公开(公告)号：DE102009031156A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031156

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  RUELKE HARTMUT ,  HOHAGE JOERG

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden nicht-isolierende Materialien mit sehr hohen inneren Verspannungspegeln in der Kontaktebene eingesetzt, um das Leistungsverhalten von Schaltungselementen, etwa von Feldeffekttransistoren, zu verbessern, wobei das nicht-isolierende Material geeignet durch dielektrisches Material "eingekapselt" wird. Folglich wird ein gewünschter hoher Verformungspegel auf der Grundlage einer geringeren Schichtdicke erreicht, wobei dennoch die isolierenden Eigenschaften, die in der Kontaktebene erforderlich sind, bereitgestellt werden.