法包括以下步骤：（a）使H-CO-R1-Br的化合物与硫代硫酸钠五水合物和R2-SH按顺序反应合成H-CO-R1化合物 -SS-R2; （b）缩合H-CO-R1-S-S-R2，吡咯和R-醛的化合物; 和（c）使用DDQ（2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌）氧化步骤（b）得到的产物，其中每个R 1和R 2独立地为C 1-20饱和或不饱和烃 其可以被F取代或未取代; 每个R'，R“和R”“独立地是戊基或对甲苯基。 分子电子器件包括：第一电极; 形成在第一电极上的第二电极; 介于第一和第二电极之间并自组装在第一电极上的分子活性层，其中分子活性层由单分子层组成，该单分子层是通过自组装用于分子电子器件的化合物而获得的产物 在使用二硫基作为锚定基团的第一电极上。

公开(公告)号：KR100651750B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050089516

申请日：2005-09-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국화학연구원

Inventor： 이효영 ,  이정현 ,  백희열 ,  방경숙 ,  박종혁 ,  최낙진 ,  전근 ,  신승림

IPC: H01L29/02 ,  C07D417/12

Abstract: A compound for a molecular electronic device with a thiol-based anchoring group is provided to embody a molecular electronic device having a switch characteristic and a memory characteristic by forming a self-assembled molecular active layer between upper and lower electrodes. A dinitrothiophene group is prepared. An aminobenzene group is prepared into which a thiol derivative is introduced. An azo compound having an azo group is connected between the dinitrothiophene group and the aminobenzene group. The aminobenzene group into which the thiol derivative is introduced includes a disulfide group that supplies a ring structure.

Abstract translation: 提供具有硫醇基锚定基团的分子电子器件用化合物，以通过在上下电极之间形成自组装分子活性层来实现具有开关特性和存储特性的分子电子器件。 制备二硝基噻吩基团。 制备其中引入了硫醇衍生物的氨基苯基团。 在二硝基噻吩基团和氨基苯基团之间连接具有偶氮基团的偶氮化合物。 引入硫醇衍生物的氨基苯基包括提供环结构的二硫化物基团。

公开(公告)号：KR1020080022024A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020060103137

申请日：2006-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  방경숙 ,  박종혁 ,  이정현 ,  최낙진 ,  구자룡

IPC: H01L29/66

Abstract: A molecular electronic device including an organic dielectric thin film and a method for fabricating the same are provided to block a penetrated electrode material from reaching a bottom electrode by increasing a distance from a molecular active layer to the bottom electrode. A molecular electronic device includes a substrate, an organic dielectric thin film(150) formed on the substrate, a molecular active layer(160) formed on the organic dielectric thin film and having a charge trap site, and an electrode(110) formed on the molecular active layer. The organic dielectric thin film comprises a molecular structure represented by M-R-T, wherein M is a sulfur-containing group or a silicon-containing group, R is a saturated or unsaturated C1 to C20 hydrocarbon group which is saturated or unsaturated with fluorine, and T is -SH, -NH2, or -COOH.

Abstract translation: 提供了包括有机电介质薄膜的分子电子器件及其制造方法，以通过增加从分子活性层到底部电极的距离来阻止穿透的电极材料到达底部电极。 分子电子器件包括衬底，形成在衬底上的有机介电薄膜（150），形成在有机电介质薄膜上并具有电荷陷阱位置的分子活性层（160）和形成在电极 分子活性层。 有机电介质薄膜包含由MRT表示的分子结构，其中M为含硫基团或含硅基团，R为与氟饱和或不饱和的饱和或不饱和C1至C20烃基，T为 -SH，-NH2或-COOH。

公开(公告)号：KR100809430B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020060103694

申请日：2006-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  이정현 ,  방경숙 ,  서경자

IPC: C07C321/16 ,  C07F15/00

Abstract: A compound for a molecular electronic device, a method for preparing the compound, and a molecular electronic device using the compound are provided to improve the coverage of a self-assembled molecular monolayer and to allow the thickness of a molecular active layer. A compound for a molecular electronic device comprises a ruthenium-terpyridine disulfide complex represented by the formula 2, wherein R1 and R2 are a C1-C20 saturated or unsaturated hydrocarbon group substituted or unsubstituted with F, respectively. A molecular electronic device comprises a first electrode; a second electrode; and a molecular active layer which is interposed between the two electrodes and has a structure formed by the self-assembling of the compound of the formula 2 on the first electrode.

Abstract translation: 提供分子电子器件的化合物，制备该化合物的方法和使用该化合物的分子电子器件，以改善自组装分子单层的覆盖范围并允许分子活性层的厚度。 用于分子电子器件的化合物包括由式2表示的钌 - 三联吡啶二硫化物络合物，其中R 1和R 2分别是被F取代或未取代的C 1 -C 20饱和或不饱和烃基。 分子电子器件包括第一电极; 第二电极; 以及插入在两个电极之间的分子活性层，并且具有通过在第一电极上自由组装式2的化合物而形成的结构。

公开(公告)号：KR100799593B1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020070100796

申请日：2007-10-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  이정현 ,  방경숙 ,  서경자

IPC: C07F15/02

CPC classification number: C07F17/02

Abstract: A compound for a molecular electronic device is provided to be adequately applied to embody a fine molecular electronic device in several tens of nanometer level. A molecular electronic device is provided to prevent the short-circuiting phenomenon caused by poor coverage due to having a molecular active layer with excellent coverage. A compound for a molecular electronic device consists of a ferrocene disulfide compound represented by the formula(1), wherein each R1 and R2 is respectively C1-20 saturated or unsaturated hydrocarbon which may be substituted or unsubstituted by F. A method for preparing the compound comprises the steps of: (a) subjecting ferrocene to mono-lithiation using tertiary butyl lithium; (b) reacting the mono-lithiated ferrocene with Br(CH2)mBr(m is an integer from 1 to 20) to synthesize a bromoalkyl ferrocene compound(alkyl is (CH2)m); and (c) preparing a ferrocene disulfide compound having a (CH2)m-S-S-(CH2)nCH3 group from the bromoalkyl ferrocene compound using sodium thiosulfate pentahydrate and alkane thiol(alkane is CH3(CH2)n(n is an integer from 1-19)). A molecular electronic device comprises a first electrode, a second electrode formed on the first electrode, and a molecular active layer which is interposed between the first electrode and the second electrode, and is characterized in that the molecular active layer has a structure of the compound for the molecular electronic device being self-assembled at the first electrode.

Abstract translation: 提供了一种用于分子电子器件的化合物，以适用于体现几十纳米级的细分子电子器件。 提供分子电子器件，以防止由于具有优异覆盖的分子活性层而导致的覆盖不良引起的短路现象。 用于分子电子器件的化合物由式（1）表示的二茂铁二硫化物化合物组成，其中每个R 1和R 2分别为可被F取代或未取代的C 1-20的饱和或不饱和烃。 包括以下步骤：（a）使用叔丁基锂对二茂铁进行单次锂化; （b）使单锂化二茂铁与Br（CH 2）m Br（m是1至20的整数）反应，合成溴烷基二茂铁化合物（烷基是（CH 2）m）; 和（c）使用硫代硫酸五水合物和烷烃硫醇（烷烃为CH 3（CH 2）n（n为1-19的整数），由溴烷基二茂铁化合物制备具有（CH 2）mSS-（CH 2）n CH 3基团的二茂铁二硫化物 ））。 分子电子器件包括第一电极，形成在第一电极上的第二电极和介于第一电极和第二电极之间的分子活性层，其特征在于分子活性层具有化合物的结构 用于分子电子器件在第一电极处被自组装。

公开(公告)号：KR100670835B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020060025683

申请日：2006-03-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  이효영 ,  최낙진 ,  이정현 ,  방경숙

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0015 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2059 ,  H01J37/3174 ,  Y10S977/887

Abstract: A method for fabricating a nano-imprint mold is provided to manufacture a quartz NIL(Nano-Imprint Lithography) mold by using a mold such as a silicon substrate. An E-beam resist is coated on a substrate and an E-beam resist pattern is formed on the first substrate by performing an E-beam lithography process(S200). A photoresist pattern is formed on the first substrate by performing a photo-lithography process(S300). A pattern is formed on the first substrate by using the E-beam resist pattern and the photoresist pattern(S400). A NIL mold is formed by printing the pattern of the first substrate on a second substrate for mold(S500,S600).

Abstract translation: 提供一种制造纳米压印模具的方法，以通过使用诸如硅衬底的模具制造石英NIL（Nano-Imprint Lithography）模具。 电子束抗蚀剂涂覆在基板上，并且通过执行电子束光刻工艺在第一基板上形成电子束抗蚀剂图案（S200）。 通过进行光刻工艺在第一衬底上形成光刻胶图案（S300）。 通过使用电子束抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案在第一基板上形成图案（S400）。 通过将第一基板的图案印刷在第二模具用基板（S500，S600）上而形成NIL模具。