公开(公告)号：DE102010003559B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102010003559

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF

IPC: H01L23/525

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit:einem Transistor (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110A), die auf einer Oberfläche eines Halbleitergebiets (102) ausgebildet ist und die ein Gatedielektrikumsmaterial mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial, das über dem Gatedielektrikumsmaterial mit großem ε ausgebildet ist, aufweist;einer elektronischen Sicherung (110B) mit einem Halbleiterkörper (112), der über einem Oberflächenbereich eines Isolationsgebiets (102B), der in Bezug auf die Oberfläche des Halbleitergebiets (102) abgesenkt ist, ausgebildet ist, so dass eine Differenz im Höhenniveau der Gateelektrodenstruktur und der elektronischen Sicherung besteht und eine Höhe des abgesenkten Oberflächenbereichs geringer ist als eine Höhe der Oberfläche des Halbleitergebiets; undeiner Elektrodenstruktur (110C), die über einem nicht-abgesenkten Oberflächenbereich der Isolationsstruktur (102B) lateral benachbart zu dem Halbleiterkörper (112) der elektronischen Sicherung (110B) ausgebildet ist und den Halbleiterkörper (112) der elektronischen Sicherung lateral vollständig umschließt.

公开(公告)号：DE102009031156B4

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102009031156

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  RUELKE HARTMUT ,  HOHAGE JOERG

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (200) mit: einem Schaltungselement (250A), das in und über einem Halbleitergebiet (202A) ausgebildet ist und das ein Kontaktgebiet (255) aufweist; einer Zwischenschicht (260), die über dem Halbleitergebiet (202A) gebildet ist und eine verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) und ein dielektrisches Material aufweist, wobei die verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) eine Verformung in dem Halbleitergebiet (202A) hervorruft; und einem Kontaktelement (265), das sich durch die Zwischenschicht (260) erstreckt und mit dem Kontaktgebiet (255) verbunden ist; wobei das dielektrische Material der Zwischenschicht (260) eine erste dielektrische Schicht (261) und eine zweite dielektrische Schicht (262), die über der ersten dielektrischen Schicht (261) gebildet ist, aufweist und wobei die verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht gebildet ist; wobei das Halbleiterbauelement (200) ferner einen dielektrischen Abstandshalter (252) aufweist, der zumindest lateral zwischen dem Kontaktelement (265) und der verformungsinduzierenden nicht-isolierenden Materialschicht (263) gebildet...

公开(公告)号：DE102009031146B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102009031146

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  SELIGER FRANK ,  MAZUR MARTIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311

Abstract: Verfahren: Bilden eines Opfermaskenmaterials über einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, wobei die Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem &egr;, ein über dem dielektrischen Material mit großem &egr; gebildetes Platzhaltermaterial und eine dielektrische Deckschicht, die über dem Platzhaltermaterial gebildet ist, aufweist; Entfernen zumindest eines Teils der dielektrischen Deckschicht in Anwesenheit des Opfermaskenmaterials; Entfernen des Opfermaskenmaterials; Bilden eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials über dem Transistor; Ausführen eines Materialabtragungsprozesses, um das Platzhaltermaterial freizulegen; und Ersetzen des Platzhaltermaterials durch ein Metall enthaltendes Elektrodenmaterial.

公开(公告)号：DE102010030756A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：DE102010030756

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/423

Abstract: In Austauschgateverfahren zur Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer späten Fertigungsphase wird das Freilegen des Platzhaltermaterials auf der Grundlage eines im Wesentlichen gleichmäßigen dielektrischen Zwischenschichtmaterials erreicht, beispielsweise in Form eines Siliziumnitridmaterials, das eine ähnliche Abtragsrate im Vergleich zu dem dielektrischen Deckmaterial, den Abstandshalterelementen und dergleichen der Gateelektrodenstrukturen besitzt. Folglich kann ein ausgeprägter Grad an Einkerbung des dielektrischen Zwischenschichtmaterials vermieden werden, wodurch die Wahrscheinlichkeit verringert wird, dass Metallreste beim Entfernen von überschüssigem Material des Gatemetalls erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102009035438A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE102009035438

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  GRASSHOFF GUNTER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316

Abstract: Eine Abstandshalterstruktur in komplexen Halbleiterbauelementen wird auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε hergestellt, das für einen höheren Ätzwiderstand im Vergleich zu konventionell verwendeten Siliziumdioxidschichten sorgt. Folglich liefert eine geringere Dicke des Ätzstoppmaterials dennoch einen höheren Ätzwiderstand, wodurch negative Effekte verringert werden, etwa ein Dotierstoffverlust in Drain- und Sourceerweiterungsgebieten, das Erzeugen einer ausgeprägten Oberflächentopographie und dergleichen, wie sie typischerweise mit konventionellen Abstandshaltermaterialsystemen verknüpft sind.

公开(公告)号：DE102009043328B4

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit: einem Transistorelement (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110a), die ein Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial (118) aufweist, das über dem Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε gebildet ist; und einem Widerstand (110b) mit einem Halbleitermaterial (113) mit einem oberen Bereich (113u) und einem unteren Bereich (113l), wobei der obere Bereich (113u) eine elektrische inerte Substanzsorte (104b) aufweist, so dass der obere Bereich (113u) im Vergleich zu dem unteren Bereich (113l) einen erhöhten Ätzwiderstand besitzt.

公开(公告)号：DE102008059649B4

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102008059649

申请日：2008-11-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) über ersten und zweiten Leitungen (221), die in einer Bauteilebene eines Halbleiterbauelements (200) gebildet sind; Ausführen eines Ätzprozesses zum Entfernen der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) von den zweiten Leitungen (221), während die erste verspannungsinduzierende Schicht (230) über den ersten Leitungen (221) beibehalten wird; Bilden einer zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (240) auf den zweiten Leitungen (221) und auf der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) über den ersten Leitungen (221); selektives Entfernen der zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (240) und von Material der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) von den ersten Leitungen (221); und Bilden mindestens einer weiteren verspannungsinduzierenden Schicht (235) über den ersten und zweiten Leitungen (221), wobei die mindestens eine weitere verspannungsinduzierende Schicht (235) und die erste verspannungsinduzierende Schicht (230) die gleiche Art an Verspannung hervorrufen; Entfernen der ersten und der zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (235, 240) von einem Bauteilgebiet (220B), das...

公开(公告)号：DE102010029533B3

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：DE102010029533

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FROHBERG KAI ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  REICHE KATRIN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/40

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Kontaktelementen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Kontaktöffnung in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial, derart dass sich die erste Kontaktöffnung zu einer ersten dielektrischen Schicht erstreckt, die unter einer zweiten dielektrischen Schicht des dielektrischen Zwischenschichtmaterials ausgebildet ist; Bilden einer Beschichtung an Seitenwänden und an einer Unterseite der ersten Kontaktöffnung derart, dass eine Breite der ersten Kontaktöffnung reduziert wird, Bilden einer zweiten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial nach dem Herstellen der Beschichtung derart, dass sich die zweite Kontaktöffnung zu der ersten dielektrischen Schicht erstreckt; Entfernen der Beschichtung von der Unterseite, so dass die erste dielektrische Schicht freigelegt wird; gemeinsames Vergrößern einer Tiefe der ersten und der zweiten Kontaktöffnung durch Ätzen durch die erste dielektrische Schicht derart, dass sie eine Verbindung zu einem entsprechenden ersten und einem zweiten Kontaktgebiet herstellen; und Füllen der ersten und der zweiten Kontaktöffnung mit einem leitenden...

公开(公告)号：DE102010038744A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102010038744

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/318

Abstract: In einem Doppelverspannungsschichtenverfahren wird unerwünschtes Material, das zwischen dicht liegenden Gateelektrodenstrukturen vorhanden ist, effizient auf der Grundlage eines nasschemischen Ätzprozesses abgetragen, wodurch die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von strukturabhängigen Unregelmäßigkeiten verringert wird. Folglich kann die Wahrscheinlichkeit für Kontaktausfälle in komplexen dielektrischen Zwischenschichtmaterialsystemen, die auf der Grundlage eines Doppelverspannungsschichtenverfahrens hergestellt sind, verringert werden.

公开(公告)号：DE102010003559A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003559

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF

IPC: H01L23/525

Abstract: In einem Austauschgateverfahren zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; werden elektronische Sicherungen auf der Grundlage eines Halbleitermaterials in Verbindung mit einem Metallsilizid bereitgestellt, indem eine abgesenkte Oberflächentopographie und/oder eine verbesserte Selektivität des Metallsilizidmaterials während des Austauschgateverfahrens angewendet werden. Beispielsweise werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen elektronische Sicherungen in einem abgesenkten Bereich eines Isolationsgebiets vorgesehen, wodurch das Entfernen des Halbleitermaterials vermieden wird, wenn das Halbleitermaterial der Gateelektrodenstrukturen durch ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial ersetzt wird. Folglich kann das Konzept von gut etablierten halbleiterbasierten elektronischen Sicherungen im Zusammenhang mit komplexen Austauschgatestrukturen von Transistoren angewendet werden.